简介：纳米技术和光电子技术是一门新兴的技术,近年来,越来越受到世界各国的重视.本文主要介绍纳米光电子学的基本概念,发展模式,纳米光电子器件的最新进展和发展趋势.

简介：<正>中国首次实现碳化硅大功率器件的批量生产,在以美、欧、日为主导的半导体领域形成突破。业内专家指出,这一突破有望缓解中国的能源危机。泰科天润半导体科技(北京)有限公司G2S06010碳化硅肖特基二极管产品鉴定会暨新产品信息发布会近日在北京举行。鉴定委员会认为该公司的量产

简介：Dialog、恩智浦、安森美半导体、TI等公司正在开发GaN基功率半导体器件。面对这些传统功率器件巨头的竞争，NAVITAS如何突出重围呢？

简介：本文对当前国内外塑封微电子器件可靠性研究中流行的“水汽作用”、“膨胀系数不匹配”和“热应力”等观点进行了分析和评论，认为这些观点仅只是影响可靠性的“外部条件”，而其决定因素，即“内因”，应该是器件本身的“力学结构”。合理的“力学结构”不仅能从根本上解决器件的可靠性问题，而且还能影响在塑封时模制化合物的均衡流动，有助于空洞和充不满等缺陷的消除。“力学结构”的观点将为可靠性研究和提高器件生产率开辟一个崭新的领域。

简介：随着微电子塑料封装IC器件吸潮可靠性影响的深入研究，综合分析热、湿及蒸汽压力对塑封器件的可靠性影响是必不可少的工具。本文从理论、模拟分析的角度，回顾并分析了综合考虑热，湿及蒸汽压力对塑封IC器件可靠性影响的分析方法；从已有的理论方法和研究结论来看，综合考虑热、湿及蒸汽压力对器件失效影响更精确的表征了器件的实际失效情况，正成为微电子封装可靠性研究领域的热点，其研究思路受到了越来越多的关注和重视。

简介：一个透明的3-巯基丙基三甲氧基硅烷（MPTMS）/银/氧化钼复合阳极制备绿色有机发光二极管（OLED）。研究了亮度复合阳极和有机电致发光器件的工作电压的影响。通过优化各层的MPTMS/银/氧化钼结构的厚度，对MPTMS/银的透光率（8nm）/MoO3（30nm）达到75%以上在520nm左右。的薄层电阻为3.78？/□，与此相应的MPTMS／Ag（8nm）/MoO3（30nm）的结构。为优化阳极的有机电致发光器件的电致发光（EL），最大电流效率达到4.5cd/A，最大亮度是37和036cd/m2。此外，通过优化阳极的有机电致发光器件具有非常低的工作电压（2.6V）获得100cd/m2的亮度。我们认为，改进的设备性能主要是由于增强的空穴注入造成的减少孔注入势垒高度。我们的研究结果表明，使用MPTMS-SAMs/银/氧化钼作为复合阳极可以在低工作电压和高亮度OLED的制作一个简单的和有前途的技术。

简介：

简介：<正>东芝公司最新发布了一系列500KA和750KA的不间断电源,供应于有碳化硅基功率器件构建的数据中心。G2020系列运行效率为98%,据称是双倍转换式不间断电源行业内最高的运行效率。与传统的不间断电源相比,G2020系列新产品产生热量、噪声和干扰较小,降温成本较低,也更加节省能源。东芝公司功率器件部门的产品经理JesusPenalver表示,功率电力电子的未来在于碳化硅功率开关转换技术,该技术具有高于传统技术33%的结温,更高的转换开关速度,和极低的转换损耗。G2020系列产品相较前一代产品G9000footprint尺寸缩小17%,比市场同类竞争产品的尺寸最高缩小57%。

简介：随着电子制造技术的不断发展，电子元器件的体积正变得越来越小，同时在整个供应链中有效管理并保护湿敏器件，对于电子制造商来说也正变得越来越重要。而管理和保护湿敏器件的目的就是为了避免从表面贴装的起始阶段就使用受到潮湿损坏的器件。

简介：TE电路保护部宣布推出其可回流焊热保护（RTP）器件系列的最新成员RTP200R060SA器件，该RTP系列是典型热保险丝的一种更便利、高性价比的替代方案。RTP器件有助于防止因各种场效应管、电容、集成电路、电阻和其他功率元器件损毁和失效所引起的热失控伤害。

简介：在硅晶圆上生产半导体激光器一直以来是半导体行业的目标,这种制造工艺向来极具挑战性。近日,新加坡科学技术研究院A＊STAR开发出一种新颖的制造方法,成本低廉、过程简便且可扩展性强。该混合硅激光器将III-V族半导体（如砷化镓和磷化铟）的发光特性与当前成熟的硅制造技术完美结合起来,可以将光子和微电子元件集成在单一硅芯片之中，从而获得价格低廉、可大批量生产的光学器件。