简介：<正>Diodes推出双相同步整流降压控制器AP3598A,优化了高性能图形处理器以及中央处理器的核心电源。该器件提供脉冲宽度调制视频识别动态输出电压控制,实现大电流快速响应,从而满足一般输出负载变化大的要求。这款器件采用了引脚数量少的紧凑型U-QFN4040-24封装,包含脉冲宽度调制控制器、一对具有自举二极管的MOSFET驱动器、通道电流平衡及完善的

简介：<正>凌力尔特推出同步降压-升压型DC/DC控制器LT3790,采用单个器件就可提供高达250W功率。LT3790的4.7V至60V输入电压范围使其非常适合多种汽车和工业应用。其输出电压可设定在0V至60V,从而非常适合用作电压稳压器或电池/超级电容器充电器。LT3790的内部4开关降压-升压型控制器采用高于、低于或等于输出电压的输入电压工作,使其成为汽车等应用

简介：无源定位跟踪是一种非线性系统状态估计问题。为了提高系统定位精度和降低系统复杂度,将无迹卡尔曼滤波（UKF）应用于多移动传感器多目标无源定位跟踪系统。由于多移动传感器多目标交叉定位时会产生大量虚假点,随着传感器和目标数量的增加而大幅增加。因此,提出了一种改进的快速精确定位算法,即首先通过预测点选取传感器-目标测量方程;然后变换该测量方程,排除大量虚假点;再进行基于距离的支持度非等权值融合;最后将UKF子滤波估计值进行融合得到融合估计值。仿真结果表明,UKF和基于距离的融合法相结合对多移动传感器多目标无源定位具有较高的定位精度和较好的跟踪效果。

简介：<正>推动高能效创新的安森美半导体(ONSemiconductor)进一步增强用于电机控制应用的产品阵容,推出两款新的方案,用于工业、白家电及消费等各种应用。新的LV8714TA是一款极高能效的双步进电机驱动器,工作电压范围为4V至16.5V。这器件的片上四路半桥通道采用恒流控制,能够独立驱动2个步进电机或4个直流电机。这器件用于单桥臂(leg)同步整流型开关的功率场效

简介：针对现有多触点交互系统集成过程中需根据应用需求修改交互接口的问题，提出了一种与硬件无关的多触点交互系统分层软件框架，规范化定义了交互系统各功能层间接口和交互语法，提高了交互系统与应用系统集成的灵活性。试验证明该软件框架有效性。

简介：<正>罗德与施瓦茨公司的R&SSGU100A射频上变频器将R&SSGS100A矢量信号发生器的频率扩展至从12.75GHz到20GHz的频率范围。通过结合两个仪器,用户现在可以不间断生成从80MHz至20GHz的矢量信号,例如:在航空航天和国防行业的测试系统中使用。一旦结合,则R&SSGS100A和R&SSGU100A表现为一台完整的仪表装置,同时具备一个I/Q输入接口和一个RF输出接口。该联合装置就像一台仪器一样,也可以通过远程或手动控制。根据不同的配置,它占用两个高度单位、1/219英寸宽或一个高度单位、19英寸宽。

简介：针对传统光电感烟火灾传感器因受灰尘、水雾影响较大，易误报，且导致灵敏度降低的问题，研制了一种利用空气中不同悬浮颗粒对蓝光、红外光散射强度不同的特点，通过处理颗粒对蓝光、红外光的散射光信号，以去除灰尘、水雾对传感器报警精度的影响，从而提高灵敏度的新型双光束感烟火灾传感器。经过试验验证，研制的感烟传感器可以有效的对火灾早期烟雾进行报警，测得报警响应阈值为0．36dB／m，且相对于传统的单光束产品，对空气中其它悬浮颗粒的抗干扰能力有显著提高。

简介：为了对某雷达接收机的采样信号进行指标测试，设计并实现了一种光接口数据采集测试系统。该系统硬件部分以FPGA为核心完成光接口对8路中频采样模块16位数据的接收，并配备大容量DDR2对数据进行实时存储，以cPCI芯片CY7C09449PV作为数据采集板与上位机的接口，由计算机应用程序进行控制，将采集到的数据传回计算机中进行时域、频域波形显示，以及ADC动态参数、通道参数的计算。经过测试，系统成功实现同时对8通道数据进行接收并且对其中任意4通道数据进行频谱的绘制以及进行指标计算。

简介：<正>美国加州大学柏克莱分校(UCBerkeley)的科学家们表示已经找到一种可推动芯片电感器(on-chipinductor)技术进展的新方法,将有助于催生新一代微型射频(RF)电子与无线通讯系统设计。加州大学的研究人员们深入探索在纳米磁铁(nanomagnet)中纳米材料合成的最新发展。根据加州大学柏克莱分校机械工程系教授LiweiLin表示,研

简介：文中采用磁控溅射方式在铁氧体基片上制备了微带隔离器的多层膜结构。通过带金属掩模版溅射电阻层,避免了对薄膜电阻的光刻和刻蚀;通过使用铜靶和湿法刻蚀,克服了对溅射用金靶、反应离子刻蚀等工艺技术和设备的依赖。该新型工艺方法简化了镍铬薄膜电阻的制作,降低了薄膜电路的制造成本,可应用于集成电阻的薄膜电路基板的研制。

简介：文章首先介绍了微波多芯片组件两种常见的封装结构形式及导电胶自动分配技术需求,并对接触式和无接触式导电胶点胶技术进行了论述,分析了它们各自的优缺点并对各项点胶参数进行了对比。然后,阐述了计量管式接触点胶技术以及需要研究的针头漏胶、点胶间隙确定以及基板表面状态对胶滴的影响三方面内容。紧接着阐述喷射式非接触点胶技术以及需要研究的空气阻力造成的胶滴飞溅问题。最后,提出计量管式接触点胶技术最适合腔体结构微波多芯片组件自动点胶。

简介：信息系统总线的发展经历了从低速到高速、从单业务到多业务的阶段，目前已实现千兆以太网总线同时承载数据和音频业务。针对下一代信息系统，提出了基于软交换的多业务总线架构设计，将数据、音频、视频、操作和分支总线等业务统一到高速IP通道，通过总线网元和网关等，实现就近接入、灵活操控及综合业务等功能。

简介：针对震动传感器和视频传感器相结合的无线传感器网络系统中能量消耗问题，设计了一种分布式协同调度策略。通过静态和动态调度管理策略的结合，以动态调度为主要方式，解决了区域之间传感器工作时间平衡问题。仿真试验表明，该策略有效地均衡了网络中节点的能量消耗并延长了传感器网络的生存周期。

简介：嵌入式应用中，单指令流多数据流（SIMD，singleinstructionmultipledata）结构的向量处理器在蓬勃发展的同时，也面临着如何高效利用其丰富处理资源的问题。在SIMD的向量结构上，处理实际应用中无法被向量化运算的部分，尤其是很多非向量化的循环内部往往含有体间相关，使得SIMD结构的丰富运算资源处于空闲状态。因此，传统的SIMD结构受限于此类应用。提出了一种变型的向量处理器，在保持传统SIMD处理数据并行应用高效性的同时，能够高效地执行包含循环体间数据相关的代码段。实验结果表明，它能获得2．4倍的性能加速，而仅仅占用0．97％的面积开销。

简介：<正>AnalogDevices,Inc.近日发布最新高度集成式RFIC,可大幅简化多频段基站和点对点(PtP)无线电的设计并降低开发成本。这些最新器件包括:I/Q调制器ADRF6720、I/Q解调器ADRF6820和双通道混频器ADRF6612。高度集成的器件可实现基站和高性能无线电设计——这些设计要求支持多频段、高动态范围和宽通道带宽。这些产品非常适合用于3G/4G通信、微波PtP无线电、军事/航空航天和仪器仪表应用设计。ADI最新的RFIC基于分立式解决方案组合提供等同于无线电设计的性能,但尺寸大幅缩小。最新器件具有嵌入式低

简介：介绍了一种应用于脉冲中子时间谱测量的新型亚纳秒有机闪烁纤维中子探测器,叙述了这种中子灵敏型探测器的探测原理,详细阐述了探测器的结构设计及具体的制作工艺,并给出了达到的技术指标.同时报道了为制作探测器而研制的一种新型亚纳秒有机闪烁纤维,介绍了闪烁纤维的选材、制作及其时间响应特性.

简介：宽带频谱检测的目的是完成对宽频段内信号的检测。在Nyquist采样理论下，为瞬时覆盖这么宽的带宽会对模数转换器（ADC，analog—to-digital）的采样率提出过高要求。研究了基于随机解调器压缩采样的宽带频谱检测方法。该方法能够以低于Nyquist采样率的速率完成对宽频段的采样，降低了ADC的负担。仿真结果表明，在频谱满足稀疏性的条件下，所研究的方法能够较准确检测宽频段内的各个信号。

简介：<正>2014年3月13日——意法半导体(STMicroelectronics,简称ST)积极扩大压力传感器的市场份额,新推出的LPS25H微型压力传感器以其为移动应用优化的独特创新功能赢得一线智能手机厂商的青睐。据IHS研究报告显示,随着消费者对更先进的新款智能手机和平板电脑的需求日益提高,全球消费电子产品压力传感器市场规模将于2017年达到3.75

简介：针对传统多目标概率假设密度（PHD）滤波器在低检测概率情况下跟踪精度低和失跟率高的问题,提出了一种改进的概率假设密度滤波算法。该算法利用高斯混合PHD（GM-PHD）滤波器进行PHD预测和PHD更新,处理过程中通过修正上一拍权值大的高斯项,并在处理当前拍时保证其权值的稳定性,以保证算法的高精度。仿真结果表明,在低检测概率情况下,该算法可较好估计目标数和目标状态。与传统GM-PHD滤波器比,该算法跟踪精度大幅提高。

简介：工作在中、长波红外波段（波长5-12μm）的红外探测器在红外制导、红外成像、环境监测及资源探测等方面有着重要而广阔的应用前景。目前中国军用和民用对这一波段的非制冷型、快速响应的光子型红外探测器有迫切需求。文中用熔体外延（ME）法在InAs（砷化铟）衬底上生长的InAs0.05Sb0.95（铟砷锑）厚膜单晶,制作了高灵敏度、非制冷型、中长波光导型探测器,探测器上安装了Ge（锗）浸没透镜。傅里叶变换红外（FTIR）吸收光谱显示InAsSb材料的本征吸收边出现在波长8μm以后。InAs0.05Sb0.95探测器的光谱响应波长范围为2-9μm。室温下,在波长6.5μm处的峰值探测率Dλp＊达到5.4×10^9cm·Hz1/2·W^-1,在波长8.0μm和9.0μm处的探测率D＊分别为9.3×10^8和1.3×10^8cm·Hz1/2·W^-1,显示了InAsSb探测器的优越性能及对红外探测和成像的应用前景。