简介：介绍了共烧陶瓷多层基板自动光学检测系统中的计算机视觉检测识别的研究，重点介绍了基板图像的采集、预处理、缺陷图像的提取和分类识别方法等。文中提出了一种基于多模板比较和链码跟踪识别的缺陷分类识别算法。实验表明，该算法运算简单，运行速度较快，故障识别率高。

简介：MCM技术推动了现代微电子技术迅猛发展，已广泛应用于各种通讯系统的收发组件之中。AIN基板作为MCM技术多层基板主流之一，由于其高热导率、与硅片匹配的热膨胀系数、高介电常数、兼容各种芯片组装工艺的优点，在各个领域均获得了广泛的应用。文章结合一个微波组件AIN基板的研制，阐述了在AIN基板研制过程中解决的工艺难点，如粉料配制、流延、层压、烧结等，对研制的AIN基板进行了物理性能与电性能测试，结果表明AIN基板完全可以满足大功率毫米波／微波组件的实用化要求。

简介：机载、星载、舰载相控阵雷达由于其特定的使用环境,需要体积小、重量轻、高性能、高可靠、低成本的微波组件。带腔体LTCC基板具有高密度布线、电阻、电容、电感的内埋以及芯片的埋置等特性,是制作机载、星载、舰载相控阵雷达微波组件理想的高密度基板。针对带腔体LTCC集成基板的制造技术,简单介绍其工艺流程,并对腔体成型这项关键工艺进行了分析,提出了相应的解决方法。

简介：1、什么是电热膜供暖系统低温辐射电热膜供暖系统又称“嵌入式供暖系统“,简称电热膜,是世界上先进的供暖方式之一,它是一种以电力为能源,通过红外线辐射进行传热的新型供暖方式。低温辐射电热膜供暖系统的主体是电热膜,它是一种通电后能发热的半透明聚酯薄膜。由可导电的特制油墨、金属载流条经印刷、热压在两层绝缘聚酯薄膜间制成的一种特殊的加热元件。

简介：

简介：低温共烧陶瓷LTCC基板是实现小型化、高可靠微波多芯片组件MMCM的一种理想的封装技术，文章对LTCC技术的特点及应用做出了评述，主要介绍国内外LTCC的现状、发展趋势与问题，同时突出强调了LTCC的飞速发展及对微波器件的重要性。

简介：低温共烧陶瓷（LTCC）是实现小型化、高可靠性多芯片组件的一种理想技术方式。多层转换电路实现了微波信号在基板内部传输。文章研究了微带线到带状线背靠背式多层转换电路，优化设计了通孔之间距离以及通孔到带状线之间的距离，仿真结果与实测较为吻合。

简介：将水膜除尘器供水方式由外水环管改为内供喷嘴形式,避免了水膜除尘器进水口缝隙堵塞的问题。提高了污水的重复利用率,达到节约用水的目的。

简介：

简介：近年来，砷化镓器件的发展极为迅速.其中，欧姆接触的制作是器件研制的关键工艺之一。为了提NGaAsPHEMT器件欧姆接触的性能和可靠性水平，文章比较了三种常见的GaAsPHEMT器件欧姆接触制备技术的差异，分别是：分层蒸发、溅射＋蒸发、双源共蒸通过传输线模型（TLM）法测试数据以及微细形貌分析，得出双源共蒸工艺制备的欧姆接触的电阻率和均匀性综合特性最佳，因此认为双源共蒸技术在大尺寸GaAsPHEMT圆片工艺中具有最优的综合特性。

简介：文章讨论了低温共烧陶瓷（LowTemperatureCo—FiredCeramic——LTCC）埋置电感的几何结构，并进行了仿真。分析了结构变化对电感各参数的影响，并通过LTCC工艺流程实现样品的制作。经Agilent4285A及4291B等仪器测试，仿真结果与实测结果完全一致，为等效模型的提取和元件库的建立奠定了基础。

简介：主要介绍基于GMPLS的多区域／多层面网络的基本概念与功能需求，并对功能需求分成两个方面进行分析，主要讨论了在该网络体系结构下实现相应的功能需求需要对GMPLS协议进行的扩展以及引入的新机制。

简介：新建三聚氰胺系统的循环水系统因在制造，加工，储放运输，安装等一系列过程中混入或产生的氧化皮，焊渣，油污，沙石，泥土和保温材料等各类杂质及腐蚀产物，为循环冷却水的正常投运创造必要的条件，同时也使循环水系统在开车后能够迅速达到设计要求并保证系统的正常稳定长周期的运行，而对循环水系统进行系统化学清洗和预膜。

简介：文章主要介绍了通过对厚多晶硅膜进行饱和掺杂来制作低阻值多晶电阻的方法。分析了多晶硅掺杂扩散模式，其中A类扩散模式能够得到较低的多晶电阻。要使杂质以A类扩散模式掺入多晶硅中，需要采用炉管扩散的方式进行长时间的掺杂。受杂质固溶度影响，一定厚度的掺杂多晶硅电阻值是无法无限制降低的，要制作低阻值多晶电阻，需要淀积厚多晶硅薄膜。文章选择炉管扩散的方式，进行低阻值的多晶硅薄膜制作，并通过实验，证实该方法可以得到稳定、均匀、低阻值的多晶硅方块电阻。

简介：<正>Berkeley实验室的研究人员在Si衬底上采用氮化铪(H_fN)中间层生长出优良结构和光学质量的GaN膜。这些研究人员还建立了在Si上淀积H_fN和在H_fN上淀积GaN的工艺参数。用Si衬底而不用蓝宝石衬底来生长GaN提供了很大的成本优势,并提供了GaN基器件与常规Si电子器件单片集成的可能性。

简介：　　1前言　　对于MOS晶体管的栅氧化膜来说,按照高集成化、高性能化的比例要求,在采用0.35μm工艺技术的64MDRAM中,要求薄膜减薄到10nm,而在0.25μm的256MDRAM中则要减薄到8nm.对于高性能CMOS逻辑电路来说,在薄膜化方面的要求比DRAM还要早一个时代,对于0.25μm工艺来说,则要求使用6nm这样极薄的氧化膜.　　……

简介：

简介：将有机材料PBD和Alq3交替生长，制备PBD／Alq3有机多层量子阱结构（OMQWs）。利用电化学循环伏安法和光吸收分别测定PBD和Alq3最低空分子轨道（LUMO）和最高占据分子轨道（HOMO）。从能带图可看出，类似于无机半导体中的Ⅰ型量子阱结构。利用小角X射线衍射（XRD）和荧光光谱研究了OMQWs的结构特征和光致发光特性。本文基于四个周期制备了不同势垒层和势阱层厚度的样品。随着势垒层厚度地变化，PBD与Alq3之间的能量转移也有所变化，文中将给与讨论。

简介：由励展博览集团和中国国际贸易促进委员会电子信息行业分会共同主办的第十五届华南国际生产设备暨微电子工业展（NEPCONSouthChina2009），将于8月26日-28日在深圳会展中心华彩登场。同期举办的展会有华南国际电子制造技术展览会（EMTSouthChina）、

简介：共沸混合物在溶剂清洗剂中有着广泛的应用,文章介绍了有关的物理化学原理,以期使读者对共沸混合物的性能特点以及配制的方法有较深入的了解.