简介：针对目前我国急需开展质子单粒子效应辐照实验的需求，研制了适用于质子束流注量率监测的次级电子发射监督器（secondary—electronemissionmonitor，SEEM）。测试结果表明，SEEM在监测注量率为109～1010cm-2·s-1的质子束流时，其电流与注量率间的线性相关性很好，可应用于质子单粒子效应实验束流诊断。同时，测量了不同质子能量下铝的次级电子发射系数，测量值与理论计算结果吻合较好。

简介：结合脉冲中子管的结构特征,建立了一套基于Al_2O_3单晶闪烁屏和CCD相机的中子管氘离子束束流截面测量系统。闪烁屏直径为15mm,厚度为0.5mm。为了降低测量本底,CCD相机工作在触发模式。利用有限元分析软件,模拟计算了典型中子管束流参数下的闪烁屏温度,并利用该测量系统获得了中子管氘离子束在靶面处的典型强度分布。结果表明,该测量系统可以准确地反映脉冲离子束束流的横向强度分布特征。

简介：强激光在冕区等离子体中传播到临界面附近生成相对论电子和相对论电子束流在随后较长一段稠密等离子体区的能量传输是快点火中的关键问题。对快点火条件下的激光等离子体参数，临界面附近产生的前向快电子电流往往超过阿尔芬极限电流，必须在稠密等离子体中产生中和回流，快电子流才能在稠密等离子体中向前输运。横向电磁不稳定性（类Weibel不稳定性，WI）和纵向静电双流不稳定性（TSI）很容易在这种电子双流体系中激发，前向电子束会被调制或成丝状结构，同时激发电磁场，粒子部分动能会转化为电磁场能量。不稳定性在非线性饱和后，发生电流丝的合并、磁场重联等过程，部分电磁场能量会再转化为粒子能量，表现为对离子体的横向加热。Weibel不稳定性的作用可能形成围绕传播电子束的磁通道，对快电子的定向和准直传播是重要的。TSI激发的纵向静电场对磁场通道会有明显的调制甚至破坏作用，直接影响高能电子流从激光吸收区到燃料压缩区的准直传播。

简介：在神龙1号直线感应加速器（LIA）束参数测量工作中，采用的同步触发系统主要是由延时同步机如DS310完成的，它虽然可以产生较大时间范围内的延迟，但由于其工作主频为100MHz，其延迟时间设置的步长则为10ns，加上时基自身的精度，能够获得的延迟精度不会高于10ns；而Ln的其他环节（主要是发散以前的环节，如偏置Marx）在动作时也存在一定量的抖动，经实际测量约20-30ns，这样就无法很精确地确定测量时刻，如图1所示。因此在要求准确了解测量时刻及具有时间分辨测量要求的研究中，这种触发方式就不能满足要求。

简介：目前有机气体污染物的净化方法主要存在控制难度大、能耗高、要求气体纯度高等缺点，尚需开发新技术。在挥发性有机化合物中，甲苯是很具代表性的物质，也是被美国ASHRAE推荐为测试气体过滤净化设备性能的模型化合物。国内利用电子束辐照处理甲苯气体的文献很少。文中对甲苯有机废气进行静态实验，初步研究了电子束辐照处理芳香类有机物甲苯的效果，分析了辐照分解产物。

简介：目前治理低浓度甲苯废气的传统方法还存在很多问题，还需研发新的治理技术，为此，进行了电子束辐照处理甲苯的动态实验。

简介：采用以离子数比为控制变量的对数函数控制器,研究了不同填充因子下调谐衰减因子对强流离子加速器中初始分布为K-V分布的离子束束晕-混沌控制的影响。研究表明,使用对数函数控制器时,较大的调谐衰减因子下,可以控制束晕-混沌的填充因子取值范围较大,且填充因子越大控制效果越好;较小的调谐衰减因子对束晕-混沌的控制效果影响相对较大。

简介：重离子柬轰击聚碳酸酯后．对样品进行陈化和紫外线照射数化，在优化条件下蚀刻后得到纳米孔径核孔膜。利用电化学沉积技术在核孔膜中制备了最小孔径为30纳米的铜纳米线。获得的钥纳米线／聚碳酸酯可以作为x光纳米光刻的腌膜。

简介：用离子束技术探讨了Si表面纳米Ti薄膜制备的可行性以及Ti薄膜组织结构与离子束工艺之间的关系。实验进行试样表面预处理、轰击离子能量、离子密度、温度、沉积时间等离子束工艺参数对单晶Si(111)表面沉积的Ti薄膜结构的影响。采用原子力显微镜(AFM)和扫描电子显微镜(SEM)分析了Ti膜表面晶粒形貌，并用X射线衍射仪(XRD)和俄歇电子谱仪(AES)分析了Ti膜的结构和成分。由于残余气体的影响，Ti膜发生了不同程度的氧化，随温度升高和轰击离子强度增加氧化愈加明显。

简介：结合几何原理和激光光源的特性,提出一种应用凸透镜实物成虚像情况下简便测量凸透镜焦距的方法,该方法可以作为大学生的设计性、探究性和创新性的实验项目。

简介：利用FLUKA程序模拟计算了高能质子束打靶产生仿真大气中子束流时,靶材料、靶结构及入射质子能量对中子能谱的影响。结果表明,选择重金属铅或钨作为散裂靶材,不仅中子产额较大,而且当质子能量大于3GeV且在引出方向与质子入射方向夹角为30°时,中子能谱更接近标准大气中子能谱。对中国散裂中子源(ChinaSpallationNeutronSource,CSNS)第1靶站产生的白光中子束流能谱计算表明,该能谱适于开展仿真大气中子在半导体存储器件中引起的软错误试验研究;同时,就能谱形状而言,未来CSNS第2靶站在引出方向与质子入射方向夹角为30°和15°的两条白光中子束线,更适合开展与大气中子束流相关的存储芯片和高集成电路的单粒子效应研究。

简介：针对O型高功率微波产生器件采用的无箔二极管结构,在引导磁场为0.6T的条件下,研究了二极管电压、电流、阴阳极间距、漂移管管头倾角和阳极半径等参数对电子束包络的影响。结果显示:阴极附近和漂移管内部的电子束包络随二极管参数的变化规律有明显差异,阴极附近电子束包络幅值较小并不能确保漂移管内部电子束包络幅值较小;适当增大二极管阻抗有助于减小漂移管内电子束包络幅值;受电子束径向运动的空间周期性影响,漂移管内部的电子束包络幅值随阴阳极间距增大会出现振荡变化;漂移管管头倾角超过90°后,管头倾角对电子束包络幅值影响很小;当阳极半径明显大于阴阳极间距时,阳极半径对漂移管内电子束包络幅值的影响也较小。通过合理优化二极管参数,可以有效减小电子束包络幅值,这是低磁场O型高功率微波器件稳定工作的重要基础。

简介：在高功率微波（HPM）的研究中，电子束同微波腔中微波场相互作用是大家所关心的问题，微波腔中电子束与微波场的相互作用，是一个闭环过程，微波场影响电子的运动，同时电子束作为电流源也产生辐射，影响微波场。不同微波腔的微波场不同，电子束同微波场的相互作用形式也不相同，但是在微波场作用下电子束群聚，群聚的电子束反过来影响微波场的自洽过程。

简介：通过分析浆料分散性和粘度等因素，研究分散剂和粘结剂等对碳化硅晶须浆料流变行为的影响，确定合适的浆料制备工艺参数。结果表明：选择合适剂量的分散剂（2wt%）能够有效减弱晶须之间的吸引力，减少晶须团簇，提高晶须分散性。同时选择3wt%的粘结剂能够得到粘度适宜的浆料。优化工艺参数，最终获得分散性及稳定性较好且适于流延的晶须浆料。

简介：通过计算两平行长直载流导线间的静电力和磁场力,解决了在研究平行载流导线间相互作用时,只计电力而不计磁力的真正原因

简介：用晶格玻尔兹曼方法真实地再现了空腔流稳定流场的形成过程,将复杂系统模拟方法用于大学物理虚拟实验,有效地给学生创设了建构知识的学习环境,很好地解决了实验教学无法实施的问题。

简介：介绍推导一个载流圆弧导线圆心处磁感应强度的计算公式，用这个公式对某流圆弧导线圆心处的磁场问题可以很方便地进行计算

简介：本文利用严格的解析和数值方法讨论了载流直螺线管产生的三维磁场,并在计算机上进行了高精度的数值计算.

简介：根据面电流在空间某点的磁场公式和场强叠加原理,求出了截面为矩形的无限长载流柱面空间磁场分布的普遍表达式。

简介：采用大涡模拟的方法计算了来流速度为0.6Ma的球/柱体附近的流场,并采用相屏法研究了该流场对激光传输的影响。结果表明：球头附近的流场引起的气动光学效应对传输到远场的激光光斑特性有较大影响,影响程度随激光传输方向而变化,并且激光发射孔径越大、激光波长越短,影响程度越大。