简介：随着近年来液晶面板的兴起以及越来越大的尺寸，高压LCD驱动日渐受到市场的关注。该产品生产中采用了埋层注入和外延工艺，作为N型搀杂的锑注入其工艺稳定性直接影响了外延层的位错／层错缺陷。原先的锑注入监测工艺周期时间长成本高，为了寻求一种更适用于量产的监测方法，文章对锑工艺区别于其他N型注入工艺监测的原因做了进一步分析，提出了一种改进的监测方法，通过低温快速热退火实现了短周期，剂量敏感且具有良好重复性，易于量产。

简介：

简介：在集成电路生产测试过程中,在不同测试系统上互相移植程序,对发挥测试系统的利用效率、测试分析验证等具有重要意义.本文通过试验对在移植过程中应注意的问题作一探讨.

简介：从工程应用的角度介绍了一种基于总剂量效应的SOI器件模型参数的快速提取方法。首先，提取0krad（Si）时器件的模型参数，然后针对总剂量敏感参数，对100krad（Si）总辐射试验后的同种器件进行模型参数优化，并对得到的模型参数进行验证。结果表明，该方法所提取的模型参数准确有效，解决了国内目前在抗辐照SOI工艺中因采用标准SOI工艺SPICE模型（如BSIMSOI等）导致不能反映辐照效应对器件特性的影响且无法给出经过不同辐照剂量之后的器件特性的缺点，可用于评估辐射对SOI电路的影响。

简介：<正>中国社科院金融研究所杨涛认为,互联网金融从未颠覆过传统金融,只是对传统金融在功能上进行升级和完善在10月12日举办的首届中国科技金融促进高峰论坛上,中国社会科学院金融研究所金融市场研究室主任、支付清算研究中心主任杨涛做了名为"新技术引领下的金融体系变革及支付市场创新"的主题演讲。其中,就互联网金融的内涵、功能,以及互联网金融对金融体系的冲击和挑战,杨涛进行了系统性的分析和深入的探讨。近年来,以互联网为代表的新技术,特别是移动支付、社交网络、搜索引擎和云计算等,已经开始对既有金融模式产生巨大冲击。

简介：分析了使用半电波暗室测量不同距离处辐射场强之间的换算关系。首先介绍基于对数距离路径损耗得到的经验模型,然后通过计算不同发射/接收天线间距的归一化场地衰减（NSA）差值,得到了对同一场地和不同场地的不同测试距离处辐射场强理论模型。对不同场地的工程模型进行讨论,并且使用实验数据分析了不同测试距离处辐射场强的换算关系。实验结果表明,不适宜引入确定性修正因子,对待测物在3m和10m法半电波暗室的测试结果进行转换。

简介：1．前言随着PDA和笔记本电脑的发展普及，用户希望能够随时随地上网，一个新的市场——“宽带无线游牧／移动接入”正在兴起。宽带无线接人技术面向一个固定和移动通信融合的新市场，它可提供与宽带有线固定接人并行的宽带无线接入业务，支持游牧和移动应用。

简介：以不同成分Sn-Pb凸点为研究对象,分析回流次数对凸点IMC生长的影响。试验结果表明,多次回流中,5Sn95Pb凸点的剪切强度变化幅度最大,其余凸点抗剪切强度波动范围较小。凸点界面处IMC层厚度值均逐渐增大,其中3Sn97Pb和5Sn95Pb凸点界面处的IMC厚度增加速度较慢。界面IMC层晶粒尺寸逐渐增大,10次回流后,3Sn97Pb和63Sn37Pb凸点界面处观测到长轴状凸起,5Sn90Pb和10Sn90Pb凸点界面处IMC层呈现出较为平坦的形态。

简介：

简介：文章主要是研究采用磁控溅射和电子束热蒸发两种制备方法来制备ZnO—TFT器件，并通过XRD和透射光谱来对样品的性质进行分析比较，得出采用溅射法制备的ZnO-TFT器件有源层的ZnO薄膜从结晶化程度、表面粗糙度及透过率都较采用电子束蒸发制得的ZnO薄膜优异，其有较好的c-axis（002）方向择优取向，器件的平均透过率在85％以上。并研究了退后处理对器件性能的影响，并发现快速热退火有利于薄膜的晶化，降低缺陷态密度。