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7 个结果
  • 简介:为研究热场致电子发射过程中复杂的非线性空间电荷限制效应和阴极表面电场的瞬态物理过程及特性,基于通用积分形式的热场致电子发射电流密度理论,建立了平板二极管的静电粒子模拟物理模型,以热场致电子发射阴极为边界,模拟获得了热场致发射阴极表面电场的瞬态时间响应曲线。研究结果表明,热场致电子发射过程中,阴极表面电场在皮秒量级时间尺度上呈现为振荡过程,振荡波形特征受二极管间隙距离、阴极材料、逸出功等几何参数和外加电场、温度等运行参数影响;振荡后,二极管阴极表面电场将达到稳定状态,模拟得到的稳态电场与理论分析结果相符;二极管热场致电子发射的外加电场和温度一定时,逸出功越大,阴极表面稳态电场强度越大;二极管阴极材料和外加电场一定时,阴极表面稳态电场强度取决于阴极表面的温度,随温度的升高稳态电场强度呈非线性下降。

  • 标签: 热场致电子发射 阴极表面电场 瞬态响应 粒子模拟
  • 简介:针对红外探测器在空间应用中受高能粒子辐照后性能衰退的问题,利用电子束辐照实验,开展了位移损伤对HgCdTe材料红外透射光谱影响的研究.通过对比辐照前后材料的性能变化,结合光在材料中的传播过程及半导体辐射效应理论,分析了位移损伤对HgCdTe材料红外透射光谱的影响机制.结果表明:HgCdTe材料经电子辐照后,红外透射光谱发生衰退,衰退的幅度随辐照注量的增大而增大,且短波方向上的衰退幅度大于长波方向上的衰退幅度.该工作可为深入开展HgCdTe红外探测器辐射损伤效应及损伤机理的研究提供参考.

  • 标签: HGCDTE材料 红外透射光谱 电子辐照 位移损伤
  • 简介:为研究空间用四结太阳电池中InGaAsP/InGaAs子电池在电子辐照条件下的性能衰退情况,对InGaAsP/InGaAs双结电池开展了1MeV电子辐照试验,测试了辐照前后的电学参数和量子效率,分析讨论了参数退化情况.结果表明:随着电子注量和位移损伤剂量的增加,电池性能参数退化程度逐渐加大;由位移损伤缺陷导致的载流子寿命减小,是导致电池短路电流和开路电压下降的主要原因;InGaAsP/InGaAs双结电池基区损伤比发射区损伤更加严重,因此,提高其抗辐射能力的关键在于优化基区结构.

  • 标签: InGaAsP/InGaAs子电池 转换效率 量子效率 电子辐照 位移损伤
  • 简介:为了满足我国正在建设的白光中子源(whiteneutronsource,WNS)需求,设计了具有共性化架构的C6D6谱仪读出电子学系统。该系统基于波形数字化技术和PXIe平台,实现对γ能谱和中子飞行时间的测量。介绍了系统设计方案,详细阐述了信号调理模块、时间测量、PXIe平台及相关软件的设计与实现,并开展了系统性能测试和联调实验。测量结果表明:该系统能够正确获得测量数据,满足了白光中子源的首批实验需求。

  • 标签: C6D6探测器 波形数字化 信号调理 PXIe平台
  • 简介:介绍了微结构半导体中子探测器的原理,从微结构形式、制作工艺、理论模拟及实验研究等方面综述了微结构半导体中子探测器近年来的研究进展。可以看出,微结构半导体中子探测器结构、参数、中子转换材料填充密度及甄别阀大小等因素对中子探测效率有影响。微结构半导体中子探测器具有中子探测效率高、体积小、时间响应快、工作偏压低等优点,是替代^3He正比计数管的理想器件。

  • 标签: 半导体 中子探测 微结构 替代^3He
  • 简介:随着经济的发展和职业教育改革的不断深入,对中职专业课提出了更高的要求。根据中职学生的实际以及中职生的特点,为了激发中职校电子专业学生的学习兴趣,提高中职校电子专业学生的综合职业素质和能力,在《电子产品工艺与装配》课程教学中采用了行动导向教学法。本文以音乐门铃装配制作为例,介绍了行动导向教学法在音乐门铃装配制作教学过程中的实践,以及实践行动导向教学的效果和学生过程性学习的评价。

  • 标签: 行动导向 教学过程 综合职业能力 实践
  • 简介:基于方波的傅里叶级数理论,设计了一种双层同轴结构的方波快脉冲直线变压器驱动源(fastlineartransformerdriver,FLTD)模块。依据20kJ-KrF准分子激光驱动源的参数要求,估算了放电支路、磁芯以及FLTD次级参数。设计的方波FLTD模块直径为2.6m,高度为0.23m,含36个主放电支路、16个3次谐波放电支路和8个5次谐波放电支路。建立了方波FLTDPSPICE电路模型,模拟结果表明,FLTD模块输出为近似方波,电流峰值为950kA,上升时间为46ns,90%峰值的平顶宽度为217ns。

  • 标签: 直线变压器驱动源 方波脉冲 谐波支路 双层同轴结构