简介：随着近年来液晶面板的兴起以及越来越大的尺寸，高压LCD驱动日渐受到市场的关注。该产品生产中采用了埋层注入和外延工艺，作为N型搀杂的锑注入其工艺稳定性直接影响了外延层的位错／层错缺陷。原先的锑注入监测工艺周期时间长成本高，为了寻求一种更适用于量产的监测方法，文章对锑工艺区别于其他N型注入工艺监测的原因做了进一步分析，提出了一种改进的监测方法，通过低温快速热退火实现了短周期，剂量敏感且具有良好重复性，易于量产。

简介：十年前，中国联通的诞生是一件划时代的大事。六年前，中国电信业面对了邮电分营。一边是大范围的普遍服务和长期政策性亏损，邮政路在何方?一边是第一次面对充满竞争的市场，开拓创新成为电信未来发展的惟一主题。

简介：由于沉镍金工艺存在有黑盘的缺陷,所以一些板件的表面处理兼有沉镍金和OSP,即选择性沉金;在进行OSP表面处理时,OSP面需要先进行微蚀处理,而已完成沉镍金的地方同样会经过微蚀段,微蚀及不同的微蚀量对金面是有一定的影响的;本文通过制作不同沉金时间的板件,试验不同微蚀量处理后金面的受攻击情况。

简介：由卫星运营商ShinSatellite公司的子公司ShinBroadbandInternet(SBI)公司部署的,称作HDCinema的高清电视在2007年9月来到了泰国。HDCinema是利用Shin的IPStar宽带服务的推式视频点播服务,其目标是泰国的高端用户市场。

简介：短信是电子信息的一种，垃圾短信是垃圾电子信息的一种。根据ITU、0ECD以及欧盟、澳大利亚等国家的认定，所谓垃圾电子信息是指未经接收人要求而直接通过互联网、移动网、固定网等向接收人发送的各种电子信息，其终端包括计算机、手机、固定电话等，这些信息往往毫无利用价值、甚至具有破坏性。

简介：本文给出了高压IGBT电压源逆变器的不同短路类型。综述了当前已知的几种短路类型（类型1，类型2，零电流类型2和类型3），并研究了IGBT在断开状态时的一种新的短路类型3情况。这种类型的短路发生在逆变器的空白时间内。通过对4．5千伏的IGBT实验，给出了所有的短路电流类型，其中也包括门极的di／dt反馈影响。

简介：

简介：对两种不同添加剂镀液在通孔和盲孔电镀过程深镀能力的研究,说明其各自对于通孔和盲孔电镀的优势所在.并确定对于通孔和盲孔同步电镀镀液添加剂的选择.

简介：本文介绍了意法半导体公司（STMicroelectronics）首次提出的1200V/20A的SiCMOSFET,并与1200V常闭型SiCJFET（结型场效应晶体管）和1200VSiCBJT（双极结型晶体管）作了对比。我们全面比较了三种开关器件工作在T=25℃、电流变化范围1A～7A的动态特性,并在T=125℃、I_D=7A条件下做了快速评估。尽管SiCMOSFET的比通态电阻（Ron＊A）很高,但与另外两种器件相比仍被认为是最有前景的开关器件：SiCMOSFET的总动态损耗远远低于SiCBJT和常闭型SiCJFET,且驱动方案非常简单,因此在高频、高效功率转换领域中SiCMOSFET是最好的选择。

简介：MPLSVPN是一种基于多协议标记交换(MPLS)技术的IP虚拟专用网络(VPN),是通过在网络路由和交换设备上应用MPLS技术,简化核心路由器的路由选择方式,并结合传统路由技术的标记交换来实现的.本文介绍了MPLSVPN的基本原理和发展现状,分析和比较了主要的2层(L2)和3层(L3)MPLSVPN技术.

简介：张爱玲是一位杰出的作家,同时也是一位杰出的翻译家。文章介绍了＂被＂字句非消极义的出现和发展并通过对张爱玲散文和翻译作品当中＂被＂字句的语义色彩分布的比较,发现＂被＂字句非消极义这一受到欧化影响的语法现象更多的是出现在其翻译作品当中,并用间接语言接触理论对此进行了分析。

简介：在集成电路生产测试过程中,在不同测试系统上互相移植程序,对发挥测试系统的利用效率、测试分析验证等具有重要意义.本文通过试验对在移植过程中应注意的问题作一探讨.

简介：从工程应用的角度介绍了一种基于总剂量效应的SOI器件模型参数的快速提取方法。首先，提取0krad（Si）时器件的模型参数，然后针对总剂量敏感参数，对100krad（Si）总辐射试验后的同种器件进行模型参数优化，并对得到的模型参数进行验证。结果表明，该方法所提取的模型参数准确有效，解决了国内目前在抗辐照SOI工艺中因采用标准SOI工艺SPICE模型（如BSIMSOI等）导致不能反映辐照效应对器件特性的影响且无法给出经过不同辐照剂量之后的器件特性的缺点，可用于评估辐射对SOI电路的影响。

简介：推导出三点源有源诱偏系统中点源处于不同高度上时ARM的瞄准点公式,并结合ARM分辨开目标后的运动轨迹公式,对ARM入点进行了仿真,给出了ARM入点分布图以及系统的保护概率.分析表明,ARM入点分布与ARM被动导引头的分辨角、最大过载、末速度等有关.对现有ARM来说,这种诱偏系统的生存概率是很可观的.

简介：半导体仿真软件已成为功率器件设计的主流工具,用来预测器件的特性。击穿电压是器件的重要指标之一,仿真计算只有选取合理的碰撞电离模型、设置恰当的参数才能使仿真预测更接近实际情况。本文主要从ISE碰撞电离模型的选取及碰撞电离驱动场的设置出发,计算多级场板、场环场板结构的击穿电压,最后给出多级场板、场环场板与实际情况相符的碰撞电离模型及驱动场。

简介：

简介：<正>中国社科院金融研究所杨涛认为,互联网金融从未颠覆过传统金融,只是对传统金融在功能上进行升级和完善在10月12日举办的首届中国科技金融促进高峰论坛上,中国社会科学院金融研究所金融市场研究室主任、支付清算研究中心主任杨涛做了名为"新技术引领下的金融体系变革及支付市场创新"的主题演讲。其中,就互联网金融的内涵、功能,以及互联网金融对金融体系的冲击和挑战,杨涛进行了系统性的分析和深入的探讨。近年来,以互联网为代表的新技术,特别是移动支付、社交网络、搜索引擎和云计算等,已经开始对既有金融模式产生巨大冲击。

简介：一、无铅强热与爆板无铅化以来一般人的口头禅，总是说无铅焊料的熔点较高，因而会造成板材与零组件较多的伤害，这种似是而非的欧巴桑式说法其实只对了一半。由于无铅焊料（例如SAC305式锡膏）的焊锡性较差，再加上表面张力又较大（亦即内聚力较大，约比63／37者大了20％），

简介：分析了使用半电波暗室测量不同距离处辐射场强之间的换算关系。首先介绍基于对数距离路径损耗得到的经验模型,然后通过计算不同发射/接收天线间距的归一化场地衰减（NSA）差值,得到了对同一场地和不同场地的不同测试距离处辐射场强理论模型。对不同场地的工程模型进行讨论,并且使用实验数据分析了不同测试距离处辐射场强的换算关系。实验结果表明,不适宜引入确定性修正因子,对待测物在3m和10m法半电波暗室的测试结果进行转换。

简介：随着线路板布线密度的提高,阻焊桥宽度的逐渐减小,阻焊前处理日益显示其重要的地位,线路板表面的前处理效果直接影响着阻焊的良品率。本文通过扫描电镜、金相显微镜和3M胶带拉力测试等分析方法,分别对针刷＋不织布磨板、火山灰磨板,以及喷砂等几种前处理方式对阻焊桥板的效果进行了分析,并分别从无铅喷锡、化学沉镍金、化学沉锡等表面处理效果角度分析阻焊层受攻击程度,最终确定阻焊桥板制作的最佳前处理方式。