简介：一个可切换的双波长掺铒光纤激光器（波长可调谐掺铒光纤激光器）的证明。环形腔由光纤布拉格光栅（光纤光栅）和一个球形的形状结构的纤维过滤器，分别由2个分支。通过调整可变光衰减器（美国之音），激光可以在单一波长模式和双波长模式之间切换。球型结构对温度有很好的敏感性。当温度从30°C至190C°°，由球形结构的分支从1551.6～1561.8nm的变化产生的掺铒光纤激光器的中心波长，即波长间隔可调。

简介：随着互联网、数码相机、扫描仪的普及，逐步提供了彩色化的基础，市场竞争的激烈程度与日俱增，使得无论企业和个人都渴望专业化。个性化的文件输出，才能够保证在这个激烈竞争中脱颖而出。彩色商用文件是信息化社会中最为有效，最为吸引人的信息。“眼球经济”需要彩色商用文件的强力支持，这是一个颠扑不破的商业真理。

简介：不同的用户对办公设备有着不同的需求．对于既需要实现文件打印．同时还有复印、扫描等多种功能需求的用户来讲，多功能一体机是一种很好的选择。一体机具备功能丰富、占用空间小、性价比高等特点，但目前市场上大多数的一体机都是喷墨一体机，它的耗材成本相对较高，成为很多青睐一体机的用户的选购阻碍。Laserjet3030最大的特点是能够将多种应用相

简介：设计一种灵活多速率直调激光器驱动电路方案,该方案采用精确温度控制、宽带数字信号直接驱动及高稳定波长输出蝶形激光器相结合的方式,可实现直调方式下激光器驱动信号的长距离传输。测试结果表明：电路方案设计灵活,光性能参数优异,可实现50Mb/s～2.7Gb/s,最大调制电流为80mA,距离为175km的信号传输。

简介：摘要本文利用贵南高铁都安隧道采集的断面数据进行三维激光扫描仪及全站仪的断面测量精度和断面测量的效率进行对比，得出三维激光扫描仪进行断面扫描精度能够满足断面扫描的要求，效率可以得到极大的提高的结论。

简介：采用锁定于Cs原子D1线Fg=4→Fe=3跃迁能级的894nm激光极化了填充有Cs原子和4He原子混合原子吸收室中的Cs原子,然后通过Cs原子和4He原子的自旋交换作用使得亚稳态4He原子产生极化。这种采用间接方式实现4He原子极化的方法,可以避免4He原子与光源直接作用产生的光频移,能够非常有效地减小共振线宽和实现高准确度磁场测量。设计了自旋极化的亚稳态4He原子在磁场中的拉莫尔频率检测电路以实现磁场测量。

简介：在阐述主动锁模掺铒光纤环激光器的锁模原理与锁模脉冲生成机制的基础上,进一步论述了阻碍主动锁模掺铒光纤环激光器实用化的两种稳定性问题,并提出了一些相应的解决方案.

简介：彩色激光打印机到了2004年，已经逐渐取代了黑白激光打印机的地位，成为市场上的主导产品，但更为重要的是彩激已经开始在更为宽泛的领域被广泛应用。像广告公司开始用彩激来方便地打印广告设计稿件．传统印刷厂也开始采用彩激来承包短版印刷，还有像《桌面黄页》这样的杂志社也都纷绗采购了彩澈来打印以往黑白的编辑稿件和从前都外包打样的出版前样书。

简介：面对彩色办公浪潮．全球领先的文件处理专家富士施乐针对政府机关、大型外企、教育行业、入门级广告及CAD制作等多个行业和用户群体．推出了全新A3幅面彩色网络激光打印机DocuPrintC2428，满足商务办公用户对彩色输出的需求。

简介：随着数字化版材的国产化以及CTP技术在中国市场的成熟．越来越多的印刷企业开始应用CTP技术，还有更多的印刷企业正在面临CTP系统的选择。如何在提升品质的同时．兼顾成本、效率？北京北大方正电子有限公司（以下简称“方正电子”）于4月10日、11日两天在ChinaPrint2007中国（广东）国际印刷技术展览会期间举办了主题为“尽善尽美精益求精”方正畅易紫激光CTP用户开放日活动，

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简介：<正>近日,日亚化学工业股份有限公司宣布将会把应用于汽车显示器(HUD)的蓝色(B)和绿色(G)半导体激光二极管产品商业化。日亚化表示,虽然目前各种半导体激光二极管已实现商业化,但这将是市面上第一个车用的蓝色和绿色产品。公司计划从2014年10月开始出样品,并在2015年10月进行量产。据日亚化介绍,和使用LED相比,通过使用红色、绿色和蓝色半导体激光二极管,

简介：2006年9月18日，来自英特尔公司和美国加州大学圣芭芭拉分校（UCSB）的研究人员成功研发出了世界上首个采用标准硅工艺制造的电力混合硅激光器（HybridSiliconLaser）。这项技术的突破标志着用于未来计算机和数据中心的低成本、高带宽硅光子学设备产业化的最后障碍之一已经被解决。

简介：本文采用负电源纯模拟电路方案对长波段掺铒光纤放大器(L-bandEDFA)的980nm泵浦激光器的驱动电路和温度控制电路进行了设计和调试,得到符合设计要求的结果.并以此为基础对我们自制的L-bandEDFA进行了实验测试,取得了令人满意的结果.

简介：在硅晶圆上生产半导体激光器一直以来是半导体行业的目标,这种制造工艺向来极具挑战性。近日,新加坡科学技术研究院A＊STAR开发出一种新颖的制造方法,成本低廉、过程简便且可扩展性强。该混合硅激光器将III-V族半导体（如砷化镓和磷化铟）的发光特性与当前成熟的硅制造技术完美结合起来,可以将光子和微电子元件集成在单一硅芯片之中，从而获得价格低廉、可大批量生产的光学器件。

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简介：来自日本东京大学的研究团队声称首次实现了在硅衬底砷化镓（GaAs）量子点（QD）激光器中电泵激1．3μm砷化铟（InAs）的材料生长工艺，该砷化镓衬底是利用分子束外延技术（MBE）直接生长在同轴（001）硅衬底上的。