简介：<正>问题的提出笔者在制造一台高压冲击电流发生器(波形为10/310μs,10/1000μs)时,脉冲的重复周期为1s、2s、3s、4s、5s、6s……20s可调,脉冲的极性要求是正负可变和输出正负极性相间的脉冲。需要一个开关,电路如图1所示,对这个开关的要求是断路时承受全部高压,通路时电流变化率要快,流通电流约100App。

简介：环氧塑封料（EpoxyMoldingCompound）是一种半导体封装用电子材料，主要应用于半导体器件和集成电路芯片的封装文章主要是通过对环氧塑封料的发展历程、典型技术和制造工艺，以及国内外发展状况和市场应用等方面的研究，对全球的环氧塑封料的发展状况进行浅析。文章特别提到有关绿色环保塑封料的应用情况。

简介：环氧模塑料（EMC）作为半导体产业的三大基材之一，其性能对成品器件、IC品质至关重要。凝胶化时间（GT）和螺旋长度（SF）是环氧模塑料的两个基本性能表征指标，直接决定封装工艺参数选择范围，而温度对其影响极大。制备过程、存贮、回温（Thawing）及模压（Molding）等系列工序的操作及环境温度，对EMC的综合性能有着不同程度的影响。不恰当的温度可能会导致模压操作性不良、封装体缺陷及半导体器件（电路）的成品性能下降或失效。文章重点阐述温度对EMC使用、半导体成品性能的影响。

简介：本文着重介绍了蒸汽加氧吹洗新技术的原理及应用情况.该方法具有创造性、新颖性和实用性.解决了基建炉过热器、再热器的酸洗难题,并能在金属表面形成致密的保护膜,是提高我国吹管技术管理水平,提高水汽品质的一种有效方法.能确保机组在投产后安全、经济地运行,延长锅炉的使用寿命.如在全国范围内大力推广应用,其社会经济效益显著.

简介：本文简单介绍了高压水清洗技术在清洗油田油管、运输油罐等设备时的情况.

简介：本文介绍了一种使用水系清洗剂的零件清洗机,详述了其设计思想、工艺路线、关键技术分析、设备结构和自动控制方法.该清洗机采用定点高压喷淋自动清洗零件,对环境污染小,零件油污残留量和机械杂质总含量低,适于机械制造业使用.

简介：文章主要介绍了封装过程中的几个重要工艺参数，分别探讨了不同的工艺条件对环氧塑封料成型工艺的影响，并介绍了封装过程中的工艺调整方向，同时介绍了在环氧塑封料的选择中必须考虑的几个重要因素，并论述了这几个因素对封装器件可靠性造成的影响。

简介：文章介绍了水下喷射洗净技术的原理以及水下喷射清洗使用的喇叭型喷嘴、水下高压洗净机的构造.并对水下高压清洗的实际应用做了介绍.

简介：高压水射流清洗技术在我国发展迅速,目前高压水射流多功能清洗机在我国应用已超过千台,有很多部门对高压水射流理论不甚了解'如设备压力损失过大或流量流失过多,导致一台清洗机的功效只发挥了一半或四分之一,给企业造成了很大的能源浪费'给自己也造成重大经济损失.本文从高压水射流理论上予以阐明,以求充分发挥高压水射流清洗设备潜能,减少损失,多创效益.

简介：文章对0．5μm／40V高压工艺中形成的N阱电阻的SPICE模型进行研究。因为高压电路的实际应用，N阱电阻的寄生效应不可忽略，所以精确反应其电学特性的SPICE模型也显得尤为重要。从N阱电阻的测量结果反映其IV曲线的非线性特性和结型栅场效应管JFET输出特性曲线具有相似性，并通过对高压阱电阻与JFET的结构分析认为可以采用JFET的电压电流关系来建立合理的数学模型反映高压阱电阻的这种非线性特性。因此在文中借用JFET的SPICE模型作为基础，用宏模型的方法为高压N阱电阻建立了一套精确的SPICE模型、此模型适用于各类仿真器，具有一定的通用性.

简介：由于PDs0I工艺平台的特殊性，P阱浓度呈现表面低、靠近埋氧高的梯度掺杂。常规体硅的高压N管结构是整个有源区在P阱里的，需要用高能量和大剂量的P注入工艺将漂移区的P阱反型掺杂，这在工艺上是不容易实现的。文章针对常规高压NMOS器件做了仿真，发现漂移区必须采用能量高达180KeV、剂量6×10^13以上的P注入才能将P阱反型，形成高压NMOS器件，这在工艺实现上不太容易。而采用漂移区在N阱里的新结构，可以避免将P阱上漂移区反型的注入工艺，在工艺上容易实现。通过工艺流片验证，器件特性良好。

简介：为满足人们对绿色照明的要求，该文设计了节能、高功率因数及总谐波失真低的高压钠灯电子镇流器来替代传统的电感式镇流器，采用有源功率因数校正、恒功率控制、低频方波驱动的三级式结构的电路设计，并搭建了样机，实现了160V～265V宽电压输入，功率因数PF≥0.99，总谐波畸变因数THD≤9．1％，电路可靠工作，通过了电磁兼容传导干扰测试。

简介：高压水射流作为一种新型、高效、清洁的能量,与机械刀具联合作用清洗油管具有优势.根据不同使用条件和适用对象,对水射流参数进行调整,对钻头切削齿和喷嘴布置进行合理的设计.首创了一种高压水射流处理水泥堵塞油管新技术,设计制造了清洗堵塞油管专用设备和工具,现场实验取得了突破性进展.

简介：随着经济发展和科学技术的进步,集成电路（IntegratedCircuit）产业保持着持续、快速的发展。作为集成电路产业链中的一个重要环节,集成电路测试在评价集成电路电性能、质量和可靠性等方面提供了有力的技术支撑,其中集成电路高压测试是进行电源管理、高压驱动等一系列芯片耐压单元性能检测的重要环节。主要研究集成电路成品高压测试过程中存在的一些问题以及相应的解决方案。

简介：作为一种高能束加工新技术,高压水射流以其高效、节能、清洁、机动灵活的特点,在各行各业中的应用越来越广泛.本文简要介绍了高压纯水射流、脉冲射流、空化射流及磨料射流的发展、特点及其在清洗、切割和其它方面的应用.

简介：合理匹配清洗机的压力、流量、喷嘴直径及胶管直径,会更有效地发挥高压水射流清洗机的使用性能.本文通过对影响高压水射流打击力的主要参数进行分析来论述这一问题,使人们更好地使用高压水射流清洗机.

简介：概述高压水射流清洗机柱塞密封的寿命和可靠性是清洗机制造商和最终用户都十分关心的敏感问题,它直接影响成套设备的使用性能和可靠性,笔者总结多年从事高压水射流清洗技术研究及清洗设备开发、生产和售后服务的实践经验,跟踪分析近千台汇博牌GS系列高压水射流清洗机的使用情况,在本文中对目前应用比较广泛的几种中高压清洗机柱塞密封形式的优缺点进行了介绍和比较。

简介：基于终端客户在产品应用面对信赖性及可靠性要求越来越高的情况,开发出一种绿色环保环氧塑封料EMC-GTR,满足高导热及高可靠封装要求,用其封装的器件通过了AEC-Q101-REV-C《基于离散半导体元件应力测试认证的失效机理》考核。

简介：针对抗辐照SOIPMOS器件的直流特性与低频噪声特性展开试验与理论研究,分析离子注入工艺对PMOS器件电学性能的影响,并预测其稳定性的变化。首先,对离子注入前后PMOS器件的阈值电压、迁移率和亚阈摆幅进行提取。测量结果表明：埋氧化层离子注入后,器件背栅阈值电压由-43.39V变为-39.2V,空穴有效迁移率由127.37cm2/Vs降低为80.45cm2/Vs,亚阈摆幅由1.35V/dec增长为1.69V/dec;结合背栅阈值电压与亚阈摆幅的变化,提取得到埋氧化层内电子陷阱与背栅界面态数量的变化。随后,分析器件沟道电流噪声功率谱密度随频率、沟道电流的变化,提取γ因子与平带电压噪声功率谱密度,由此计算得到背栅界面附近的缺陷态密度。基于电荷隧穿机制,提取离子注入前后埋氧化层内陷阱态随空间分布的变化。最后,基于迁移率随机涨落机制,提取得到离子注入前后PMOS器件的平均霍格因子由6.19×10-5增长为2.07×10-2,这表明离子注入后器件背栅界面本征电性能与应力稳定性将变差。

简介：大规模集成电路的出现，促进了电子设备的高功率密度化。这要求为之供电的直直变换器也随之高功率密度化。高频、高效开关变换是直直变换器实现高功率密度的基础。文章阐述了一种采用UC3844集成芯片实现的新型高压输入DC／DC反激开关电源，并给出了详细的电路参数及高频变压器的设计方法，该开关稳压电源采用双闭环电流控制模式，其输入、输出电路采用光耦隔离。