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TFT中PECVD氮化硅成膜参数对成膜速率的影响研究

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摘要摘要：以TFT工艺为基础的器件，主要的材料包括绝缘层（SiNx）、非晶硅半导体层（a-Si）和电极层材料。其中，绝缘层和非晶硅层需要通过CVD成膜制备。在所有CVD成膜技术中，PECVD可以起到明显的增强效果，该种技术的能量来自等离子体（Plasma），反应气体的活性增加，保证薄膜在积淀之后可以更加均一，同时具有良好的覆盖率。本文主要分析了工艺参数对PECVD氮化硅成膜效率的影响，在实验的过程中对以射频功率为代表的几个参数进行调整，最后得出相关的实验结论。

DOI 3j77g80gj1/5605077

作者李广录

机构地区南京中电熊猫液晶显示科技有限公司江苏南京 210046

出处《中国科技信息》 2021年12期

关键词 TFT工艺 CVD成膜成膜速率

分类 [][]

出版日期 2021年11月01日（中国期刊网平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）