简介：1呋咱类化合物的合成含呋咱（氧化呋咱）环的含能化合物具有许多优异的炸药性能：标准生成焓高，富含氮氧，能量密度高，分子稳定性好，熔点较低。3,4-二（硝基呋咱基）氧化呋咱（DNTF）威力大，能量高，接近CL-20，安全性能较HMX和CL-20好，在熔铸炸药、推进剂及柔性导爆索等领域有着广阔的应用前景。DNTF属第四代高能炸药。

简介：相变材料是一类特殊的材料，在发生相变的过程中，温度可以几乎保持恒定。利用这一特点，将一定量的相变材料与基体材料复合后制成相变复合材料，可用于军事目标诱饵。在使用中通过材料的相变释放潜热来补偿热量损失，从而消除或模糊诱饵与目标之间的温差，在军事伪装研究方面具有重要意义。此外，利用相变复合材料的这种吸热一放热现象，可以做成各种贮能装置，

简介：海泡石具有巨大比表面和独特的孔结构，且资源丰富，价格低廉，是一种新型的催化材料。叙述了海泡石的改性方法及其在催化中的应用情况，评述了它的研究进展和发展动向。参考文献３０篇。更多还原

简介：通用技术课程学习中的实践活动,它主要指分析与解决有关实际技术问题的思维活动或技术操作活动。所谓载体,在通用技术课程中,主要指技术事物或技术产品,即实践活动的对象。贯彻生活性原则是注重强化学生的生活技术意识,提倡简约性原则是注重促进学生对技术思想与方法的领悟与运用,遵循基础性原则是注重立足于学生的可行性实践,而渗透创造性原则是注重培养与发展学生的创造素质。

简介：采用液相外延工艺成功制备了Tb3+,YAGG单晶荧光层,研究了Tb,+激活YAG主晶格外延层中Ga3+掺杂的荧光敏化效应,可以看到在Tb"十荧光得到显著增强的同时,外延荧光层发光的饱和特性也有所改善。实验中观察到了Ga"十掺杂后基质晶体吸收边缘向长波方向展宽,并与Tb3+的’F。一,E、7E典型吸收峰发生交叠的现象,用

简介：O482.312002032290稀土铽配合物的升频转换荧光=Up-conversionfluorescencespectraofTb3+complexes[刊,中]/陈慰宗,杨一心,宋应谦,忽满得,高平安（西北大学物理系.陕西,西安（710068））//光子学报.-2001,30（8）.-970-972以波长为532nm的激光作为激发光,观测了铽（Tb）三种不同配合物的荧光光谱,讨论和分析了铽配合物的升频转换荧光的特性、发光机制及配体的影响。图

简介：O482.3199053412硅发光研究=Researchonsiliconluminescence[刊,中]/夏建白（中科院半导体所.北京（100083））//半导体学报.—1998,19（5）.—321—326介绍了目前已有的使硅发光的方法:掺深能级杂质,掺稀土离子、多孔硅、纳米硅以及Si/SiO2超晶格,讨论了两种可能的发光机制:量子限制效应和表面复合效应。最后介绍了两个硅发光器件,表明硅发光器件的前景是光明的。图9参15（方舟）O482.3199053413离子注入掺铒硅发光中心的光致发光研究=Photoluminescencestudyofluminescentcentersinerbium—implantedsilicon[刊,中]/雷红兵,杨沁清,王启明（中科院半导体所.北京（100083））,周必忠,肖方

简介：O482.3195021317P-GaP中离子注入缺陷的形成=Formationoftheion-implantationdefectinP—typeGaP[刊,中]/李宝军,张旭（甘肃教育学院物理系.甘肃,兰州（730000））//半导体光电.—1994,15（4）.—369—371研究了Zn+离子注入P—GaP半导体所引起的缺陷.在电流密度为0.03μA/Cm2下,将注入Zn+离子剂量为1×1014离子/厘米2的GaP样品腐蚀出蚀

简介：TB342002032291紫外光固化涂料的研究现状=ResearchstatusofUVcuringcoatings[刊,中]/白新德,查萍(清华大学材料科学与工程系.北京(100084)),尹应武(清华大学化学系.北京(100084))//清华大学学报.自然科学版.-2001,41(10).-30-32从紫外固化技术的原理出发,概述了国内外研究进展。介绍了光固化涂料的各个组成部分及其发展情况,分析其性能和结构的关系,提出了既要开展理论研究又要重视应用研究的新思路。在展望了紫外光固化涂料

简介：O482.3196021361电化学引起Si:Er3+材料1.54μm发光增强=Theanodizationinduced1.54μmluminescentintensificationoftheSi:Er3+material[刊,中]/周咏东（中科院上海技物所）,金亿鑫,李仪,蒋红,李菊生（中科院长春物理所）∥红外与毫米波学报。—1995,14（4）。—317—320利用77K红外光致发光实验研究了电化学过程对离子注入Si:Er3+样品的光致发光影响。实验结果表明:电化学过程除在Si:Er3+样品硅基质晶体中引入大量的深能级局域态外,还使Si:Er3+样品中Er3+的1.54μm光致发光效率明显提高,且Er3+发光峰增

简介：利用wittig反应和Wittig一Horner反应,合成了含有三苯胺单元的交替共聚物,它们具有良好的溶解性、成膜性和热稳定性,是一类具有较高效率的发绿光材料。通过在聚合物中引人药和联苯的结构以及在PPV单元上引人不同链长的侧基等,研究了聚合物的几何构型

简介：众所周知，体硅CMOS集成电路在瞬时辐射环境中工作时会出现所谓的闭锁现象。一旦发生闭锁，器件就不能响应外部输入信号。陷入闭锁态的器件要恢复正常工作，就必须断电或将电源电压降低到器件的闭锁维持电压以下。对于不需要复位就能工作的器件，如反相器电路CD4007，电源电压经历瞬间扰动并恢复后，器件就可以正常工作。而对于需要复位才能正常工作的器件，如各种单片机、数字信号处理器等，电源电压经历扰动并恢复正常并不能保证器件恢复正常的信号输出，正确的复位信号必不可少。

简介：TB432002042855微腔对有机发光的影响的研究=Microcavityeffectsonorganicemissionlight[刊,中]/初国强,高劲松,朱万彬(中科院长春光机所.吉林,长春(130022))∥光学仪器.—2001,23(5/6).—202-205

简介：TB432003053760双通偏振干涉滤光片的研究=Researchofdouble-passpolarizationinterferencefilters[刊,中]/贺银波(浙江大学光电系,现代光学仪器国家重点实验室.浙江,杭州(310027)),熊静懿…//光学学报-2003,23(1).-89-94研究了等厚度双能偏振干涉滤光片,在此基础上提出了新型双通偏振干涉滤光片,并分析了单通、双通以及新型双通偏振干涉滤光片的光谱特性。结果表明,新型双通偏振干涉滤光片不仅具有更好的光谱特性,而且能

简介：TN2596042530光纤表面电晕等离子体漂移区电导率研究=Researchonconductivityofcoronaplasmadriftingareaonopticalfibersurface[会,中]/赵庆勋,崔志云,董丽芳,张开锡(河北大学物理系.河北,保定(071001)),张平(中科院物理系.北京(100080))∥第八届全国集成光学、第五届全国纤维光学、第三届全国孤子通信与非线性导波、全国光纤传感学术交流会.—江苏,连云港,95.9

简介：TB38120050323593mm涂层隐身材料的天线温度模型=Antennatempera-turemodelof3mmcoatingstealthmaterial[刊,中]／缪晨(南京理工大学毫米波、光波近感技术所．江苏,南京(210094)),娄国伟…∥红外与毫米波学报．-2004,23(3)．-221-224根据电磁场理论导出了3mm涂层隐身材料的辐射率,在此基础上建立了涂层隐身材料的辐射计天线温度模

简介：TN252002042759光纤智能结构自诊断、自修复的研究=Researchonself-diagnosisandself-repairingusinghollow-centeropticalfibersinsmartstructure[刊,中]/杨红,梁大开,陶宝祺,邱浩,曹振新(南京航空航天大学测

简介：近年来，随着衍射光学技术的发展和应用，利用衍射光栅进行光束的谐波分离成为各国研究的新热点。我们基于傅里叶模矢量衍射理论方法设计了一种聚焦透射光栅（FTG）元件，它需要3种光学元件（谐波分离光栅、光束取样光栅及聚焦透镜）将实现的功能集成于一体。FTG的结构类似于离轴的菲涅尔波带片，它能将入射的平面波聚焦到一点。由于FTG针对三倍频光设计，只有三倍频光通过它后会聚焦到一点，而基频和二倍频光将直接通过，从而同时实现谐波分离及聚焦功能，而利用反射光即可实现对三倍频光的取样，原理见图1。

简介：美国莱斯大学研发的一个原子级薄的材料,这或可能导致研发目前最薄的成像平台。基于金属硫族化合物的合成二维材料可能是超薄设备的基础,莱斯大学的研究人员这样表示。其中一个这样的材料二硫化钼,因其检测光的特性而被广泛研究,但是铜铟硒化物（CIS）也表现出同样非凡的潜力。莱斯大学材料学科学家普利克尔·阿加延（PulickelAjayan）实验室的研究生雷思东（SidongLei）合成了CIS,一种单层铜、铟和硒原子矩阵。

简介：TN2522002010395紫外写入SiO2平面光波导制作新方法研究（三）:光波导制作=Fabricationofplanarsilicawaveguidesbydi-rectUVwriting[刊,中]/葛璜,安贵仁,周凯明（中科院半导体所.北京（100083））,孙明武（中国建材科学研究院玻璃所.北京（100024））∥光子学报.—2000,29（Z1）.—399-403