简介：

简介：在过去的十年里,光纤通信已经越来越多地融入到我们的日常生活.随着我们对光缆网所提供服务的依赖性增强,对其可靠性的要求就更显紧迫,在这样的情形下光缆网监测系统应运而生.虚拟仪表概念通俗地说就是把"仪表作进计算机",它是测量技术与计算机技术的融合,它的引入有效地解决了光缆网监测系统技术实现上的难题.本文主要提出了实现该系统的一种设计方案.

简介：PtoP技术最早被一些文件共享应用广泛使用,例如非常有名的Napster和KaZaA.在此类应用中,用户可以共享并搜索下载文件。但是，对Skype来说，此类PtoP技术并非完全意义上的PtoP技术，在Skype看来，真正的PtoP系统是网络中所有的节点能够动态的组合，来参与流量分配，路径选择、处理需要较大带宽的任务等。

简介：<正>00624LTCC、低温燒成基板埋/A.H.Feingold.M.Heinz(Electro-ScienceLaboratories)//电子材料[日].—2003,5月号别册.—96本文介绍了埋入低温共烧基板(LTCC)内的电感与电容的研究。探讨了含铅和铅化合物对电容器以及LTCC等电子陶瓷产品在性能上所起的重要作用。(孙再吉摘译)

简介：激光清洗技术是近10年来飞速发展的新型清洗技术,它以自身的许多优点在众多领域中逐步取代传统清洗工艺.本文介绍了激光清洗的原理和激光清洗的一些典型应用,展示了激光清洗这一"绿色"清洗技术广阔的发展前景.

简介：电子垃圾已成为世界上增长最快的垃圾.本文从社会和市场两方面分析了我国电子工业所面临的挑战,进而就循环技术特征、要素关系及实现形式进行了分析,提出了加快绿色制度建设则是循环技术开发和实施的必要保证.

简介：化学基本原理碱性蚀刻的基本机理就是碱性氯化铜化学反应（见图1）是二价铜离子氧化金属铜生成亚铜离子。这种平衡同样在酸性氯化铜中的二价铜氧化浸蚀铜金属。所以，在碱性环境条件下，发生亚铜离子和二价铜离子的氨的络合物。更进一步利用通入空气使酸性氯化铜蚀刻液中亚铜离子氧化成二价铜离子。如下反应：

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简介：1、HSDPA简介对高速移动分组数据业务的支持能力是3G系统最重要的特点之一。WCDMAB99版本可以提供384kbit／s的数据速率，这个速率对于大部分现有的分组业务而言基本够用。然而，对于许多对流量和迟延要求较高的数据业务如视频、流媒体和下载等业务，需要系统提供更高的传输速率和更短的时延。为了更好地发展数据业务，3GPP从这两方面对空中接口作了改进，在R5版本中引入高速下行分组接入（HSDPA）技术。

简介：<正>00576ACompactTransceiverforWideBandwidthandHighPowerK-,Ka-,andV-BandApplications/D.Yamauchi,R.Quon.Y-HChungetal(NorthropGrummanSpaceTechnology)//2003IEEEMTT-sDigest.—2015用当今先进的InPMMICs和先进的封装技术演示了一种宽带宽(13%～54%)高功率(>500mW)K、Ka及V波段小型收发机。该组件有30多块MMIC和200多个元器

简介：介绍了编码的压缩原理、分类和活动图像编码技术,重点分析了MPEG-4技术.

简介：智能天线利用数字信号处理技术产生空间定向波束，使天线主波束对准用户信号到达方向，旁瓣或零陷对准干扰到达方向，达到充分高效利用有用信号，并抑制甚至删除干扰的目的。使用智能天线可提高移动通信系统性能：扩大系统覆盖区域，提高系统容量，提高数据传输速率，提高频谱利用效率，降低基站发射功率，节省系统成本，减少信号间干扰与电磁环境污染。

简介：ONSemiconductor公司宣称已采用一种崭新的沟槽工艺技术,它比其他沟槽工艺,能使导通电阻平均降低40%。去年,该公司已将基于创新的沟槽技术用于P沟和N沟MOSFET,并且这种器件已应用于负载管理、电路充电、电池保护和手提式、无线产品中的DC-DC

简介：对于目前通信网中的核心设备——数字交换机，运营商面临着更新换代的问题，特别是发达国家，运营商的大部分交换系统已经运行了近20年，离这些设备的生命期不远。软交换可以看作传统交换网的下一代技术。一些运营商开始研究和

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简介：高密度封装技术的飞速发展也给测试技术提出了新挑战。为了应对挑战，新的测试技术不断涌现。本文主要介绍了几种新型测试技术的特点，并对未来测试技术的发展趋势及方向进行了初步分析。

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简介：一、NGN概念与认识NGN是NextGenerationNetwork的缩写，字面意思是下一代网络。当前所谓的下一代网络是一个很松散的概念，不同的领域对下一代网络有不同的看法。一般来说，所谓下一代网络应当是基于“这一代”网络而言，在“这一代”网络基础上有突破性或者革命性进步才能称为下一代网络。

简介：<正>00593Fabricationof0.1μm-GateInPHEMTsUsingi-LineLithography/K.Sawada,K.Makiyama,T.Takahashietal(FujitsuLaboratoriesLtd,Japan)//2003IndiumPhos-