简介：采用水热法成功合成了ZnO纳米带。XRD谱表明该条带为六方晶系结构。格点对称群为P63mc（186），格点参数a=3．249A，c=5.5052A。SEM图表明该ZnO纳米带的长度大约为50μm、宽度为50-300nm。TEM图像表明该样品的生长方向为（0001）。详细地介绍了合成ZnO纳米板条的实验过程及生长机理。

简介：介绍了制备纳米无机材料的电爆炸制粉技术。电爆炸方法制备纳米无机材料的生产技术因具有工艺简单、产量高，无环境污染，低能耗，产品纯度高等特点，在国内外得到广泛应用。

简介：纳米沸石的合成通常以水热法为主，此外尚有模板法、气固相法和微波加热法等不同方法合成的范例。低聚合度硅源、较高的碱度、较低的固液比和硅铝比、较低的晶化温度、合适的添加剂类型以及较高的添加剂用量有助于纳米沸石的形成；无钠碱源形成分立的纳米沸石胶体，有钠碱源形成聚集态纳米沸石。

简介：综述了国内外合成纳米ZnO的技术方法，并对各种方法的优缺点进行了述评，最后提出了今后的工作中所要解决的问题。

简介：在苯胺单体作为保护剂的条件下，用乙醇还原氯铂酸水溶液，制备了铂胶体；通过进一步加入氧化剂（过硫酸铵）和质子酸（盐酸）对苯胺进行掺杂，合成了导电聚苯胺稳定的纳米铂。采用透射电镜（TEM）和紫外可见光谱（UV-Vis）研究了整个合成过程，并采用循环伏安法对合成的纳米铂进行了电性能表征。结果表明，聚苯胺对铂粒子有很好的稳定作用，制备的纳米铂直径小于10nm，具有优异的电催化性能，在作为燃料电池电催化剂方面有着很好的应用前景。

简介：

简介：通过正交实验法，研究了直接沉淀法合成纳米氧化镁的诸因素对粒径和收率的影响。结果表明，在有表面活性剂TX-10的条件下，最佳反应物浓度MgCl2为1．2mol／L、NH3·H2O为0．2mol／L。反应温度为45℃。反应配比MgCl2∶NH3·H2O为1∶10，表面活性剂量为1．5‰和反应时间为25min时，得到的纳米氧化镁分散性好、收率高、粒径小且均匀。

简介：采用气相传输法,以金膜为催化剂,氧化锌和石墨混合粉末为锌源,制备氧化锌纳米材料。研究获得氧化锌纳米线的光致发光性能。初步探索了氧化锌纳米线的生长机理。实验结果表明,当衬底温度为600℃时,金颗粒的催化性能得到了较好的发挥,形成长度大于10μm,直径小于80nm的均匀致密的氧化锌纳米线膜。这种氧化锌纳米线具有紫外发光特性。低于600℃时,锌氧蒸汽发生了自凝结,进而在金颗粒间隙形成氧化锌带(400℃时),或在金颗粒上吸附聚集形成花状氧化锌纳米棒(200℃时)。而在高于600℃时,金颗粒析出的锌迅速挥发或氧化、长大,出现了稀疏的针状氧化锌和颗粒。氧化锌纳米线可能的生长模式为"底端生长"模式。

简介：以氯化镁和氨水为原料。进行各种工艺条件的试验，在此基础上通过加入各种分散剂获得过滤、洗涤性能良好的氢氧化镁沉淀，并加一定的CaCl2作为添加剂大大提高了产品的收率。根据试验得到最佳的工艺条件，制备出纯度高、成本低的纳米氢氧化镁.

简介：土壤和地下水的憎水有机碳化物（HOCs）污染通常是由于储藏罐的泄漏、溢出或不正当的垃圾处理方法造成的。一旦进入土壤基质中，HOCs就会产生溶解的污染物。例如，经常可以在煤焦油垃圾点附近的地下水中发现多环芳烃（PAHs）。对被污染的土壤和地下水经常采用下述补救措施：利用水井或排水道将地下水抽出，然后再对抽出的水进行处理，这种方法称为“抽出处理法”。

简介：本文研究了采用气相燃烧法合成纳米二氧化硅的技术，得出了反应温度对二氧化硅颗粒形貌及四氯化硅进料量对二氧化硅产品性能的影响规律，研制出了可控的纳米级气相白炭黑。

简介：

简介：用沉淀法制得SiO2-WO3纳米粉体,按不同比例进行掺杂,对其进行了XRD物相分析,以TEM观察其形貌并测得平均粒径,结果表明,沉淀法可获得单斜晶系和三斜晶系共存的WO3纳米粉体,晶粒尺寸随SiO2掺杂量增加而减小,所得粉体粒径范围20-30nm,粒度均匀.

简介：日本产业技术综合研究所开发出了高效、低成本合成纯度比用以前方法高2000倍以上的单层碳纳米管(SWNT)的技术。用该技术可在10min内制成比目前产品长500倍(2．5mm)的SWNT。据说可将SWNT的价格降低到原来的(10万日元/g)数百分之一以下。

简介：

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简介：纳米FeOOH是利用FeSO4与NaOH溶液混合,用NaClO3氧化制备晶种,然后继续加入FeSO4溶液和铁屑,用NaClO3逐渐氧化,使晶种长大,从而制得纳米FeOOH的针状粒子。经过X射线分析该样为α-FeOOH;经电镜分析其粒径约为20nm,长度约为200nm。

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简介：以纳米催化剂ZnO合成油酸改性萜烯马来酐乙二醇酯,并以常用的多种催化剂进行对比研究,发现纳米催化剂比普通催化剂活性效果好。其最佳用量为1.5～2.0%,反应时间8h,反应温度为190～200℃。

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