简介：摘要当集成电路工艺发展到65纳米技术节点时，随着图形特征尺寸越来越小，图形越来越密集，势必造成缺陷很难修补。本文介绍了掩模在制作过程中缺陷形成的原因，对掩模缺陷进行分类，阐述了光掩模缺陷修补的重要性和掩模修补原理及方法。比较详细的介绍了激光气化法、局部曝光法、离子束修补。对光掩模缺陷修补方法做了探讨研究。

简介：摘要本文提出了一种相移掩模（PSM）在国产清洗机PMC1500上清洗时phase掉落幅度控制的方法。在相移掩模制备过程中，影响phase值大小的因素较多，干法蚀刻的时间，清洗工艺等对相移掩模的phase值都有很大的影响。177°—183°的phase大小，是PSM版在晶圆工厂使用的常规要求，研究中提出了对相移掩模清洗phase值掉落的控制，在保证清洗能力的情况下，通过对清洗过程中影响phase值掉落的重要因素进行改良，清洗流程包中包含SPM清洗以及SC1清洗的工艺，通过逐一改变SPM以及SC1的清洗条件，实现对PSM掩模phase值掉落的控制研究，最终确定了SC1清洗工艺时间对PSM掩模phase掉落的影响较大，通过控制SC1的清洗工艺方式，有效地控制PSM掩模清洗时phase值的掉落。

简介：摘要针对集成电路掩模的制作过程中各种缺陷产生的种类及来源进行了基本的系统分析,提出了一些减少或消除这些缺陷的办法和措施。

简介：日前，LGMicron以独立技术开发出55英寸PDP用大型光掩模。光掩模开发课题属韩国政府重点促进项目，LGMicron曾于1998年在韩国率先开发出40英寸大型光掩模。日前，光掩模的开发技术只为日本DMP等3、4家公司所掌握。光掩模主要用于PDP生产的核心暴光工艺，是决定画质和鲜明度的核心部件。LGMicron正在向国内PDP制造厂家供应目前占据世界市场主流的40英寸光掩模。

简介：重离子柬轰击聚碳酸酯后．对样品进行陈化和紫外线照射数化，在优化条件下蚀刻后得到纳米孔径核孔膜。利用电化学沉积技术在核孔膜中制备了最小孔径为30纳米的铜纳米线。获得的钥纳米线／聚碳酸酯可以作为x光纳米光刻的腌膜。

简介：为了更好地服务于中国快速增长的半导体产业，凸版印刷集团旗下子公司上海凸版光掩模有限公司11月18日宣布，将在上海扩大其生产经营规模。上海凸版光掩模有限公司（简称“TPCS”），是由凸版光掩模集团与上海微系统信息技术研究所共同组建的一家中外合资公司。此次投资2000万美元将极大地扩大公司用以制造半导体器件的光掩模版的产能，同时也提高公司的生产技术能力至90纳米精细工艺。

简介：近年来车牌识别技术在交通基础设施中得到越来越多的应用。由于车辆号牌是车辆的主要标识信息，因此现有的智能交通系统对鲁棒的车牌识别技术依赖性很大。本文的目的是综合现在一些常见的基于视频信息的车牌识别技术，提出一种新的融合梯度和颜色特征的车牌定位及识别方法，并结合多种图像掩模的滤波操作，从而能够快速有效地识别户外道路场景中各种光线条件下的车牌。