简介：摘要：集成电路厂房是高能耗产业，其电费支出通常是非常高的。晶圆制造过程中涉及多个复杂的步骤和设备，这些都需要大量的电力支持。此外，晶圆厂还需要维持厂房的洁净环境，只要厂房运转，无论产量多少，都必须维持厂房的运转，这也会增加电费支出。

简介：摘要  近年来，我国科学技术取得了快速的发展，部分领域的技术水平已达到世界先进水平。其中，作为新技术的重要代表，电子科学技术呈现出快速发展的态势。而半导体材料的发展则为电子科学技术的进一步发展提供了重要基础。本文对电子科学技术中半导体材料发展趋势进行了深入分析。

简介：摘要传统半导体纳米材料大部分为多晶结构或单晶结构。而介晶是一类由初级纳米颗粒以结晶学有序的方式自组装而成的纳米粒子超结构，具有类似单晶的原子结构和散射特征，既保留着初级纳米颗粒的晶界，又表现出强烈的各向异性，从而具有与多晶和单晶均不同的独特结构与性能。例如，介晶结构中的初级纳米颗粒以一定的方式相互连接，与无序堆积的多晶相比，具有极高的结晶性，甚至接近单晶，能够有效减小载流子在材料内部的复合概率；初级纳米颗粒之间的晶界并未完全消失，存在一定的空隙，具有较高的空隙率和比表面积以提供更多的活性位点；初级纳米颗粒在定向吸附过程中有序地取向排列，暴露出高能晶面，显著提高了其反应活性。金属氧化物半导体材料在光催化、电化学和气敏等领域应用广泛，其反应机理均是发生在材料表面的气-液、气-气、气-固反应，因而均需要材料具有大的比表面积和较高的表面活性。而介晶结构是以纳米颗粒作为基本构筑单元的非经典结晶产物，具有比表面积大、孔隙率高、表面活性高等优点，有望获得远超过传统材料的优异性能，因此近年来介晶结构金属氧化物半导体的制备成为了研究热点。研究者们基于物理或者化学驱动的纳米架构自组装过程，通过改进传统制备工艺，如水热法、溶剂热法、离子热法等，成功调控纳米材料成核、生长的方式，制备出具有介晶结构的TiO2、ZnO、CuO、SnO2等半导体材料，并且通过优化制备工艺，可以调节材料的比表面积、孔隙率和表面活性。进一步分析介晶结构与性能的构效关系，对推广介晶结构材料的应用具有重大的指导意义。但是目前介晶的研究还处于起步阶段，各种组分、形貌和结构的介晶的合成、结晶理论的基础研究以及材料的应用开发都还有待进一步探索。

简介：近日，德国汉高技术公司开发成功针对叠层SIP（系统及封装）商业应用设计的半导体级环氧树脂铸模复合材料，该材料专用于各种叠层铸模阵列封装的过模塑。

简介：低维半导体纳米材料由于具备许多特殊的电学及光学性能，近年来受到研究学者的广泛关注。综述了近期国内外低维Ⅳ族元素半导体纳米材料制备方法的研究进展，并对已经报道的制备方法进行了分类和总结，展望了低维元素半导体的研究前景。

简介：摘要：分析了截止2016年10月10日、涉及半导体加工中激光切割相关附属装置的专利申请，分别针对除尘净化装置、冷却循环装置、夹具相关专利申请的国内外来华申请量趋势、技术发展脉络等内容进行分析，以便于大众掌握和了解半导体加工中附属装置于激光切割技术中的专利技术的布局和发展情况。

简介：<正>据美国物理学家组织网1月31日报道,近日,瑞士洛桑联邦理工学院(EPFL)纳米电子学与结构(LANES)实验室称,用一种名为辉钼(MoS2)的单分子层材料制造半导体,或用来制造更小、能效更高的电子芯片,在下一代纳米电子设备领域,将比传统的硅材料或石墨烯更有优势。研究论文发表在1月30日的

简介：摘要电子科学技术当今已经渗透于我们生活中的各个领域，它时刻引领着当前新兴技术产业的发展脚步。而作为电子科学技术发展基石的半导体材料，同样也决定了当今电子工业产业的走势。从第一代半导体材料硅、锗等代表性半导体材料的发展到当今碳化硅、氮化镓、氧化锌等第三代半导体材料的深入研究，都遵循着半导体材料朝着高集成度、低特征尺寸、更宽的禁带宽度等方向进行发展。

简介：选取PZT热释电陶瓷和TeBi半导体作为实验材料,对二者的热电转换特性进行了对比研究。采用恒热流和调频热流两种加热方式对热释电陶瓷和半导体发电片进行加热,使其进行热电直接转换。实验结果表明,PZT热释电陶瓷在调频热流作用下热电转换效果较好,其最优转换频率在0.1Hz左右,热释电陶瓷所发出的电能为交流电,且表现出大电压、小电流的特点；TeBi半导体在恒热流作用下热电转换效果较好,其所发出的电能为直流电,表现出小电压、大电流的特点。

简介：

简介：近日，美国芝加哥大学研究人员在著名学术期刊《自然》上报道了一种创新性方法，有望制备出仅有几个原子层厚度的半导体器件，为科学家和工程人员提供了一个制作超薄、均一半导体薄膜材料的简便、低成本方法，可应用在太阳能电池和智能电话的电子器件中。

简介：<正>半导体材料即将改朝换代。晶圆磊晶层(EpitaxyLayer)普遍采用的硅材料,在迈入10nm技术节点后,将面临物理极限,使制程微缩效益降低,因此半导体大厂已相继投入研发更稳定、高效率的替代材料。其中,锗(Ge)和三五族(Ⅲ-Ⅴ)

简介：        摘要：半导体材料经过了仔细的加工之后可以在众多领域中进行应用。比如：电子管、晶体管、集成电路等可以在网络、计算机、通信领域进行有效的应用。在我国经济发展与社会需求下，我国的半导体材料获得了比较大的进步与发展。为了更好的使半导体材料推进我国经济的发展与社会的进步，我们需要对于电子科学技术中半导体材料应用的现状、未来发展趋势问题进行全面的分析与研究工作，使其可以在推进人们生活品质中发挥出积极的影响。在电子科学技术的发展过程中，半导体材料是一个非常关键的种类，本文主要针对电子科技技术中的半导体材料的发展进行研究，明确了当前半导体材料的发展现状以及未来的一些材料的发展趋势，希望能够为今后的发展带来参考借鉴。

简介：摘要：半导体芯片是电子设备的核心，其设计、制造、封装、测试等过程对芯片有很大影响。目前高速光通信应用的光电探测器芯片制造工艺一直受到广泛关注，聚酰亚胺（PI）复合物膜材料耐水解、耐高温、取向稳定性好等优良特点，在磷化铟半导体芯片制造工艺中越来越得到广泛的应用。本文从半导体芯片的技术工艺流程入手，对芯片端面解理、镀膜工艺以及台面制作工艺对半导体芯片的发展形势和封装工艺作相关探讨。

简介：摘要：随着社会的发展，我国已经进入了知识经济时代，电子科学技术作为一项创新技术，在我国各个领域得到了广泛的应用和发展，它的研究开发对我国的发展和实现科技电子产业化具有重要意义。半导体材料是电子科学技术研究和生产的基础材料，随着我国半导体器件朝着高集成度、小尺寸的方向发展，半导体材料的重要性凸显。本文分析了我国电子科技领域半导体材料的发展趋势，希望能够为相关专业人士提供一些参考。

简介：【摘要】随着科学技术的不断发展，人类对半导体材料的认识不断深入，与传统的Si、Ge和GaAs材料对比，以SiC、GaN为代表的第三代宽禁带材料具有禁带宽度大，热导率大和抗辐射能力强等性能优势，近年来，其在高温、高压、高频率和高功率器件等领域得到了更加广泛和深入的研究。

简介：摘要：电子科学技术当今已经渗透于我们生活中的各个领域，它时刻引领着当前新兴技术产业的发展脚步。而作为电子科学技术发展基石的半导体材料，同样也决定了当今电子工业产业的走势。从第一代半导体材料硅、锗等代表性半导体材料的发展到当今碳化硅、氮化镓、氧化锌等第三代半导体材料的深入研究，都遵循着半导体材料朝着高集成度、低特征尺寸、更宽的禁带宽度等方向进行发展。

简介：为提高金属模具材料的性能,研究了激光增材技术（3D打印）、激光熔覆技术和激光淬火技术等.结果表明：激光3D打印技术制备的镍基合金表面结晶细致均匀,可用于制造模具镶块材料.在25号钢上激光熔覆钴基合金制备的模具材料的硬化层深度可达1.45mm,模具硬度达到维氏硬度500以上.半导体激光淬火处理作为H13钢热处理的最后一道工序,使模具钢的硬度提高了50%以上.

简介：<正>近日,韩国蔚山科学技术大学能源化学工学部教授白钟范成功用合成氮和碳,开发出比硅功能强100倍的新的半导体材料。该项研究成果已刊登在国际学术杂志《NatureCommunications》上。之前,很多研究人员认为,替代硅半导体的理想物质将是石墨的单原子层"石墨烯(Graphene)"。石墨烯之所以被称为"革命性的新材料"是因为导热性

简介：摘要在电子科学技术的发展过程中，半导体材料是一个非常关键的种类，本文主要针对电子科技技术中的半导体材料的发展进行研究，明确了当前半导体材料的发展现状以及未来的一些材料的发展趋势，希望能够为今后的发展带来参考借鉴。