简介：

简介：采用同步辐射白光形貌术结合化学腐蚀法研究了TNAB系列晶体NdxGd1-xAl3(BO3)4(NGAB)和YbxY1-xAl3(BO3)4(YbYAB）晶体中的生长缺陷。发现生长孪晶是该系列晶体中普遍存在的缺陷。NGAB晶体中的孪晶为180°旋转孪晶，操作轴为[0001]轴，即结构的三次对称轴，该孪晶以结构因子的衬度出现在X射线形貌像中：而YbYAB晶体中的孪晶则为反演孪晶，主晶与孪晶的结构互为中心对称。该孪晶在X射线形貌像中不出现畸的衬底，而仅出现界面的运动学衬度。

简介：采用化学腐蚀光学显微法和同步辐射截面形貌术研究了三硼酸锂（LBO）晶体的生长缺陷，实验结果表明，LBO晶体中的主要缺陷是位错、包裹物和扇形界。讨论了这些缺陷形成的原因和降低缺陷的措施。

简介：研究KTiOAsO4晶体的生长缺陷，对于改善它的性能和应用前景，有很大的意义。本文利用化学腐蚀光学显微术和同步辐射X射线形貌术研究了KTiOAsO4晶体的缺陷，实验结果表明，两种腐蚀剂对于显示KTA晶体的表面缺陷效果显著，KTA晶体中主要的缺陷有铁电畴、生长层、扇形界、位错和包裹物。讨论了这些缺陷形成的原因。

简介：LiNdP4O12(LNP）晶体是一种新型的激光材料。本文报道了用同步辐射X射线白光形貌术和光学显微法研究由助熔剂籽晶旋转法生长的LNP晶体的生长缺陷，观察到了圆形生长台阶及精细的系列台阶结构，对晶体中的包裹物和位错缺陷等进行了详细的观察描述，还发现了一种比较奇特的腐蚀沟槽，分析了这种腐蚀沟槽的形成机理及各种缺陷的成因和克服办法。

简介：报道了用同步辐射X射线白光形貌术和光学显微法研究由助熔剂籽晶旋转法生长的LNP晶体的生长缺陷。本文除对晶体中的包裹物和位错缺陷等进行了详细观察描述外，还发现了一种比较奇特的腐蚀沟槽。最后分析了这些缺陷的成因和克服办法。

简介：文章通过描述美国核电行业开展商品级物项转化(CGD)的方法、美国核管会对商品级物项转化的态度,以及转化工作过程中发现的问题,讨论我国开展商品级物项转化工作的必要性和需要注意的问题.

简介：InthedischargeofEASTtokamak,itisobservedthat（2,1）neoclassicaltearingmode（NTM）istriggeredbymodecouplingwitha（1,1）internalmode.Usingsingularvaluedecomposition（SVD）methodforsoftX-rayemissionandforelectroncyclotronemission（ECE）,thecouplingspatialstructuresandcouplingprocessbetweenthesetwomodesareanalyzedindetail.TheresultsofSVDforECErevealthatthephasedifferencebetweenthesetwomodesequalstozero.Thisisconsistentwiththeperfectcouplingcondition.Finally,performingstatisticalanalysisofγ1/1,ζ1/1andω2/1,wefindthatγ1/1moreaccuratelyrepresentsthecouplingstrengththanζ1/1,andγ1/1isalsostronglyrelatedtothe（2,1）NTMtriggering,whereγ1/1isthewidthof（1,1）internalmode,ζ1/1istheperturbedamplitudeof（1,1）internalmode,andω2/1denotesthemagneticislandwidthof（2,1）NTM.

简介：LiGaO2与GaN的晶格失配率只有0．2％，是一很有潜力的蓝光衬底材料。本文利用化学侵蚀、光学显微镜、透射电子显微镜对晶体中的缺陷进行了分析，研究了生长参数、原料化学配比对晶体质量的影响及其和晶体中缺陷形成的关系。TEM分析表明，由于原料近非化学计量比挥发致使组份偏离，容易产生γ－Ga2O3包裹物。包裹物和位错形成具有一定的相互促进作用。X射线貌相分析发现提拉法生长LiGaO2晶体中易于形成平行于（001）面的亚晶界，这可能和其沿[001]方向的极性有关。

简介：红外吸收光谱表明样品中含片状和分散状分布的杂质氮，属Ia型金刚石。利用同步辐射对晶体进行了形貌学研究，在近完整晶体内近中心的（001）和（010）结晶学平面内观察到生长带，生长方向平行于（111）和（111）。在欠完整晶体内小角度晶界发育，取向角达2．5°以上。晶体完整性与氮含量无明显相关关系。

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简介：用X射线摇摆曲线和掠入射衍射、透射电镜、原子力显微镜等实验技术研究了MBE方法生长的Si缓冲层生长温度对SiGe／Si异质结结构的影响。结果表明，所研究的SiGe外延层晶格发生完全弛豫，但表面粗糙度和界面失配位错随Si缓冲层的生长温度而变化，最佳生长温度为450℃；缓冲层晶格应变是达到高质量SiGe外延层的主要原因。

简介：利用同步辐射掠入射和常规X射线衍射，对Si(001）衬底上自组织生长Ge量子点组分和应变进行了研究。结果表明量子点为50％应变驰豫的GeSi合金量子点，其Ge组分为0．55。此外在掠入射X射线衍射Si(220）峰的高角旁观察到另外一个峰，对应于量子点周围衬底中由成岛引起的压应变。

简介：低温下用MBE方法生长了Ge／Si超晶格。X射线近边吸收限精细结构研究表明，Ge与Si再Ge／Si界面处存在化学混合。X射线反射及横向散射研究表明，Ge亚层上下表面的粗糙度呈反对称，下表面大的粗糙度来源于Ge向Si亚层中扩散形成SiGe混合组分结构：这种组分结构可以用一平均成份的SiGe合金层加以拟合，从而使得各亚层均有一个合理的粗糙度。旋转样品进行的X射线散射研究表明，这种SiGe的混合是各向同性的，这与透射电子显微镜的研究结构相一致。

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简介：通过同步辐射扩展X射线吸收精细结构(SREXAFS)研究As超富集植物大叶井口边草(PteriscreticaL.)中As的化学形态及其在植物体中的转化。结果表明，在大叶井口边草中As主要与0配位，根部存在与GSH结合的As，但是在叶片中没有发现与GSH结合的As。在As(1lI)和As(V)处理中，植物根系的As分别以As(III)和As(V)为主，但是在叶柄和叶片中As都以As(III)的形态为主。植物根系吸收的As(v)在向上转运的过程中具有向As(III)转化的趋势，其转化过程主要发生在根部。实验证明，As-GSH并不是大叶井口边草中砷解毒的主要机理，超富集植物可能具有与一般耐性植物不同的重金属解毒机制。

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简介：秦山第二核电厂堆芯功率分布测量试验使用堆芯仪表系统（RIC系统）的4个移动微型裂变电离室入堆进行测量。由于制造公差以及探测器辐照历史不同等原因,4个微型裂变电离室的探测效率各不相同。为计算探测器之间探测效率的校刻因子,一般使用参考通道校刻法和交叉通道互校法。本文给出了几种校刻因子计算方法,并将所计算的校刻因子结果与法国CARIN程序校刻因子的计算结果进行了比对。

简介：本文介绍了同步辐射光源的特点，以及在应用于X射线形貌术时带来的各种好处。并通过介绍在北京同步辐射装置上所做的若干实验成果，扼要叙述了同步辐射X射线形貌术在晶体缺陷研究和晶体生长中的应用。

简介：StableoperatingregionintheHL-1Mtokamakhasbeenextendedbymeansofwallconditioning,corefuellingandcurrentcontroltechniques.Themechanismsoftheextensionareanalyzedinthispaper.Lithiumizationdiminishestheimpuritiesandhydrogenrecyclingtothelowestlevel.Afterlithiumizationahighdensityupto7×1019m-3wasobtainedeasilybystronggaspuffingwithordinaryohmicdischargealone.MoreattractivelywefoundthatmetalLi-coatingexhibitedtheeffectsofwallstabilization.Thelowqalimitwithhigherdensitywasextendedbyafactorof1.5～2incomparisonwiththatforboronization,and1.2forsiliconization.Siliconizationnotonlyextendedstableoperatingregionsignificantlybyitself,butalsoprovidedagoodtargetplasmaforotherexperimentsofraisingdensitylimit.Corefuellingschemesarefavourableespeciallyforsiliconizedwallwithahigherlevelofmedium-Zimpurity(Z=14).Aftersiliconizationthemaximumdensitynearto1020m-3wasachievedbyacombinationofsupersonicmoleculebeaminjectionandmultipelletinjection.ThenewdefinedslopeofHugilllimitillustratingmoreclearlythesituationunderlowqaandhighnedischargeswascreatedtoindicatethenewregionextendedbycombiningIpramp-upwithcorefuelling.TheslopewithalargeMurakamicoefficientincreasedbyafactorof50～60%.