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微结构半导体中子探测器研究进展

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摘要介绍了微结构半导体中子探测器的原理,从微结构形式、制作工艺、理论模拟及实验研究等方面综述了微结构半导体中子探测器近年来的研究进展。可以看出,微结构半导体中子探测器结构、参数、中子转换材料填充密度及甄别阀大小等因素对中子探测效率有影响。微结构半导体中子探测器具有中子探测效率高、体积小、时间响应快、工作偏压低等优点,是替代^3He正比计数管的理想器件。

DOI pj0kzqoy4y/1754351

作者李振;沈志辉;甘雷

机构地区不详

出处《现代应用物理》 2017年2期

关键词半导体中子探测微结构替代^3He

分类 [理学][物理]

出版日期 2017年02月12日（中国期刊网平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

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