简介：利用复变函数保角变换,将平行轴圆柱形电阻器变换为同轴圆柱形电阻器,并对电阻进行了计算和详细讨论

简介：当用于含能材料的表面涂层时，ParyleneC涂层优良的电绝缘性能，使得涂层后的炸药表面容易产生静电积累，因此可能会降低炸药的静电安全性。通过试验初步考核了ParyleneC涂层后炸药的静电摩擦感度，并与未涂层炸药以及带聚氨酯复合涂层的炸药进行对比。实验简易装置如图1所示。

简介：硬度是物质受压变形程度或抗刺穿能力的一种物理度量方式，它是硫化橡胶最基本的物理性能之一，橡胶的硬度与定伸应力、撕裂强度、弹性、压缩永久变形和模量等物理性能密切相关。利用相同的配方制备了多组密度相近、硬度不同的硅橡胶泡沫试样，研究了硬度对材料压缩应力-应变（σ-ε）N线，0．32MPa下的应变值（ε0.32），0．1MPa和0．32MPa下的应变差（δ1），0．32MPa和1．0MPa下应变差（易）等压缩性能的影响。

简介：牛顿环实验中确定最佳测量环数是实验和计算的一个重要方面，本文首先确定实验要求的相对误差，然后运用误差理论得到最佳测量环数，其结果与文献采用的方法相一致。该方法的结果是简化测量和计算工作量的有效方法，提供了物理实验测量和计算理论分析的一种方法。

简介：运用等离子喷涂技术制备多层屏蔽复合涂层，根据钽、钨、锡材料的物理特性及工艺特点，分别设计了自动喷涂工艺，既保证了涂层的性能，又提高了喷涂工艺的重复性；在喷涂区域使用氩气保护装置制造局部隋性气氛，简便有效地控制了涂层材料在高温等离子体喷射过程中的氧化：综合使用温度测试、力学拉伸、金相组织及化学成分等分析方法，综合考虑优化喷涂功率、喷涂距离等喷涂参数对基体温度、涂层中氧化物含量、涂层密度的影响，优化喷涂工艺参数，制备出厚度均匀、绢织致密的Ta／W/Sn复合涂层。

简介：随着机械装置向结构复杂化发展，常需要对复杂装置的层间挤压应力等接触应力进行研究，这需要利用薄型挤压应力传感器来进行接触测量。进行层间接触测量的传感器不但应具备良好的应力敏感特性，而且应具有优良的柔韧力学性能，选用高导电纳米炭黑、球形石墨为导电粒子，硅橡胶、天然橡胶为基材开展了颗粒填充型导电高分子复合材料的配方工艺优化研究、薄膜制备及均匀性控制方法研究及感压复合材料薄膜的压力一电阻关系研究。

简介：运用配置法讨论两无限长平行圆柱形带电导体周围的静电场,导出其电势及导体表面的电荷面密度,计算两导体系统的单位长度电容

简介：目的:开口圆柱壳作为板壳组合结构的组成部分被广泛应用于工程实践中。本文探讨开口圆柱壳结构参数(长度、半径、厚度和夹角等)和边界条件对其振动特性的影响,这对工程结构的减振设计具有重要意义。通过推导开口圆柱壳的解析解及其求解过程,建立加筋开口圆柱壳和板-壳耦合模型振动分析的理论基础。创新点:1.推导行波与驻波结合形式的解析解;2.建立回传射线矩阵法分析开口圆柱壳结构振动的流程;3.分析得到大模态数下开口圆柱壳固有频率随壳厚线性变化;直边简支时,曲边边界条件对固有频率影响不大。方法:1.基于Donnell-Mushtari-Vlasov(DMV)薄壳理论,推导两对边简支的开口圆柱壳行波与驻波结合形式的解析解;2.基于回传射线矩阵法原理,推导出开口圆柱壳的固有频率方程;3.采用黄金分割法求解开口圆柱壳的固有频率方程,得到精确的固有频率;4.分析开口圆柱壳不同结构参数和边界条件对固有频率的影响。结论:1.回传射线矩阵法适用于开口圆柱壳的振动分析且具有很高的精度;2.开口圆柱壳的固有频率随其长度的增加而减小;3.对于绝大部分模态数,开口圆柱壳的固有频率随其半径的增加而减小;4.开口圆柱壳的固有频率随壳厚的增加而增加,当周向模态数n=1和2时,不同壳厚的开口圆柱壳固有频率相差很小,当周向模态数n≥7时,开口圆柱壳的固有频率随壳厚线性变化;5.对于绝大多数模态数,开口圆柱壳的固有频率随夹角的增大而快速减小;6.对于两曲边简支的开口圆柱壳,其固有频率从高到低对应两直边的边界条件为固支、简支和自由;7.对于两直边简支的开口圆柱壳,两曲边的边界条件对其固有频率的影响不大。

简介：以水下爆炸过程中冲击波载荷经验计算公式为参考依据,对水下爆炸的冲击波过程进行分析,采用ABAQUS软件分别利用单双层圆柱壳体结构模型对潜艇的舱段进行模拟,分析了这两种结构在爆炸载荷作用下的异同,得到了单双层壳体受到水下爆炸作用后的壳体肋骨变形示意图。计算结果表明：双层壳结构的抗爆能力大于单层壳结构,非耐压壳抵御了较多的冲击波载荷,使得耐压壳得到了较好的保护。

简介：为了分析高能激光对鳞片石墨改性酚醛树脂涂层的损伤机理,本文采用激光辐照方法研究激光对该涂层的损伤过程。首先,制备出纯酚醛树脂涂层和鳞片石墨改性酚醛树脂涂层,使用不同的激光参数进行激光辐照实验,根据损伤区域形貌和损伤面积分析鳞片石墨的对涂层的改性作用,分析损伤区域微观形貌和内部残炭的石墨化程度,通过对损伤中心进行三维成像来分析烧蚀凹坑的尺寸与烧蚀深度。最后,根据不同颜基比涂层在激光辐照过程中损伤区域的面积和显微形貌,分析了颜基比对激光损伤涂层过程的影响。分析结果表明：酚醛树脂经激光辐照后会裂解生成石墨化程度不同的残炭,经鳞片石墨添加改性后,损伤区域的面积相比于纯酚醛树脂涂层最大可增加35mm2。由此可知鳞片石墨的添加改性增强了涂层的横向散热能力,但过高的颜基比会使具有粘附作用的残炭生成量减少,进而导致鳞片石墨脱落明显,涂层损伤严重。

简介：用纳米结构粉末做喂料进行喷涂，缩短了颗粒熔化时间，在有限的飞行时间内，颗粒熔化效果更好，从而制备的涂层孔隙率更小，表面更平整。用ZrO2纳米结构喂料制备了等离子喷涂层，研究了功率、粒度、氧化钇含量等工艺参数条件下涂层的微观组织、孔隙率、相组成及抗热震性能。经X衍射分析表明，原始粉末由m-ZrO2,t-ZrO2,c-ZrO2构成，单斜相的含量为11％，主要由四方相和立方相构成。

简介：主要进行了金相光学显微组织观察和SEM观察，分析了针状组织的形貌特点。同时对组织长大过程中出现的合并和碰撞等现象做了相应的讨论。根据SEM观察结果，讨论了针状铁素体组织在夹杂物和晶界处形核的特点。最后给出了针状组织维L~（Vickers）硬度的测量结果和评价。

简介：用激光照射牛顿半环来演示薄膜台阶的等厚干涉现象和测定薄膜厚度。

简介：对牛顿环实验中干涉宽度的变化对测量过程中各种物理量的影响进行分析，提出了牛顿环实验数据处理方法，找到了减小测量误差钧途径。

简介：锁相环路(PLL)是一个能够跟踪输入信号相位的闭环自动控制系统，具有载波跟踪特性，可以提取淹没在噪声中的信号。锁相环可分为全数字锁相和取样锁相环。其中取样锁相环为数模混合锁相环路，又可分为分谐波采样锁相环和分频式锁相环。分频式锁相环具有较高的稳定度、较低的相位噪声和易于集成等优点，而分谐波采样锁相环还可以提供更低的相位噪声，它们在通信技术中都有着广泛的应用。

简介：界面氧化是热障涂层剥落失效的重要因素,基于粗糙界面热障涂层应力场的有限元分析方法与裂纹开裂准则,采用蒙特卡罗可靠性算法分析了界面氧化开裂概率。在此基础上,利用敏感性因子分析了各参数对热障涂层可靠性的影响,发现：开裂概率随界面振幅、TGO厚度、杨氏模量、热膨胀系数差和温度差的增大而增大,随着界面波长和断裂韧性的增大而减少。因此,减少热膨胀系数失配、温度差以及TGO厚度是提高界面氧化开裂寿命的可行方法。

简介：激光焊接是利用激光熔化母材本身金属来填充焊缝，因此激光焊缝表面没有余高，并有少许凹陷，由于构件结构的特殊性，有关技术要求焊缝的焊接深度仅为16mm，焊缝宽度不得大于6mm，而实际上焊缝区域的母材厚度约为6-12．5mm变化，焊缝尺寸相对于母材厚度很小，造成焊缝在底片上形成的影像不明显。简体内部密封并以其他材料填充，在进行射线检测时射线不可能采取双壁单影法透照对焊缝实施检测，只能采用单壁单影的透照方法。另外，靠近简体内侧加工有工艺弧度，在射线透射方向上母材厚度有很大变化，

简介：研究了ENT800、R10K、QP160共3种铁氧体磁环在高空核电磁脉冲（high-altitudeelectromagneticpulse，HEMP）传导防护中的应用性能，分析了磁环HEMP传导特性与磁环本身特性的关系。通过分析HEMP传导电流的能量谱与传导电流脉冲前沿的主要能量集中频段对应的磁环复相对磁导率，得出磁环相对磁导率对HEMP传导电流峰值的抑制规律以及相对磁导率的实部随HEMP传导电流脉冲前沿的变化规律。

简介：牛顿环具有反射式和透射式干涉环,透射式干涉环对比度不高,实验效果差,文章对牛顿环装置进行了镀膜处理,研究了薄膜对透射式牛顿环的影响,结果表明,反射率为20%及40%的单侧薄膜均能很好地提高透射式牛顿环的对比度,且对比度随着单侧薄膜反射率的增加而提高,反射率为20%的双侧膜所获得的牛顿环对比度要优于反射率为40%的单侧膜.研究改善了透射式牛顿环实验的观察效果,提高了测量精度,为牛顿环实验装置提供了更好的观察环境.

简介：探讨用等离子体喷涂方法制备降低较高强度材料与U-Nb合金之间的摩擦性能的减磨层的可行性以及这些减磨层的摩擦特性。选用Sn为软涂层，ZrO2为硬涂层。采用SulzerMETCO9M等离子体喷涂机制备了Sn单层、ZrO2单层、Sn／ZrO2双层、Sn+ZrO2混合层等4种涂层。利用CSEM型销盘型摩擦磨损试验机分析了半径为3mm的U-Nb合金对偶销在涂层上滑动时的干摩擦特性，滑动速度分别为0．42，6．4，26．16cm／s。涂层为典型的等离子体喷涂涂层形貌。表面为Sn的涂层颗粒熔合状况和致密性比ZrO2单层好，其粗糙度低，Sn+ZrO2混合涂层表面形貌与ZrO2单层相近。Sn和ZrO2分别以bcc结构的Sn和四方结构ZrO2结构存在。