简介:摘要本文主要针对直拉硅单晶生长过程进行分析,简述了直拉硅单晶生长过程的数学模型,进而分析了如何更好的控制直拉硅单晶生长的过程,针对其缺陷进行了探讨,提出了控制的方法。
简介:摘要:以硅单晶生长系统集成与控制研究中具体工程问题为导向,研究课堂教学与科研的深度融合,使学生对所学习的理论知识进行拓展,从而培养学生分析问题的能力,训练学生的思考能力。
简介:摘要本文就焰熔法生长掺铈硅酸钇镥的粉体及部分生长工艺关键问题进行了研究。通过固相法对粉体制备温度进行了实验,对生长晶体的炉体进行了改造。通过SEM分析和XRD分析结果表明,1400℃能制备出满足生长需要的纯度较高的掺铈硅酸钇镥粉体。通过工艺改造,将两管燃烧器改成三管燃烧器,能够有效减少晶体在炉体内的温度梯度分布,有利于晶体生长。
简介:Dy3+/Eu3+共掺杂的立方格子NaYF4单晶在~Φ×1厘米大小为10厘米高质量的改进布里奇曼法用氟化钾(KF)作为助熔剂生长。射线衍射(X射线衍射),吸收光谱,激发光谱和发射光谱测量的晶体的相位和发光性能的晶体。分析了激发波长和Dy3+和Eu3+离子浓度对发光特性的影响。NaYF4单晶的掺杂摩尔浓度的1.205%和0.366%的Eu3+,Dy3+具有优良的白色发光的色度坐标x=0.321,y=0.332。这表明Dy3+/Eu3+共掺的立方格子NaYF4单晶可以潜在的发光材料的紫外(UV)光激发的白光发光二极管(LED)。