简介：

简介：本文介绍了一种新型的厚膜片式NTC产品，它在制造过程中应用了很多厚膜片式电阻器的工艺方法、材料、设备等，包括引出电极、保护层等图形的成型。产品使用了一种夹层式、紧凑的结构。这种制造方法效率高，而且产品质量稳定，在使用上有许多突出的特点，是一种具有创新性的产品。在文中重点说明了该产品的结构及其制备方法，并在产品的突出特点方面作了简单的对比说明。

简介：本文论述了氧化锌压敏电阻器的性能、应用及发展，提出了氧化镜压敏电阻器选用原则，简述了表面安装型氧化锌压敏电阻器的优点和发展趋势。

简介：手机、汽车、计算机及各类电子产品上，都离不计一个小小的“多层片式压敏电阻器”。然而，我国目前尚无一家企业大批量生产这一微电子器件，所需产品完全依赖进口，每年耗费外汇2亿美元。

简介：介绍应用溅射工艺制备Cr·SiO薄膜电阻器的方法，通过大量的实验及不断的工艺优化，制备出了高精度、高稳定性、低TCR的HIC中的薄膜电阻器基片，并已投入批量生产。

简介：三氯氢硅（SiHCl3）作为硅外延片的关键原材料，其纯度直接影响着硅外延层的性能。一般三氯氢硅纯度的测试方法有两种，除采用化学分析方法测试外，通常用生长不掺杂外延层（本征外延层）的方法来确定。即采取测量三氯氢硅生长后的硅外延本征电阻率的方法来衡量其纯度。而影响硅外延本征电阻率的主要因素为系统的自掺杂，增加硅外延的生长时间可以有效抑制系统自掺杂，但无限制的增加生长时间必然导致生产成本的增加。文中通过实验数据，确定了一个合理的硅外延本征生长工艺过程，从而达到了评价三氯氢硅纯度的目的。

简介：本文主要阐述了微机控制的液体电阻起动器的工作原理、性能特点、结构,以及微机控制系统的实现。

简介：12月14日和15日下午，柯达保丽光印艺集团与网屏（中国）有限公司在深圳香格里拉酒店举办了两场分别关于商业和包装业的热敏CTP和数码打样方案的技术研讨会，两家公司向听众们分析了热敏方案在印刷行业里流行的原因及发展状况，并率先介绍了在国际上的领先技术。和应本地化需求而改进的应用方案。

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简介：2006年9月18日，来自英特尔公司和美国加州大学圣芭芭拉分校（UCSB）的研究人员成功研发出了世界上首个采用标准硅工艺制造的电力混合硅激光器（HybridSiliconLaser）。这项技术的突破标志着用于未来计算机和数据中心的低成本、高带宽硅光子学设备产业化的最后障碍之一已经被解决。

简介：功控电路又称自动功率控制电路(APC)，以克服移动通讯中远端对近端的干扰。它和功放单元密不可分，根据功放输出大小自动调节电路增益，形成功率放大控制环路，其基本控制结构包括取样、整流、滤波、比较器等元件。在日常维修中笔者发现，在不更换射频IC、功控集成块的前提下，通过对取样电阻、功控电阻阻值的代换，可对发射关机、发射难等常见故障进行应急维修。下面具体分析这种应急代换维修法，希望与广大维修爱好者共同交流。

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简介：本文介绍了几种集成电路物工艺中高精度电阻和电容的制作方法.

简介：低温共烧陶瓷（LowTemperatureCo-fireCeramic——LTCC）技术,具有可集成无源电阻的独特优势。LTCC基板集成电阻主要有两种方式,表层电阻和内埋电阻。主要讨论了LTCC基板内埋电阻的制备工艺。针对不同的电阻材料,设计了不同工艺。最终为不同电阻的制备提出了一种优化的工艺,使得LTCC内埋电阻的精度控制范围可达到±17%。

简介：目前市场上越来越多的客户要求进行低电阻高绝缘的电子测试,这类PCB中,部分PCB线路不单是导线同时还是信号线,线路的阻值变化会造成信号的延滞和衰减,引发功能性问题。本文主要介绍了孔电阻的测试原理,通过对影响孔阻值变化的因素进行分析验证,并逐个分析论证,最终定位问题根源之所在。

简介：在一些文献中讨论到的基于MRAS的感应电机无速度传感器矢量控制方案存在着纯积分、不稳定以及低速下对定子电阻值较为敏感等问题。在本文中，我们设计出一种基于电流估计的新型、稳定的MPAS速度和定子电阻观测器。这些观测器不客是单独使用不是同时使用，在各种工作模式下都是稳定的，其设计程序遵循线性控制理论。仿真和实验结果证明了这些观测器的稳定性。

简介：凌力尔特公司（LinearTechnologyCorporation）推出硅振荡器LTC6992，该器件是TimerBlox硅定时器件系列的最新成员。LTC6992针对3．81Hz至1MHz的输出频率提供简单和准确的脉冲宽度调制（PWM）功能。该器件的频率可用1至3个电阻器设定，具有保证低于1．7％的频率误差。此外，

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简介：文章通过对多晶薄膜的性质和多晶电阻形成工艺的稳定性研究，剖析在生产过程中三种形成多晶电阻主要工艺的波动情况，并对形成工艺波动的原因和控制方法进行了讨论。同时对于采取控制方法以后的多晶电阻的工艺情况进行分析，证明提高多晶电阻制造工艺稳定性必须提高多晶淀积和离子注入工艺能力，以及如何提高多晶淀积和离子注入的受控。最后对采取控制措施后的多晶电阻的改善效果进行回顾，说明离子注入工艺采取除气和多晶淀积隔片放置方式有效地提高了多晶电阻工艺的稳定性。