简介：以基于运动方程的长时间能量积累方法为理论基础，提出了该方法的一种具体实现方式。详细分析了该方法在实际应用中具体的信号模型及信号处理流程；并以斜向匀速直线运动情况为例，说明了该方法的具体应用；最后的仿真结果表明，该方法对斜向匀速直线运动目标具有良好的积累性能。

简介：<正>国际半导体设备暨材料协会(SEMI)释出电子业淡季讯息,近日公布8月北美半导体设备订单出货比(Book-to-BillRatio,B/B值)终止连7个月逾1的走势,滑落至O.98,为今年来首度跌破1,宣告半导体产业即将走人年底淡季。分析师指出,SEMI的B/B值是针对设备厂商的统计,通常反映台积电、日月光等制造厂商未来三到六个月的产能计划,也反映了未来三到六个月的景气。北美半导体B/B值是指半导体设备厂当月接到设备的订单,以及当月出货

简介：在光纤通信中，光脉冲信号在光纤中传输的过程中会受到色散、损耗和非线性等作用的影响而不断地发生演化和畸变。脉冲演化的规律遵循非线性薛定谔方程（NLSE）。由于NSLE在一般情况下无法求得它的解析解，因此通常需采要用数值方法来求解。本文使用了分步傅里叶方法对NLSE进行了求解，并用利用这一结果对四种常见的光通信光脉冲在光纤中传输时的演化情况进行了计算机仿真研究，仿真结果分别模拟了几种常见光脉冲在光纤中传输时包络的演化情况。

简介：本文介绍了微波半导体技术主要特点、功率器件和单片集成电路的特性及其应用.

简介：5月23日,有日媒报道,日本政府将于2020年允许无人驾驶的乘用车在部分地区上路.自2017年起,在人口过疏地区和郊外的公路上启动行驶试验.到2020年东京奥运会和残奥会期间,在部分地区将允许民营企业提供无人出租车等服务.日本《道路交通法》和《道路运输车辆法》等法规也将进行修订.

简介：针对抗辐照SOIPMOS器件的直流特性与低频噪声特性展开试验与理论研究,分析离子注入工艺对PMOS器件电学性能的影响,并预测其稳定性的变化。首先,对离子注入前后PMOS器件的阈值电压、迁移率和亚阈摆幅进行提取。测量结果表明：埋氧化层离子注入后,器件背栅阈值电压由-43.39V变为-39.2V,空穴有效迁移率由127.37cm2/Vs降低为80.45cm2/Vs,亚阈摆幅由1.35V/dec增长为1.69V/dec;结合背栅阈值电压与亚阈摆幅的变化,提取得到埋氧化层内电子陷阱与背栅界面态数量的变化。随后,分析器件沟道电流噪声功率谱密度随频率、沟道电流的变化,提取γ因子与平带电压噪声功率谱密度,由此计算得到背栅界面附近的缺陷态密度。基于电荷隧穿机制,提取离子注入前后埋氧化层内陷阱态随空间分布的变化。最后,基于迁移率随机涨落机制,提取得到离子注入前后PMOS器件的平均霍格因子由6.19×10-5增长为2.07×10-2,这表明离子注入后器件背栅界面本征电性能与应力稳定性将变差。

简介：