简介：7月6日，7月6日，高斯国际宣布任命罗杰斯（BillRogers）先生为信息系统副总裁及首席信息官（CIO）。他将负责领导高斯国际全球信息系统的工作。

简介：1超微细MOS中的离子注入对于离子注入技术,可以说从浅结注入开始大约已有10年的研究历史,有关该技术的研究结果已有一些已经发表,诸如,预非晶化和低能量注入以及灯退火(RTA).

简介：随着近年来液晶面板的兴起以及越来越大的尺寸，高压LCD驱动日渐受到市场的关注。该产品生产中采用了埋层注入和外延工艺，作为N型搀杂的锑注入其工艺稳定性直接影响了外延层的位错／层错缺陷。原先的锑注入监测工艺周期时间长成本高，为了寻求一种更适用于量产的监测方法，文章对锑工艺区别于其他N型注入工艺监测的原因做了进一步分析，提出了一种改进的监测方法，通过低温快速热退火实现了短周期，剂量敏感且具有良好重复性，易于量产。

简介：注入电流是影响VCSEL偏振特性的重要因素。谊论文通过实验，测量了VCSEL的出射光偏振特性随着注入电流的变化。观察到了两次偏振转换的过程，即随着注入电流的升高出射偏振光由椭圆偏振光——圆偏振光——椭圆偏振光——圆偏振光——椭圆偏振光的过程，并且在变化的过程中电流的变化范围很小。

简介：摘要低渗透油田具有低渗、低压、低产的特点，通过掌握注入剖面情况可以了解产出状况。要不断引入先进技术，才能确保工作顺利开展，取得更好的效果。文章介绍了几种不同的方法，可以发挥出有效作用，从而推动油田事业可持续发展。

简介：利用边界元法编制了计算磁控注入枪的程序，并使用该程序设计和模拟一个工作在35GHz，70kV，10A基波回旋放大器的单阳极磁控注入枪，得到较好的计算结果。并给出了工作电压、磁场分布对电子束性能的影响。结果表明，边界元法在分析磁控注入枪系统和回旋器件电子光学方面是一种非常有效的方法。

简介：本文用光荧光(PL)方法研究了磷离子注入具有两个不同发射波长的InGaAsP/InP双量子阱结构引起的混合.注入能量为120keV,剂量范围为1×1011-1×1014/cm2.注入后,在高纯氮保护下,样品在700℃进行快速热退火30秒.实验结果表明,小剂量注入(～1011/cm2)能较好地诱导近表面阱的混合,且两个阱保持了不同发射波长,说明离子注入诱导量子阱混合与注入深度有关.大剂量注入(>1012/cm2)时,发射波长为1.59μm量子阱混合的程度(蓝移值大于130nm)超过了1.52μm量子阱混合的程度,且两个阱的PL发射峰基本上合并成一个单峰.

简介：摘要美术作为一门艺术型学科，对中学生的发展成长起到了重要的作用。传统的美术教学依旧采用照搬照抄的教学模式，然而随着新课改的进程，中学美术教育面临着全新的挑战和要求。在中学美术教学内容加入美育有利于促进学生身心健康、全面的发展，并且高中生的具有较大的学习压力，美育教育渗透于美术教学有利于学生调整学习的心态，这同时也能为学生的高中学习起到帮助。本文中，笔者具体探讨了中学美术教育中渗透美育的要点和策略，以供参考。

简介：摘要艺术教育是发散性思维、是培养创造力的学科；艺术是育人启智的教育、是完善学生人格的教育；艺术是助于陶冶情操、培养高素质的人才。

简介：针对抗辐照SOIPMOS器件的直流特性与低频噪声特性展开试验与理论研究,分析离子注入工艺对PMOS器件电学性能的影响,并预测其稳定性的变化。首先,对离子注入前后PMOS器件的阈值电压、迁移率和亚阈摆幅进行提取。测量结果表明：埋氧化层离子注入后,器件背栅阈值电压由-43.39V变为-39.2V,空穴有效迁移率由127.37cm2/Vs降低为80.45cm2/Vs,亚阈摆幅由1.35V/dec增长为1.69V/dec;结合背栅阈值电压与亚阈摆幅的变化,提取得到埋氧化层内电子陷阱与背栅界面态数量的变化。随后,分析器件沟道电流噪声功率谱密度随频率、沟道电流的变化,提取γ因子与平带电压噪声功率谱密度,由此计算得到背栅界面附近的缺陷态密度。基于电荷隧穿机制,提取离子注入前后埋氧化层内陷阱态随空间分布的变化。最后,基于迁移率随机涨落机制,提取得到离子注入前后PMOS器件的平均霍格因子由6.19×10-5增长为2.07×10-2,这表明离子注入后器件背栅界面本征电性能与应力稳定性将变差。