简介:摘要本文主要针对直拉硅单晶生长过程进行分析,简述了直拉硅单晶生长过程的数学模型,进而分析了如何更好的控制直拉硅单晶生长的过程,针对其缺陷进行了探讨,提出了控制的方法。
简介:摘要本文从埚转、等径功率、投料量等几个方面论述了直拉硅单晶中氧含量的控制方法,通过工艺调整,降低硅单晶的氧含量,改善晶体品质。
简介:摘要由于磷元素具有较强的挥发性,作为掺杂剂掺入硅熔体后的全部过程都在大量挥发,尤其是重掺磷超低阻单晶的拉制,不仅掺杂效率低,并且挥发剂量受拉晶时间影响较大,所以在电阻率控制的准确度方面存在非常大的困难。本文主要通过对重掺磷单晶生长过程中的杂质掺杂方式和轴向电阻率控制等技术的研究,实现对重掺磷直拉硅单晶电阻率的有效控制。
简介:摘要:以硅单晶生长系统集成与控制研究中具体工程问题为导向,研究课堂教学与科研的深度融合,使学生对所学习的理论知识进行拓展,从而培养学生分析问题的能力,训练学生的思考能力。
简介:摘要:碳化硅单晶材料是一种重要的半导体材料,广泛用于功率器件、光电器件、高温传感器等领域。随着半导体材料需求的不断增加,碳化硅单晶的切片技术也在不断发展。本文主要介绍了碳化硅单晶衬底加工技术中涉及的切片、薄化、抛光等技术的现状及发展趋势。其中,切片技术分为传统机械法和先进的切割技术,而其切片质量主要由晶体结构、切割机器和切割参数等因素决定。在薄化过程中,化学薄化技术逐渐取代传统机械薄化技术成为主流,而对薄化效果的影响因素则主要包括初始厚度、薄化介质和薄化条件等方面。最后,抛光技术可分为机械式轮盘 CMP 机和悬浮 CMP 机等,而其抛光质量则受制于抛光液配方、抛光参数和抛光机器设备等方面。