简介:
简介:摘 要: 过去的几十年,无机半导体存储、光盘存储、磁盘存储等传统的信息存储器件得到了非常广泛的应用 ,但是随着器件集成度的提高以及存储密度、容量的增加,目前的信息存储材料及技术不能满足需求。在此背景下,具有良好加工性能、机械性能且成本低廉、可多层次存储的聚合物基信息存储材料成为了新一代分子级存储材料的研究对象 [1] 。聚酰亚胺(polyimide/PI)是一种新型的高性能特种工程塑料,其极耐高低温、优良的介电性能、机械强度高、热膨胀系数低、稳定的耐化学药品性等突出优点,使它在众多的聚合物材料中脱颖而出 [2] 。本课题拟用静电纺丝技术制备 MWNTs+TiO 2 /PI 复合纤维,通过炭化处理改变 MWNTs+TiO2 /PI 的表面态,进而研究纺丝炭化对复合薄膜电学性能的影响
简介:摘要 本文对张应变的 Si基外延 Ge上 NiGe薄膜的热稳定性以及 NiGe与外延 Ge接触的电学特性进行了研究。通过四探针等测试结果,表明张应变外延 Ge上 NiGe薄膜的热稳定性比 N型 c-Ge上 NiGe薄膜的热稳定性提高了 100oC,可能的原因是 NiGe薄膜与张应变的外延 Ge之间的晶格失配较小, NiGe薄膜所受到的应力较小。 I-V测试结果表明 NiGe与外延 Ge接触反向漏电流较大,器件整流比较小,势垒高度比 NiGe/c-Ge的势垒高度小。因此,要使 NiGe更好的应用于外延 Ge基的肖特基势垒源漏的 MOSFET中,还需要进一步提高外延 Ge质量。
简介:摘要:聚酯薄膜产品在使用过程中重点关注表观、性能两部分指标。生产过程中会伴随一些弊病或性能不达标现象。本文重点讨论 PET薄膜产生时,如何找出弊病源。