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  • 简介:微管道(MP)一直是SiC晶体中的主要缺陷。其它的结构缺陷有:位错,堆垛层错和本征点缺陷及其与杂质所形成的复合体。除高质量晶体外,具有平滑的、无缺陷表面的衬底对于生长出器件级高质量外延层也很关键。晶片加工过程中可能在衬底表面上感生出缺陷(例如划痕或亚表面损伤),它们对随后所生长的外延层及所制器件都有很不利的影响。

  • 标签: SIC晶体 结构缺陷 生产 衬底表面 堆垛层错 缺陷表面
  • 简介:德国Ⅵ系统公司宣布研制出第一个通过多模光纤数据传输速率达40吉比特/s(40Gbit/s)的单VCSEL(垂直腔发射激光器)。2009年1月份在美国加州SanJose召开的光子学会议上,该公司刚介绍了其20吉比特/s的器件,目前又使它的量子点激光器的调制速率提高了1倍。该公司利用其VCSEL和PIN光探测组件实现了通过多模光纤的40吉比特/s连续传输,这是850hm(波长)光发射的刨记录器件,是用与20吉比特/sVCSEL相同的光刻掩模研制的,但对外延结构作了改进。这种器件设计利用GaAs量子阱中的InAs量子点,并嵌入到AlGaAs基体中。

  • 标签: 垂直腔面发射激光器 量子点激光器 吉比特 数据传输速率 ALGAAS INAS量子点