简介:利用水热合成方法合成了2个新的配位聚合物[Ag(4,4′-bpy)(H2PO4)].2H2O(1)和[Cu4(L)8H4](2)(4,4′-bpy=4,4′-联吡啶,L=4-咪唑基苯甲酸),并通过元素分析、红外光谱和X-射线单晶衍射方法确定了该化合物的晶体结构.结构分析表明化合物1属于单斜晶系,P2/c空间群,晶胞参数a=8.4909(17)nm,b=8.7284(17)nm,c=18.498(4)nm,β=100.99(3)°,V=1.3458(5)nm3,Z=4,R1=0.0362,ωR2=0.0966.化合物1展示了一个一维的链式结构.化合物2属于单斜晶系,C2/c空间群,晶胞参数a=24.509(5)nm,b=18.957(5)nm,c=17.246(5)nm,β=119.807(5)°,V=6.953(3)nm3,Z=4,R1=0.0455(3564),ωR2=0.1519(6161).化合物2中存在着丰富的π…π堆积作用.
简介:由于红外吸收光谱法具有许多突出的优点,因此它在许多领域有广泛的应用。在薄膜、合成纤维、橡胶、塑料等高聚物的研究方面,用于单体、聚合物、添加剂的定性、定量和结构分析。一般高聚物的红外光谱中谱带的数目很多,而且不同种类的物质其光谱很不相同,特征性很强。此外红外光谱法的制样和实验技术相对比较简单,它适用于各种物理状态的样品。本实验研究以高聚物薄膜材料做样品,对样品高聚物进行红外光谱分析,分析表明,本实验所用样品高聚物成分为聚乙烯材料,这个实验结果也表明,用红外光谱法鉴定高聚物的组成非常有效。红外光谱法用于定量组分分析,与其它测量方法相比,具有制样简单方便、重复性好和测量精度高的特点。
简介:构造了适用于含热阻多层复合材料壳体温度场计算的壳体温度单元,由于热阻的出现,假设壳体沿厚度方向的温度分布为分段多项式函数,使其满足壳体在内、外表面的边界条件,并在壳体温度单元上每个节点引入额外自由度,从而确定了分段多项式函数的系数.在此基础上,以双层材料为例,假设分布函数为二次分段多项式,给出了有限元列式.算例表明,该单元用于稳态问题时,使用二次分段多项式,温度计算结果就能达到较高的精度;用于瞬态问题时,使用三阶分段多项式,可使温度计算结果具有较高的精度.另外,通过将蜂窝夹芯板的夹芯层等效为热阻,利用构造的壳体温度单元计算了蜂窝夹芯板的热传导问题,计算结果与实验结果符合较好.
简介:随着有色金属选冶技术的发展,有色金属物料越来越复杂,对分析检测要求越来越高,为了加强各相关企业间的交流与合作,促进有色金属行业分析技术的推广与规范,进一步提升新技术、新仪器、新方法在有色金属分析中的应用,由中国分析测试协会、中国有色金属学会、中国矿业联合会、北京材料测试服务联盟主办,北京矿冶研究总院、国家重有色金属质量监督检验中心、《中国无机分析化学》编辑部承办,拟于2013年8月在北京举办“第一届全国有色金属分析检测与标准化技术交流研讨会”。会议将围绕有色金属分析中的热点、难点问题,探讨复杂原料与中间物料中主要计价元素及有害元素、高纯金属中痕量杂质元素分析方法,交流科研成果和实践经验。会议拟邀请有关领导以及国内分析测试领域知名专家学者作专题报告。热诚欢迎大家踊跃投稿和参加会议。
简介:金秋送爽,丹桂飘香,在收获的季节,2013年10月20-24日,"第一届全国有色金属分析检测与标准化技术交流研讨会"在北京展览馆宾馆隆重召开。会议由中国分析测试协会、中国有色金属学会、中国矿业联合会选矿委员会、北京材料分析测试服务联盟主办,北京矿冶研究总院、国家重有色金属质量监督检验中心、《中国无机分析化学》编辑部承办,得到仪器信息网、分析测试百科网、有色金属在线、安捷伦科技(中国)有限公司、岛津(中国)有限公司、德国耶拿分析仪器股份公司和北京海光仪器公司的热情参与和赞助。参加会议的代表150多人,包括国内多名在分析检测和标准化方面影响深远的知名专家学者和业内权威人士。
简介:测量了ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO-Co2O3,ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO-Cr2O3,ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO-MnO2和ZnOTiO2-Bi2O3-CuO-MnO2-Co2O3-Cr2O3压敏陶瓷的正电子寿命谱及其电性能参数。研究了MnO2、Co2O3和Cr2O3掺杂对ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO压敏陶瓷电子密度和电性能的影响。实验发现:ZnO-TiO2-Bi2O3-CuOCr2O3压敏陶瓷基体和晶界缺陷态的电子密度均最高,其压敏电压最低;ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO-MnO2压敏陶瓷晶界缺陷态的电子密度最低,其压敏电压比前者高;ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO-Co2O3压敏陶瓷基体(晶粒内)的电子密度最低,其压敏电压较高;而ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO-MnO2-Co2O3-Cr2O3压敏陶瓷基体和晶界缺陷态的电子密度均较低,其压敏电压VT和非线性系数ɑ最高,漏电流IL最小。