简介：采用电沉积法制备了Fe（Ⅵ／Ⅲ）薄膜电极，研究了制备条件的影响及其电化学性能。利用SEM、AES、循环伏安及恒流充放电等测试手段分析了Fe（Ⅵ／Ⅲ）薄膜的微观形貌及其电化学性能。结果表明，Fe（Ⅵ／Ⅲ）薄膜上有微小的针状颗粒；Fe（Ⅵ／Ⅲ）薄膜电极具有电化学活性，可以进行锂离子的嵌入与脱出；Fe（Ⅵ／Ⅲ）薄膜电极表现出初次充放电的高容量和高放电平台，初次循环后充放电容量逐渐降低并稳定在一个相对低的数值。

简介：分别以乙醇和乙腈为碳源采用化学气相沉积法制备碳纳米管,之后通过与商业碳纳米管相比较以研究不同碳源对所制备碳纳米管的结构及其用于超级电容器电极材料电化学性能的影响.通过低温氮气吸附/脱附、热重和拉曼等对碳纳米管的结构性质进行表征.此外,运用电化学工作站对所得碳纳米管的电化学性能进行了测试.结果表明,不同的碳源对所得碳纳米管的结构有着较大的影响,进而导致其电化学性能的差异.

简介：利用XRD、SEM、DSC以及洛氏硬度仪对A1FeCoNiCrV合金退火态的微观组织及硬度变化进行了研究。结果表明，当温度的升高至1000℃时，合金的结构由铸态下的bcc相变成bcc＋fcc相；合金硬度在1000℃退火后保持在48．0HRC，具有较强的抗回火软化能力以及一定的高温应用价值。同时，利用阳极极化法测试了铸态及退火后AlFeCoNiCrV合金在0．5mol／LH2SO4溶液和1mol／LNaCl溶液中的电化学性能，极化曲线表明，在0．5mol／LH2SO4溶液中，与304不锈钢相比，AlFeCoNiCrV合金具有较低的腐蚀速率；在1mol／LNaCl溶液中该合金的腐蚀速率不如304不锈钢，但其抗孔蚀的能力要优于304不锈钢。

简介：本文以六水硝酸铈（Ce（N03）3·6H20）为原材料、聚乙烯吡咯烷酮（PVP）作为表面活性剂，不依托任何硬模板水热法一步合成了微纳米级规则的八面体形貌二氧化铈（Ce02）晶体。乙醇含量对该八面体Ce02可控形貌的制备发挥了重要作用。在200％反应温度下，随着乙醇的加入，乙醇和水的比例由1：3达到3：1，Ce02形貌相应从实心八面体变为空心不规则粒子。当乙醇和水的比例为1：1时，反应时间从最初6小时到12小时直到48小时，Ce02形貌从实心类似八面体先变为规则的八面体最后变为空心不规则粒子。本文重点考察了上述八面体Ce02的电化学行为，主要考察了在含0．02mol／L氯化钠的260x10。mol／L亚甲蓝fMB）溶液中，石墨烯（GN）／CeOd壳聚糖（CHIT）复合薄膜修饰碳糊电极（CPE）的电化学行为；以及在含0．5mol／L氯化钾的160mmol／LK3Fe（CN）6／KaefCN）6（1：1）溶液中，多壁碳纳米管（MWNTs）/CeO2/CHIT复合薄膜修饰玻碳电极（GCE）的电化学行为.电化学测量采用循环伏安法（CV）和微分脉冲伏安法（DPV）.本文制备的微纳米级八面体形貌CeO2和新型碳材料（MWNTs,GN）复合后表现出明显的电化学协同效应,说明该微/纳级八面体CeO：具有良好的电化学应用前景.

简介：报道了近年来围绕激光辐照改变功能材料物理性质进行的探索和研究结果。研究发现:通过CO_2激光或准分子激光辐照,可以使一部分功能材料的介电、导电、磁性、压电、光学透过率、光致发光谱发生显著变化,材料形态有陶瓷、单晶和薄膜。涉及到的介电材料有:Ta_2O_5、BaTiO_3、Al_2O_3等;采用CO_2激光烧结,可以使Ta_2O_5陶瓷的介电常数提高近1倍(K>60),使(Ta_2O_5)_(1-x)(TiO_2)_x陶瓷的介电常数达到450,而介电损耗基本保持不变。涉及到的导电材料有:聚偏氟乙烯(PVDF)等;通过准分子激光辐照,可以使PVDF的电导率从10~(13)/Ω·cm提高到10~(-4)/Ω·cm数量级。涉及到的磁性材料有:LCMO和LBMO;通过CO_2激光辐照,可以使LCMO和LBMO薄膜的电阻温度系数提高近1倍。涉及到的压电材料有:LiNbO_3、BSKNN、BZT、PZT、NKN等;采用CO_2激光烧结,可以使某些材料的压电系数增大,可以使某些材料易于极化,可以使某些材料的相变温度提高。采用激光烧结技术,成功地烧结出Ta_2O_5、Al_2O_3、YAG等透明陶瓷。通过准分子激光辐照,可以使...

简介：用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）方法，在接近常压状态下，在氩气（Ar）和氢气（H2）的气氛中，以硅烷为源气体，在沉积区域加载脉冲负偏压对沉积过程进行调节，在基片上沉积得到具有荧光特性的含有Si纳米晶颗粒的SiOx薄膜，并在原气氛（Ar＋H2）中进行退火处理，SEM、TEM、FTIR、PL显示，退火后薄膜的网格结构被破坏，颗粒性更加明显，化学成分中Si—H减少，Si-O-Si增加，同时有少量si纳米晶粒析出，退火后的薄膜发光峰出现大幅蓝移，发光基团趋于单一，这与Si纳米晶粒的出现相对应。

简介：在无表面活性剂的条件下，通过水热法在三种不同的基底上制备了由纳米棒组成的花状氧化锌微结构，其纳米棒沿c轴方向生长。通过X射线衍射仪（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）对花状氧化锌微结构进行了表征。XRD测试结果表明ZnO为纤锌矿结构，扫描电镜照片表明ZnO微结构具有花状形貌。简单讨论了反应物浓度对花状ZnO纳米棒形成的影响及生长机理。

简介：使用分子束外延（MBE）技术生长Be掺杂的GaAs膜层,在此基础上,制备Au/GaAsSchottky二极管.另外,在Au与GaAs之间用原子层沉积技术（ALD）插入一层MgO绝缘层,研究不同掺杂浓度的GaAs对势垒高度及影响因子的影响,实验结果表明,Au/MgO/GaAs结构的肖特基势垒,随着掺杂浓度的升高而增大,影响因子呈现先降低后增加的趋势.

简介：基于密度泛函理论的第一性原理，结合广义梯度近似，对Mg、Al不同浓度掺杂的ZnO进行能带结构、电子态密度以及光学性质的研究，结果表明，由于Mg原子电子分布和Zn原子的差异，Zn-4s向高能端偏移，而价带基本保持不变，使得禁带宽度增大。由于Al的价电子比Zn多一个，掺杂Al使ZnO成为n型掺杂半导体，导致Zn0的导电性增大。从对二者的光学性质的分析可以看出，掺杂Mg后并没使ZnO的吸收谱的吸收边发生明显的移动，而掺杂Al使ZnO的吸收边向短波方向移动，发生了蓝移现象。

简介：采用PECVD（等离子体增强化学气相沉积）技术在不锈钢或玻璃衬底上制备微晶Si（硅）薄膜，研究沉积温度对PECVD法所制备的微晶硅薄膜性质的影响。从实验结果中可以看出，随着沉积腔内沉积温度的不断升高，微晶硅薄膜晶化率、晶粒尺寸在200-400℃范围内不断增加。当沉积温度为400℃时，薄膜的晶化率、晶粒尺寸得到显著提高，当沉积温度超过500℃时，薄膜的晶化率、晶粒尺寸反而略有下降。在本实验室条件下，沉积温度为400℃时十分有利于硅薄膜由非晶硅转化为微晶硅。

简介：以硅藻土为载体，通过共价结合法固定化碳酸酐酶。对制备固定化酶过程中的pH值、加酶量、反应温度、反应时间几个重要的影响因素进行了研究和优化，并对固定化酶和游离酶的酶学性质进行了比较。结果表明，固定化酶的最适反应温度为30℃，比游离酶高了5℃；最适反应pH值为6．0，比游离酶低了2个pH值单位。该固定化酶的热稳定性、酸碱稳定性和操作稳定性均高于游离酶。

简介：建立了复合铁电薄膜的理论模型，具有不同相变温度的铁电组分垂直于极化方向进行复合，引入局域分布函数描述不同组分间过渡层的性质，采用Ginzburg-Landau-Devonshire（GLDI）唯象理论展开研究。通过改变复合铁电薄膜的组分数量（2种和3种），主要研究了复合铁电薄膜的极化、相变及热释电性质，并与均匀铁电薄膜的相关性质进行对比。研究表明组分数量的变化对铁电薄膜的相变和热释电性质有着重要的影响。2组分复合而成的铁电薄膜与均匀铁电薄膜一样都只出现1个热释电峰，而3组分复合而成的铁电薄膜随着温度的变化出现了2个热释电峰。2组分薄膜的热释电峰和3组分薄膜中的1个热释电峰峰值较均匀铁电薄膜的热释电峰的峰值有所升高。

简介：随着对材料研究的逐渐深入，材料制备和材料分析的方法越来越重要，并且一些材料重要的物理性质是开展相关研究的基础。由于一些材料熔点高、难熔化，同时，传统手段无法避免容器壁的污染，或者无法在真空条件下进行试验避免气体的污染，或者由于实验性质原因只能测量特定的材料，这些方法很难测量材料在高温下过热过冷阶段的热物理性质。系统介绍了静电悬浮技术，这是一种新型的实现深过冷的方式，可以达到高温下对材料热物理性质进行测量的目的。静电悬浮技术使样品在两极板间悬浮，在悬浮的状态下采用激光对样品进行加热，使材料达到高温熔化，同时进行热物性的测量。对比了几种实现测量典型热物理性质的方法，了解静电悬浮的优势，并详细地介绍了静电悬浮技术对材料的熔体密度、热膨胀系数、表面张力和粘度系数以及比热的测量。

简介：以二水乙酸锌为原料，乙二醇甲醚和无水乙醇为溶剂，乙醇胺为稳定剂，六水合氯化铝为掺杂剂，合成AZO前驱液，采用自制的液位沉降装置在玻璃衬底上制备AZO薄膜，用XRD、UV—Vis、AFM、四探针、台阶仪等方法对薄膜进行表征，结果表明，应用液位沉降法制备AZO薄膜的优化条件为：溶胶浓度为0．5mol／L、Al3＋／Zn2＋浓度比为4at％、干燥温度100℃、干燥时间10min、预处理温度450℃、镀膜层数为20层、液位沉降速度为5cm／min、预处理时间为10min、550℃退火2h，得到薄膜透光率为88％，方块电阻为536Ω／□。

简介：最近，美国伊利诺斯大学厄本那一香槟分校一个研究小组开发出一种新奇的可调节纳米天线．利用电子扫描显微镜操控的等离子场增强产生机械运动，改变纳米天线间隙，使之重新排列组合。这也为将来开发新型等离子光机系统铺平了道路。相关论文发表在最近的《自然·通讯》上。

简介：【洛克菲勤】'建立在商业业务上的友谊远比建立在友谊上的商业业务来得好。'【福特】'如果你想永远做个雇员,那么下班的汽笛吹响时,你就可忘掉手中的工作;如果你想继续前进,去开创一番事业,那么,汽笛仅仅是你开始思考的信号。'

简介：通过第一性原理计算可以预测材料的组分、结构与性能，设计具有特定性能的新材料，甚至可以模拟实验无法实现的工作。密度泛函理论巧妙地将电子之间的交换相关势表示为密度泛函，使得薛定谔方程在考虑了电子之间的复杂作用后，依然可以利用自洽的方法求解。利用CASTEP软件在不同机制下计算了立方氮化硼的能带结构、电荷密度分布、状态密度、折射率谱、反射率谱、吸收谱。

简介：报导了CdS／ZnS纳米晶体（NCs）的制备过程和其光学}生质。通过采用连续离子层吸附和反应技术（SILAR），我们用少量的表面活性剂合成了不同壳层的四个样品，包括CdS核纳米晶以及具有1～3层ZnS壳的CdS／ZnS核／壳结构纳米晶体样品。发现具有一层ZnS壳的CdS／ZnS样品的荧光量子产率大约比未包覆壳层的CdS纳米晶体样品的强11倍。另外，随着壳层的增加（增至两到三层），荧光量子产率呈现下降的趋势。对样品进行了温度相关的光谱测量，发现CdS／ZnS和CdS一样具有特殊的光学特性。

简介：合成一种新型的脂环族三官能团环氧化物1，1-双（2，3环氧环己基氧甲基）-3，4-环氧环己烷（Ⅱ）及其母体1，1-双（2-环己烯基氧甲基）-3-环己烯。它的化学结构己被红外光谱，元素分析及氢核磁共振所验证。当使用1，3，5-三乙基六氢-均-三嗪作促进剂，4-甲基六氢苯二甲酸酐为固化剂时，Ⅱ可以很容易被固化。固化物的物理性质用热机械分析、热解质量分析法及动态机械分析来检测。在同样固化条件下，将Ⅱ与巳商业化的二环氧化物ERL-4221作比较。Ⅱ的固化物有较高的玻璃化温度（198℃），较高的交联密度（2.08×10^-3mol/cm^3)及较低的热膨胀系数（6.2×10^5/℃），Ⅱ在现代微电子应用中将是一种非常有前景的封装材料。

简介：日本三井化学投资天津开发区的天寰聚氨酯有限公司，已与天津开发区化学工业区总公司签订土地使用合同。该项目投资额达到2．58亿元，占地8万m^2，建设规模18kt／a发泡用组合聚醚、36kt／a聚氨酯树脂，投产后年产值可达11亿元。