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  • 简介:脉冲电晕等离子体处理烟道废气(PPCP法)属于干法脱硫;流程简单;能同时脱硫脱硝;产物是肥料,可实现资源的循环利用;无二次污染;工程造价和运行成本低等优点。但由于脉冲电晕等离子体反应在短脉冲电压的作用下阻抗变化的复杂性,使得脉冲能量难以有效注入反应,导致能量注入效率低和脉冲电源关键器件的寿命缩短,因此,研究能量注入效率非常重要。

  • 标签: 等离子体反应器 注入效率 脉冲能量 脉冲电晕 等离子体处理 干法脱硫
  • 简介:介绍了固相反法制备高温超导材料钇钡铜氧(YBCO)的实验方法,并研究了YBCO样品制备过程中不同烧结时间对样品的超导转变温度Tc及超导转变宽度ΔTc的影响。给出了实验过程中合适的烧结温度和烧结时间的参考值。

  • 标签: 固相反应法 高温超导 YBCO 超导转变温度Tc
  • 简介:絮凝微滤组合(简称CMF工艺)是我所开发出的含锕系元素废水处理优良工艺,并对^241Am,^238U,^235U,^239Pu废水处理中得到应用。同时开展了膜分离技术处理含裂变核素废水的实验研究。在上述研究成果及已建立的固定装置基础上,研发小型化可移动式放射性废水处理装置。可移动式废水处理系统可对含^238U,^239Pu,^241Am低放废水及含裂片核素(主要为^90Sr、^137Cs)低放废水(放射性总活度小于4×10^4Bq/L、总固体含量小于10mg/L)进行处理,处理能力0.5m^3/h,每次处理水量不大于100m^3,

  • 标签: 废水处理装置 工艺实验 可移动式 膜反应器 ^241AM ^239Pu
  • 简介:通过浸渍法在中孔γ-Al2O3膜上制备出V-P-Co-Ce-O多组分金属氧化物催化膜,将之应用于非燃料电池型催化膜反应并研究其可行性及正丁烷制顺丁烯二酐的反应特性。考察了反应温度、空速和吹好气流速对催化活性的影响,对膜反应的稳定性也进行了简单的测试。实验证明,与固定床相比,膜反应具有更高的反应转化率和选择性。

  • 标签: V-P-Co-Ce-O多组分金属氧化物催化膜 正丁烷 顺丁烯二酐
  • 简介:Ni/Al2O3催化剂上甲烷部分氧化制合成反应是在固定床流动反应装置上进行的。考察了催化剂的床层温度、反应压力、空速和原料配比对催化剂积炭产生的影响。实验结果表明,积炭速率随催化剂床层温度的升高而降低,当温度低于70℃时,积炭速率骤增:积炭总是发生在催化剂床层的下段;若空速超过3.0×105h-1,积炭速率随空速增加而明显降低。从FTIR实验结果可知,吸附在Ni/Al2O3催化剂表面上的CO,一部分歧化生成了CO2和C。综上所述,催化剂表面积炭主要来源于以下两个反应:2CO→C+CO2,CO+H2 =C+H2O

  • 标签: 甲烷氧化 合成气 积炭 炭生成反应
  • 简介:一种新型激光以1.4613113的X射线短波长发射出相干脉冲——在能源方面,这就是干电子伏系统。德国电子加速公司自由电子激光科学中心的NinaRohringer与其它研究人员在报道中称已发明了利用粒子数反转增益的高能激光

  • 标签: X射线激光器 化学反应 超快过程 利用 自由电子激光 控制
  • 简介:时尚是神秘与暧昧的,炫目的T台光影中,男人对于时尚的新奇和女人博爱的追随,

  • 标签: 服装 搭配方法 时尚性 皮草
  • 简介:TN36696031906测量大气中SO2浓度的光学传感及国产化=OpticalsensorsformeasuringairSO2concentrationanditsnationalization[刊,中]/孙金陵(郑州市环境保护监测中心.河南,郑州(450007))//仪器仪表与分析监测.-1995,(2).-21-24介绍了国外SO2监测仪中的光学传感的原理、结构和性能指标及国产化研究。该传感的国产化对发展我国的环境大气自动连续监测有着重要意义。参1(方舟)

  • 标签: 传感器技术 光学传感器 国产化研究 环境保护 自动连续监测 仪器仪表
  • 简介:基于功率MOSFET器件研制了一种能产生高压高速脉冲的发生装置.设计了由超高速运算放大器构成的宽频带放大器和MOSFET互补推挽驱动电路,分析了功率MOSFET器件的开关特性,并讨论了影响其工作速度及工作频率的因素.脉冲发生输出脉冲幅值最高可达-500V,前后沿时间均小于5ns.脉冲宽度和频率根据输入触发信号进行调节,触发延迟小于30ns,触发抖动小于500ps.

  • 标签: 脉冲发生器 高压脉冲 MOSFET 栅驱动
  • 简介:对用平均值代替瞬时值就可以用动力学的方法测定气垫导轨上的阻尼常数进行了理论分析,并指出该方法所得到的测量表达式与运动学测量方法表达式是等价的。

  • 标签: 气轨 阻尼常数 替代 动力学方法
  • 简介:针对卫星等特殊产品,采用竖立方式进行静平衡测量与校正是产品装配质量检验的重要环节。通常采用的摆架硬支承测力式结构,虽然可以达到很高精度,但侧面临滚动球轴承的磨损会影响精度,皮带张力和电机转速的波动构成同频或近频干扰,转子质量的增加导致摆架结构日益复杂等问题。气体静压支承具备粘滞系数极低、摩擦力矩极小、环保、结构简单等优势,研究将气体静压支承方法应用于立式转子的静平衡测量,取得了令人满意的结果。

  • 标签: 测量技术 转子 静平衡 气浮式 质量检验 产品装配
  • 简介:在高功率自由电子激光初级实验装置(CFEL)研究中,驱动激光直接照射光阴极而发射电子,其性能将在很大程度上决定注入乃至整个自由电子激光实验系统的性能:如电子束微脉冲宽度、电子束微脉冲流强、电子束微脉冲峰值抖动等。文中针对CFEL初期研究目标(3~8μm)对光阴极注入的要求,对光阴极RF腔注入的驱动激光进行了方案设计,提出了驱动激光的参数要求。根据方案进行了工程实施,购置了锁模激光和时间同步,放大与倍频系统正在研制当中。

  • 标签: 光阴极注入器 驱动激光器 实验装置 光阴极RF腔注入器 自由电子激光 实验系统
  • 简介:TN248.52003010215光泵腔式远红外激光的工作参数研究=StudyofoperatingparameterofanopticallypumpedcavityNH3far-infraredlaser[刊,中]/冉勇(荆州师范学院物理系.湖北,荆州(434104)),秦家银…//激光与红外.-2002,32(4).-245-247在研究光泵腔式NH3分子远红外激光频谱特性的基础上,应用量子系统的密度矩阵理论,采用迭代法和增益迭加原理计算了以TEACO2-10R(8)泵浦的NH3分子腔式远红外激光的最佳工作参数。提供了光泵腔式NH3分子远红外激光(腔式NH3-OPFIRL)的工作参数之间的关系曲线。图4参8(杨妹清)

  • 标签: 远红外激光器 化学激光器 腔式 密度矩阵理论 增益迭加原理 参数研究
  • 简介:低压化学相淀积(LPCVD)设备主要为微电子机械系统(MEMS)在硅基片上淀积Si3N4、Poly-Si(多晶硅)、SiO2薄膜。承担形成微传感和微执行的抗蚀层、结构层和牺牲层的加工任务。是MEMS技术中的主要生产工序之一,也可以用于集成电路钝化膜制备。

  • 标签: 低压化学气相淀积 微电子机械系统 硅基片 二氧化硅薄膜
  • 简介:TP212.142003032080基于CMOS图像传感的成像系统设计=ImagingsystemdesignbasedonCMOSimagesensors[刊,中]/宋勇(北京理工大学信息工程学院.北京(100081)),郝群…∥光学技术.—2002,28(3).—253-254,256以OV5116CMOS图像传感为例,讨论了基于CMOS图像传感的成像系统的电路设计方法及系统设计中应注意的问题;通过对CMOS图像传感外围电路的优化设计,实现了成像系统的微型化和轻量化。图2表1参5(方舟)

  • 标签: 图像传感器 集成传感器 成像系统设计 设计方法 优化设计 光学技术
  • 简介:TP2122004032130光波导三向力触觉传感技术中的二维与三维有限元模型分析=AnalysisofplanarandtriaxialFEAmodelinopticalwave-guidedthree-axistactilesensingtechnology[刊.中]/潘英俊(重庆大学光电技术及系统教育部重点实验室.重庆(400044)),刘嘉敏∥电子测量与仪器学报.—2003,17

  • 标签: 传感器系统 传感技术 金刚石膜 三向力 三维有限元模型分析 光波导
  • 简介:介绍PID控制的计算机仿真实验教学法。首先在Matlab中应用Simulink模块构建一个基于PID控制的自动控制系统。然后通过仿真运行系统,对系统的动态响应曲线进行观察和比较,分析了PID控制中比例、微分和积分各环节所起的作用。通过实验观察和分析,使学生对PID控制各环节的作用有了直观明确的认识,取得了良好的教学效果。

  • 标签: PID控制器 SIMULINK仿真 动态性能
  • 简介:注入设计过程中主要关注的指标有微脉冲束流强度、电子能量、电子束能散度、反轰功率和发射度等。为了满足自由电子激光研究的需要,要求峰值流强大于5A。由于热阴极微波电子枪存在电子反轰,束流负载效应将引起能散度的增加,因此为了降低能散度,要求尽量降低反轰。利用Suoerfish程序进行了腔形优化设计,分析了加速腔内的电场分布,计算了腔壁的损耗。利用Parmela程序进行了束流动力学计算。为了提高首腔的电子俘获系数,减小电子反轰,设计过场中采用了缩短首腔长度,

  • 标签: 注入器 FEL 动力学计算 束流强度 自由电子激光 设计过程
  • 简介:利用5V数字逻辑电路、多种高低压高速金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)及8路3级驱动电路,逐步提升MOSFET管的能力。利用输入触发信号控制产生具有一定时序关系的8路初级驱动信号,再经过次级驱动电路,提升为8路中高压驱动信号,加速输出级开关,产生高性能的双极性门控信号。该门控脉冲发生工作电源电压为12V,输出电压为50~-200V,输出脉冲前后沿均为1.5ns,输出信号的脉冲宽度由输入信号控制调节,可在最小输出脉冲宽度3ns至直流信号之间变化。脉冲工作时,最大重频为3.3MHz,固有延迟为50ns,触发晃动小于0.2ns,体积为86mm×43mm×23mm。

  • 标签: 像增强器 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET) 阴极门控发生器