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氮化硅薄膜制备及其质量控制方法研究
氮化硅薄膜制备及其质量控制方法研究
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摘要
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DOI
0dpplpn9d2/3656021
作者
马静安静
机构地区
(西安微晶微电子有限公司陕西省西安市710000)
出处
《当代电力文化》
2019年10期
关键词
半导体
VDMOS功率器件
钝化膜层
正交试验
分类
[电气工程][电力系统及自动化]
出版日期
2019年10月20日(中国期刊网平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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来源期刊
当代电力文化
2019年10期
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