简介：根据双极晶体管电流增益倒数与中子注量的线性关系,基于最小二乘法,提出了先求平均值再线性拟合、先线性拟合再求平均值的两种方法来计算中子辐射损伤常数,并重点对其不确定度进行了评定,给出了自变量和因变量同时存在不确定度时的线性拟合方法。分析表明,两种方法的计算结果一致,但复杂程度不同,实际应用时采用先求平均值再线性拟合的方法更好。同时,还分析了不确定度评定过程中相关性产生的原因,给出了通过解析表达式判断相关性的方法。分析表明,应用协方差传播律,由相关性引入的估计协方差可以用独立参数的不确定度来表达。最后,给出了两种方法在实验数据处理中的应用。

简介：在实验研究的基础上，对晶体管二次击穿现象的原因提出一种新的观点，并进而讨论避免二次击穿的思路。

简介：本文介绍一个实用的晶体管开关电路（如图１），用它能够很准确地测定出电容和介电常数。

简介：通过列举实例，讨论晶体管放大电路的图解分析法，指出点斜法画直流负载线和交流负载线时应该注意的问题。

简介：利用晶体管直流增益随中子辐照注量的变化关系,建立了基于电压补偿的晶体管直流增益在线测试系统,以模块化软件架构设计方法及电压回读技术,实现了不同辐照功率下晶体管直流增益的实时监测,获得了辐照期间晶体管器件敏感参数的变化规律。结果表明,在不同中子注量辐照下,研制的直流增益在线测试系统可满足晶体管损伤效应的实时测量要求,系统的测试精度达0.2%。

简介：串联型晶体管直流稳压电源在稳压部分的过载保护分限流型和截流型两种保护电路,这两种过载保护电路都有各自的缺点,并且都是加在稳压部分。在实验课教学中采取了另外一种过载保护电路,即在桥式整流与滤波器之间加一个220欧姆的分流电阻,对电路进行过载保护,采用这种分流式过载保护电路原理简单,使用方便。几年来,使用效果甚佳。

简介：通过Stille偶联反应合成了5，5″-二辛基-2，2’：5’2″-三联[3，2-b]并二噻吩，并对该化合物的物理化学性质以及真空蒸镀薄膜的结构和形貌进行了详细表征．以这一化合物作为半导体层、采用顶电极结构制备了有机薄膜晶体管，并对薄膜生长基底温度做了优化，发现基底温度为100℃时器件性能最好，迁移率达到0．13cm^2／V·s，开关比为7×10^3，阈值电压为-19V．

简介：设计并合成了4个基于含硫芳杂稠环化合物的可溶性共轭齐聚物,即以3-十一烷基苯并[d,d′]噻吩并[3,2-b;4,5-b′]并二噻吩（BTTT）为末端芳香单元,噻吩（T）、二噻吩（bT）、N-十二烷基-二噻吩并[3,2-b]吡咯（TP）或2,5-双（3-十二烷基噻吩）[3,2-b]并二噻吩（qT）为中间芳香单元的共轭齐聚物.它们的HOMO能级和能隙分别处于-5.35～-4.95eV和2.62～2.44eV.通过溶液旋涂的方法制备了有序的薄膜,除T-BTTT外,其他3个化合物在薄膜中均表现出edge-on型的层状排列结构.制备了底栅-顶接触型的有机薄膜晶体管器件,qT-BTTT具有最高的场效应迁移率,达到0.012cm2/V.s.

简介：采用硝酸铟、硝酸铜和高分子材料作为静电纺丝的前驱体溶液，经过静电纺丝及高温煅烧，获得一维氧化铟／氧化铜复合纳米纤维，制成气体传感器，并对其气敏性进行测试及分析。

简介：TomoreindepthunderstandthedopingeffectsofoxygenonSiGealloys,boththemicro-structureandpropertiesofO-dopedSiGe(including:bulk,(001)surface,and(110)surface)arecalculatedbyDFT+Umethodinthepresentwork.Thecalculatedresultsareasfollows.(i)The(110)surfaceisthemainexposingsurfaceofSiGe,inwhichOimpuritypreferstooccupythesurfacevacancysites.(ii)ForOinterstitialdopingonSiGe(110)surface,theexistencesofenergystatescausedbyOdopinginthebandgapnotonlyenhancetheinfraredlightabsorption,butalsoimprovethebehaviorsofphoto-generatedcarriers.(iii)ThefindingaboutdecreasedsurfaceworkfunctionofO-dopedSiGe(110)surfacecanconfirmpreviousexperimentalobservations.(iv)Inallcases,Odoingmainlyinducestheelectronicstructuresnearthebandgaptovary,butisnotdirectlyinvolvedinthesevariations.Therefore,thesefindingsinthepresentworknotonlycanprovidefurtherexplanationandanalysisforthecorrespondingunderlyingmechanismforsomeoftheexperimentalfindingsreportedintheliterature,butalsoconducetothedevelopmentofμc-SiGe-basedsolarcellsinthefuture.

简介：O482.3199053393Ga1-xAl-xAs外延片有源区Al组份的测定方法=MeasurablemethodofaluminiumcompositeofGa1-xAlxAsepitaxialmaterialwithinactiveregion[刊,中]/刘学彦（中科院长春物理所.吉林,长春（130021））//发光学报.—1998,19（4）.—361—363利用电致发光测得Ga1-xAlxAs外延片有源区发射光谱,并通过公式计算得出有源区Al组份值。图4表1参3（常唯）O72299053394半绝缘GaAs单晶化学配比的X射线双晶衍射Bond方法测量=BondmethodmeasurementofstoichiometryinSi—GaAsbulkmaterialbydouble

简介：O722002032276X射线驻波方法研究半导体超薄异质外延层=StudyofsemiconductorsuperthinheterostructureswithsynchrotronradiationX-raystandingwavetech-nique[刊,中]/姜晓明,贾全杰,胡天斗,黄宇营,郑文莉,何伟,冼鼎昌(中科院高能物理所.北京(100039)),施斌,蒋最敏,王迅(复旦大学应用表面物理国家重点实验室.上海(200433))//高能物理与核物理.-2001,25(6).-588-594利用双晶单色器和精密二圆衍射仪,在北京同步辐射装置建立了同步辐射X射线驻波实验技术,并用这一实验技术结合X射线衍射方法,研究了Si晶体中外延生长的超薄Ge原子层的微结构。图5参9(李瑞琴)

简介：

简介：高功率固体激光装置对KDP晶体光学元件的基本要求是大口径、高精度面形质量、高激光损伤阈值、良好的表面粗糙度。但是KDP晶体本身具有质软、易潮解、脆性高、对温度变化敏感、易开裂等一系列不利于光学加工的特点，传统的研磨抛光法不适于加工高精度的大口径KDP元件。国外加工此类元件已广泛采用先进的单点金刚石车削技术（简称SPDT）。采用SPDT技术加工KDP晶体元件，主要存在3个方面的加工误差，即晶体的面形误差、表面粗糙度（包括表面疵病）以及小尺度波纹等。

简介：O72398010608Hg1-xCdxTe晶体密度和组分的关系=StudyoftherelationshipbetweenHg1-xCdxTecrystaldensityandingredient[刊,中]/蔡毅（昆明物理研究所.云南,昆明（650223））//红外与激光工程.—1997,26（3）.—23—26根据Hg1-xCd—xTe晶体结构、组分和点阵常数的关系,导出Hg1-xCdxTe晶体密度和组分的关系式。讨论了温度对晶体密度的影响,与参考文献中的密度公式进行了比较。图2表1参10（严兰）

简介：O73196021325Bi2Sr2CuOy单晶正常态的电子输运=NormalstatetransportpropertiesofBi2Sr2CuOycrystals[刊,中]/王楠林,潘国强,邓明,种燕,阮可青（中国科技大学物理系。安徽,合肥（230026））∥物理学报。一1995,44（1）。—128—132测量了不同Bi2Sr2CuOy单晶样品ab平面内电阻

简介：运用Zemax光学设计软件构建Liou-Brennan眼模型，设计了增大焦深的非球面、折射型多焦点和衍射型多焦点人工晶体，并用点列图和视锐度分析了所设计的人工晶体的光学质量。对于非球面人工晶体，在3mm瞳孔下，当人眼无球差时，最佳视锐度相当高，但焦深仅为1．4m^-1；当人眼球差为0．4λ时，最佳视锐度可达0．9，焦深达2．2m，同时在整个焦深范围内视觉质量均优越。对于衍射型和折射型多焦点人工晶体，在明视条件下，虽然视远和视近时视觉质量良好，但是中间距离的视锐度〈0．5。衍射型多焦点人工晶体只有81％的光能用于成像，远近焦点能量均分，且与瞳孔大小无关；折射型多焦点人工晶体的远近焦点能量与瞳孔大小相关。设计的人工晶体均能增大人眼的焦深，但各有优缺点，临床上应该酌情选用。

简介：用有限时域差分方法（FDTD）对比研究了下列二维光子晶体的带隙：第1组,半径r=0.2μm圆柱,折射率n=4,晶格常数a=0.4μm;第2组,半径为r=0.2μm圆柱,折射率n=4,晶格常数a=0.6μm;第3组,内半径r1=0.1μm,外半径r2=0.2μm,折射率n=4,晶格常数a=0.4μm;第4组,内半径r1=0.1μm,外半径r2=0.2μm,折射率n=4,晶格常数a=0.6μm,并且对每一组光子晶体进行挖孔操作,然后比较不同填充率对光子晶体材料的带隙的影响,以及同种材料和结构、挖孔对带隙的影响。对于紧密排列的二维光子晶体,挖孔会使带隙向长波方向移动;对于填充率小的光子晶体,或者环形柱二维光子晶体,中间挖孔不影响带隙的范围。

简介：闪烁体是探测系统中的核心功能材料,对系统能力的提高起着至关重要的作用,然而在应用中由于全内反射作用,导致大量闪烁光子被限制在晶体内部,无法出射,阻碍了探测效率的进一步提升.光子晶体是一种典型的微纳结构材料,可以实现对闪烁发光的调控,提高闪烁体的光输出效率,控制发光的方向性.介绍了近年来国内外有关光子晶体闪烁体的研究进展,主要包括光子晶体调控闪烁发光的基本原理、光子晶体闪烁体的制备技术、光子晶体闪烁体提高探测系统能量分辨率和时间分辨率的方法.

简介：晶体颗粒的品质与晶体颗粒的力学性能如颗粒凝聚强度有密切联系，颗粒的凝聚强度（Coherencestrength，cs）是晶体内部结合力的宏观度量，是分子间作用力强弱、晶格缺陷、晶间物理微结构等影响因素的统计平均，晶体颗粒破碎时需要的应力越高，则凝聚强度越大。含能晶体颗粒的品质对其感度有重要影响。从力学性能角度出发提出压缩刚度法，通过评价晶体颗粒凝聚强度来定量评价RDX晶体品质。