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Kyma推出非极性和半极性GaN衬底

作者：陈裕权
学科：电子电信 > 物理电子学
创建时间：2006-04-14
出处：《半导体信息》 2006年第4期

简介：
标签： GAN Kyma 半绝缘发光二极管紫外激光雪崩光电二极管

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在Si衬底上生长高品质GaN膜

作者：陈裕权
学科：电子电信 > 物理电子学
创建时间：2003-03-13
出处：《半导体信息》 2003年第3期

简介：<正>Berkeley实验室的研究人员在Si衬底上采用氮化铪(H_fN)中间层生长出优良结构和光学质量的GaN膜。这些研究人员还建立了在Si上淀积H_fN和在H_fN上淀积GaN的工艺参数。用Si衬底而不用蓝宝石衬底来生长GaN提供了很大的成本优势,并提供了GaN基器件与常规Si电子器件单片集成的可能性。
标签： GAN 氮化铪淀积 BERKELEY 光学质量工艺参数

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Parker Vision推出硅基数字功率放大器

作者：陈裕权
学科：电子电信 > 物理电子学
创建时间：2006-02-12
出处：《半导体信息》 2006年第2期

简介：
标签： Parker VISION 矢量功率模拟集成电路半导体工艺收发机

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