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  • 简介:1超微细MOS中的离子注入对于离子注入技术,可以说从浅结注入开始大约已有10年的研究历史,有关该技术的研究结果已有一些已经发表,诸如,预非晶化和低能量注入以及灯退火(RTA).

  • 标签: 时代离子注入 离子注入技术
  • 简介:AMD最新Turion64处理器发布不久,矽统科技就推出了三款支持新处理器的芯片组SiSM760、SiSM761GX和SiSM770。这三款芯片组都支持HyperTransport总线,其传输带宽为1600MT/S,M770最大更可支持2000MT/S。M760内建有支持DirectX8.1规格的“Mirage2”显示芯片,并提供一个AGP8X显卡插槽,相应的南桥芯片SiS966L提供两组PCIExpress1X;

  • 标签: SIS 芯片组 Transport DirectX AGP8X显卡 Express
  • 简介:Asimpleandeffectivegreedyalgorithmforimageapproximationisproposed.Basedonthematchingpursuitapproach,itischaracterizedbyareducedcomputationalcomplexitybenefitingfromtwomajormodifications.First,ititerativelyfindsanapproximationbyselectingMatomsinsteadofoneatatime.Second,theinnerproductcomputationsareconfinedwithinonlyafractionofdictionaryatomsateachiteration.Themodificationsareimplementedveryefficientlyduetothespatialincoherenceofthedictionary.Experimentalresultsshowthatcomparedwithfullsearchmatchingpursuit,theproposedalgorithmachievesaspeed-upgainof14.4~36.7timeswhilemaintainingtheapproximationquality.

  • 标签: 图像处理 信号接近 运算法则 信号分析
  • 简介:格林尼治时间2012年10月14日8时37分,一枚俄罗斯"质子-M"火箭(Proton-M)从哈萨克斯坦拜科努尔航天发射场按计划起飞,将搭载的全球最大的卫星运营商Intelsat有限公司新一代通信卫星Intelsat23送上太空。火箭飞行9小时30分钟后,星箭分离,卫星进入近地点及远地点均为37180公里、倾角0°的近地球同步轨道,发射获得成功。提供这次商业发射服务的,是俄美合资的国际发射服务公司(ILS)。

  • 标签: 拜科努尔航天发射场 国际发射服务公司 通信卫星 火箭飞行 质子 INTELSAT
  • 简介:二相编码脉冲压缩信号例如巴克码和M序列已经广泛应用于现代雷达系统中。二相编码波形设计中初始移位寄存器的选择是个关键技术,它直接决定了信号波形在满足最小峰值功率下能否具有最大脉压比。基于免疫学中的抗体克隆选择,提出了用免疫克隆算法(ICSA)来搜索M序列最优初始移位寄存器值。与标准遗传算法(SGA)和一种混合遗传算法(HGA)相比,文中提出的方法有效地战胜了早熟现象,得到了更优的搜索结果。实验结果证明了此算法的可行性和有效性。

  • 标签: M序列 初始移位寄存器 免疫克隆选择算法 峰值主副比
  • 简介:摘要:基于L波段250W的GAN功放管,本文成功实现一款800W的固态脉冲功率放大模块;实验结果表明,该脉冲功率放大器可应用于L频段高占空比脉冲功率发射机中。

  • 标签: L波段GAN功率放大器高占空比
  • 简介:文章以L大学创业孵化体系建设为研究对象,运用问卷调查法,收集相关数据资料,对相关调查结果进行回归分析得出:基础服务能力、政府政策、学校管理、金融服务、孵化效果是影响高职院校创业孵化体系构建的主要因素,从而分析当前高职院校构建创业孵化体系存在的困难,并提出对策建议。

  • 标签: 高职院校 创业孵化 体系建设 对策建议
  • 简介:本文针对EXB841经典IGBT驱动电路存在的不足:过流保护阈值过高、存在虚假过流、负偏压不足,过流无保护自锁及无报警电路。因此,提出一款新型的IGBT模块驱动器TX—K841L,它延迟时间小,工作频率高,驱动能力强,可直接代换EXB841。通过实验测试其在逐波过流和连续过流时(实行软关断,PWM信号封锁)的情况,进一步验证了此驱动器的控制器端可靠而且稳定。而且它还可根据用户需要设定IGBT的短路阈值电压、保护盲区时间、软关断斜率,以及提供了故障反馈保护的接口,使产品的适用性得到极大提高,已经在逆变器、不问断电源、电焊机、伺服系统、轨道交通等领域获得了广泛的应用。

  • 标签: IGBT驱动 TX—K841L 盲区 软关断
  • 简介:研究C—band种籽光对L—bandEDFA泵浦转换效率的影响,实验表明,在L—bandEDFA中注入C—band种籽光时,可以有效提高泵浦转换效率。

  • 标签: L—band EDFA 泵浦转换效率
  • 简介:文章主要介绍了4GL2TPVPDN技术和实现方案。对LTE和eHRPD两种网络模式下L2TPVPDN接入流程、业务配置进行了详细说明,对部署方案进行了探讨。最后结合某省实际部署情况对发现存在的一些问题进行了探讨和研究,并提出了相应的解决办法。

  • 标签: 第四代移动通信 L2TP VPDN APN 隧道
  • 简介:日本工业巨头三菱公司一向在手机研发方面颇有造诣,早前推出的M720与M350都造成了轰动效应。如今手机拍摄已进入百万像素时代,而三菱更是一步到位,震撼性地推出具备富士200万像素CCD摄像头的M900,再次刷新国内拍照手机的记录。

  • 标签: 手机 三菱 200万像素 M350 M720 CCD摄像头
  • 简介:Areviewontheprogressofpowerful2μmsilicafibersourcesinpastdecadesispresented.Wereviewthestate-of-the-artrecordsandrepresentativeachievementsof2μmhigh-average-powercontinuouswave,pulsedfiberlasersandamplifiers,andpowerfulsuperfluorescentsources.Challengeswhichlimitthefurtherpowerscalingof2μmsilicafibersourcesarediscussed,includingpumpingbrightnesslimitation,thermalproblem,andnonlineareffects.Potentialandpromisingroadmapstogobeyondtheselimitations,liketandempumpingandbeamcombining,arediscussed.Prospectsofpowerful2μmsilicafibersourcesarealsopresentedintheendofpaper.

  • 标签: 微米 硅纤维 脉冲光纤激光器 高功率连续波 石英纤维 超荧光光源
  • 简介:第一眼看到三菱M750时,你可能会对他“笨重”的体形有少许诧异,甚至厌恶,这是日系手机的通病。如果抛开它壮硕的外型,M750其实还是比较完美的,应该说M750是一款重内涵而轻外貌的“君子机”。如果你肯随笔者一道与它来个亲密接触的话,也许你就会不由自主地爱上这个颇具内涵的“第二眼情人”。

  • 标签: 三菱公司 M750 外观 性能 手机 CMOS摄像头
  • 简介:Atpresent,chaoticcommunicationshavebeenwidelystudied.However,theseresearchesmainlyfocusonthebinarysystemswhiletheresearchesofM-arychaoticcommunicationsarenotextensive.Tochangethesituation,achaosM-arymodulationmethodbasedonphaseplanepartitionofHamiltonmapisproposed.Firstly,thechaoticmodelofHamiltonmapanditsphaseplanefeaturesaredescribed,andthenthewayofcreatingthechaosM-arymodulationisdiscussed.Next,toevaluatetheproposedmethod,thesystemsimulationresultsandanalysisaregiven.Finally,thechaosM-arymodulationmethodisappliedtocommunications.

  • 标签: 混沌通信 调制方法 多进制 应用 哈密尔顿图 双星系统
  • 简介:Self-organizedIn0.5Ga0.5As/GaAsquantumislandstructureemittingat1.35μmatroomtemperaturehasbeensuccessfullyfabricatedbymolecularbeamepitaxy(MBE)viacycled(InAs)1/(GaAs)1monolayerdepositionmethod.Photoluminescence(PL)measurementshowsthatverynarrowPLlinewidthof19.2meVat300Khasbeenreachedforthefirsttime,indicatingeffectivesuppressionofinhomogeneousbroadeningofopticalemissionfromtheIn0.5Ga0.5Asislandsstructure.Ourresultsprovideimportantinformationforoptimizingtheepitaxialstructuresof1.3μmwavelengthquantumdot(QD)devices.

  • 标签: 量子点 光致发光 分子束外延法 半导体