简介：由于PDs0I工艺平台的特殊性，P阱浓度呈现表面低、靠近埋氧高的梯度掺杂。常规体硅的高压N管结构是整个有源区在P阱里的，需要用高能量和大剂量的P注入工艺将漂移区的P阱反型掺杂，这在工艺上是不容易实现的。文章针对常规高压NMOS器件做了仿真，发现漂移区必须采用能量高达180KeV、剂量6×10^13以上的P注入才能将P阱反型，形成高压NMOS器件，这在工艺实现上不太容易。而采用漂移区在N阱里的新结构，可以避免将P阱上漂移区反型的注入工艺，在工艺上容易实现。通过工艺流片验证，器件特性良好。

简介：

简介：作为一家为整机厂提供配套产品的企业，必须及时响应客户的需求，并提前在技术和工艺方面进行部署和准备。

简介：系统的介绍了ZJL02型管路清洗机的构造、用途和使用方法,该工艺装备适用于铁路机车车辆、汽车、消防车、石油机械、化工设备等行业.投入使用后能使机械净化工艺创新,整体机械设备的内在质量能大幅度提高,有利于环保事业,性能价格比突出.

简介：本文介绍了锅炉酸洗的安全要求、清洗回路的设置、清洗前的准备工作、清洗流程及药剂配制、清洗过程监督检测控制、废液排放处理、安全措施、清洗质量验收等清洗工艺措施,保证了清洗质量.

简介：本书主要概述了现代电子制造技术与SMT的特点及安装SMT材料、工艺、设备、管理及SMT热门技术。

简介：序言近几年来电子装联工艺引入了许多替代ODS的新型清洗工艺,其中广泛使用的主要有三种:(1)使用免清洗或低残渣焊剂,在这一工艺中印制版路组件不需要清洗;(2)水清洗,在这一工艺中印制电路组件用水和一些附加物进行清洗;(3)替代CFC的清洗材料,在这一印制电路组件工艺中使用无CFC成分的化学溶剂来清洗.

简介：在使用表面贴装元件的印刷电路板（PCB）装配中，要得到优质的焊点，良好的锡膏印刷是最重要的因素之一。锡膏印刷是SMT整个工艺中的第一个工程，也可能是最难控制的一个工艺程序。本文就SMT的焊接工艺作出说明，其中的内容有回流炉的分类，各种回流焊接技术，回流炉的特性参数，主要谈论回流温度曲线的设定。

简介：本文介绍有关水基清洗剂的水洗设备,水基清洗剂的漂洗设备、漂洗工艺,水基清洗的分析和监测系统,以及药品浓度控制系统的改进措施.

简介：POP芯片堆叠技术，是现代电子信息产品为提高逻辑运算功能和存储空间而发展起来的一种新的高密度组装形式。本文主要从设备技术的角度分析总结POP绷装工艺实现过程中的问题与对策。重点讨论了POP组装过程中主要工序工艺参数优化方法和范围，探讨了工艺过程控制中应关注的问题，这些都是确保POP芯片堆叠成功率的关键。

简介：机载、星载、舰载相控阵雷达由于其特定的使用环境,需要体积小、重量轻、高性能、高可靠、低成本的微波组件。带腔体LTCC基板具有高密度布线、电阻、电容、电感的内埋以及芯片的埋置等特性,是制作机载、星载、舰载相控阵雷达微波组件理想的高密度基板。针对带腔体LTCC集成基板的制造技术,简单介绍其工艺流程,并对腔体成型这项关键工艺进行了分析,提出了相应的解决方法。

简介：BGA（ballgridarray）球栅阵列封装技术是20世纪90年代以后发展起来的一种先进的高性能封装技术，是一种用于多引脚器件与电路的封装技术。BGA最大的特点就是采用焊球作为引脚，这不仅提高了封装密度，也提高了封装性能。而植球工艺作为BGA封装中的关键工艺将会直接影响器件与电路的性能及可靠性。影响BGA植球工艺的主要因素有：植球材料、植球工艺及回流焊工艺。文章通过对BGA植球的基板、焊膏／助焊剂、焊球等材料的详细介绍，详实阐述了植球工艺过程，并对BGA后处理的回流焊工艺进行了详细描述，提供了BGA植球工艺的检测方法，对植球工艺的可靠性进行了探讨。

简介：摘要本实验是参照国内某钢厂热处理中心而设计的大型综合热处理车间，其典型产品材料为W18Cr4V高合金工具钢。该设计主要以W18Cr4V高合金工具钢制作拉刀为例，介绍了其热处理工艺流程和工艺参数，并说明了热处理过程中材料组织、结构及性能的变化。对企业现行高速钢退火工艺进行试验研究，制定了高速钢最佳退火工艺，并在实际生产中进行实施。实际生产验证新退火工艺是可行的，它解决了退火后锻件硬度高于工艺规定的质量问题，提高了产品质量，节约了能源。

简介：清洗技术受到全球和地区相关行业上下游技术的影响,并随其不断发展.清洗技术因地而异,不同国家和地区之间的清洗工艺存在一定差别,而这些差别主要是由地方市场因素和法律因素决定的.

简介：本文介绍了应用于金属互联工艺的ARC(抗反射层或防反射层)技术.通过对抗反射层基本原理的说明,结合工艺实验,深刻地理解ARC技术.最后给出了可以用于0.5μm工艺生产的ARC结构及用于衡量ARC性能的参数.

简介：无铅技术带来的改变和影响，在材料上，尤其是焊料上的变化最大。而在工艺方面，影响最大的是焊接工艺。这主要来自焊料合金的特性以及相应助焊剂的不同所造成的。

简介：摘要材料组织的细化处理是同时提高材料强度和韧性最为有效途径。细晶钢能改善并提高钢材低温脆断能力。细化晶粒已成为非常重要的强韧化手段，通过细化奥氏体晶粒从而细化马氏体束尺寸，从而提高钢的强度和韧性，还可以改善钢的耐延迟断裂性能和抗疲劳性能；随着超细晶粒或超细组织的形成，屈服强度大幅度提高，细晶技术已是提高材料强韧性的首选途径。

简介：文章通过对多晶薄膜的性质和多晶电阻形成工艺的稳定性研究，剖析在生产过程中三种形成多晶电阻主要工艺的波动情况，并对形成工艺波动的原因和控制方法进行了讨论。同时对于采取控制方法以后的多晶电阻的工艺情况进行分析，证明提高多晶电阻制造工艺稳定性必须提高多晶淀积和离子注入工艺能力，以及如何提高多晶淀积和离子注入的受控。最后对采取控制措施后的多晶电阻的改善效果进行回顾，说明离子注入工艺采取除气和多晶淀积隔片放置方式有效地提高了多晶电阻工艺的稳定性。

简介：SiC（碳化趟材料作为第三代半导体材料，具有高结温、高临界击穿电压、高热导率等特点，因此，SiC材料有利于实现功率模块的小型化并提高功率模块的高温性能。基于此，同时为了实现模块的自主可控化，将Si模块中的Si二极管用自主SiC二极管进行替代，制作SiC混合功率模块。主要介绍混合功率模块封装工艺的关键工序：回流、铝线键合、点胶、灌胶。

简介：TSMC于美西时间13日在美国加州圣荷西市举行技术研讨会，会中宣布将跳过22nm工艺，直接发展20nm工艺。此系基于“为客户创造价值”而作的决定，提供客户一个更可行的先进工艺选择。