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241 个结果
  • 简介:本文观察到BaF2:Gd,Eu通过下转换过程实现可见光发射量子剪裁过程。Gd3+吸收一个VUV光子,通过交叉弛豫过程把能量传递给两个Eu3+,从而发射出两个可见光光子,实现量子剪裁过程。通过光谱结果计算,其量子剪裁效率可达194%。

  • 标签: BaF2:Gd Eu 真空紫外量子剪裁 VUV光子 交叉弛豫 可见光光子 光谱
  • 简介:采用XAFS研究了不同方法制备钛硅复合氧化物材料钛K边结构,其结果表明,二氧化钛与二氧化硅复合后,钛原子配位数由原来六配位降低到3—4配位,不同二氧化钛含量样品径向结构函数及近边曲线都有不同,说明经过复合后二氧化钛结构发生改变,并且二氧化钛含量对复合材料结构影响很大。

  • 标签: 钛硅复合氧化物材料 XAFS 二氧化钛 径向分布函数 近边曲线 X射线
  • 简介:本文用EXAFS对三种钴基合成柴油催化剂进行了表征,结果表明Co-Zr共沉淀催化剂与Co/Zr浸渍型催化剂钴物相主要为Co3O4,Co-Zr-Si混合沉淀型催化剂钴物相主要为Co2SiO4,共沉淀催化剂钴配位数明显降低,钴锆相互分散好,接触界面大,因而反应活性高,重质烃选择性高,而混合沉淀型催化剂Co2SiO4物相在预处理条件下难以还原,所以反应活性低,重质烃选择性较差。

  • 标签: 合成 柴油 Co基催化剂 EXAFS 表征
  • 简介:本文介绍用BEPC同步光做激发源,对所研制平面晶体位置灵敏谱仪性能进行研究结果。用LiF(200)晶体,测得TiKα能量分辨率达14.2eV,好于质子激发结果(15eV),能清楚地分开不锈钢中CrKβ与MnKα两峰,和可探测一气溶胶样品中Ti绝对量达10^-9-10^-10g水平。这些数据将为位置灵敏谱仪用同步光开展应用提供重要依据。

  • 标签: 同步光 激发源 PSS 平面晶体位置灵敏谱仪
  • 简介:本文主要利用X射线衍射技术研究由直流/射频磁控溅射方法制备PbZr0.53Ti0.47O3(PZT)/La1.85Sr0.15CuO4(LSCO)集成薄膜界面和表面的微结构,从而给出它界面和表面的均方根粗糙度,有效晶粒尺寸,应变大小,用计算反射率方法对小角衍射曲线做理论模拟,从我们实验结果可见,当所制备铁电/超导薄膜PZT层厚度从48.7nm到996.0nm变化而LSCO层保持1000?不变时,PZT与LSCO应变状态不同,相差近一个数量级,同时PZT层表面的均方根粗糙度略有增加,本报告对实验结果作了初步讨论。

  • 标签: 薄膜 集成器件 X射线衍射 微结构
  • 简介:当散射体系中除散射体外还存在微电子密度起伏时,实测散射强度将形成对Porod定理正偏离,从而使散射体散射失真。提出了一种在长狭缝准直条件下应用模糊强度校正正偏离方法:作出ln[q^3I^-(q)]-q^2曲线,用公式n[q^3I(q)]=InK'+σ^2q^2拟合大波矢区直线,求出斜率σ^2,作出ln[q^3I^-(q)]-σ^2q^2-q^2曲线即为无偏离Porod曲线,由此曲线再还原出无偏离散射强度,即I^-'(q)=exp{ln[q^3I^-(q)]-σ^2q^2}/q^3,再以醇热法合成介孔氧化锆粉体为例进行了讨论。

  • 标签: 小角X射线散射 Porod定理 正偏离 校正 介孔氧化锆粉体 醇热法
  • 简介:选取不同煤化程度五种煤样并制成600℃和800℃半焦,应用同步辐射小角X射线散射研究了其亚微马孔隙结构,得到孔径分布、孔隙率、比表面、分形维数等许多结构参数,讨论了这些参数变化规律。

  • 标签: 孔径分布 孔隙率 比表面 分形维数 半焦
  • 简介:以超临界CO2为溶胀剂所制备PET/PS共混物小角X-射线散射(SAXS)研究表明,PET/PS共混物结构参数与共混物组成及热历史密切相关。按Vonk一维电子密度相关函数法,得到共混物结构参数。过度层厚随PS组分含量增加而增加,结晶片层厚却随PS含量增加而降低。热处理可提高共混物结晶性。内比表面积随PS含量增加而增加是PS使PET韧性和抗冲击性能提高本质原因。

  • 标签: 超临界流体 相区尺寸 超临界CO2 PET PS 共混
  • 简介:利用同步辐射(BSRF)漫散射站四圆衍射仪,对SiC体单晶结构进行了判定以及对利用常压化学气相沉积(APCVD)生长3C-SiC/Si(001)中孪晶及含量进行了分析。六方{10-15}极图证明了该SiC单晶为6H(H为Hexagonal缩写)结构。对3C-SiC外延薄膜,Φ扫描证明了3C-SiC外延生长于Si衬底上,外延取向关系为:(001)3C-SiC//(001)Si,[111]3C-SiC//[111]Si。3C-SiC{111}极图在x=15.8°出现了新衍射,采用六方{10-10}极图以及基体倒格点111、孪晶倒格点002Mapping分析了x=15.8°处产生衍射为3C-SiC孪晶所致,并利用ω扫描估算了孪晶含量约为1%。

  • 标签: X射线四圆衍射仪 SiC体单晶 3C-SiC外延层 孪晶 APCVD 碳化硅
  • 简介:采用X-射线吸收近边结构(XANES)和扩展X-射线吸收精细结构(EXAFS)技术,对用不同原料盐和不同焙烧温度制得Co/γ-Al2O3催化剂中钴微观结构进行了详细表征。XANES结果表明,以硝酸盐为原料盐于500℃焙烧样品Co(N)-500,其Co-K边近边结构与标样Co3O4相似,而其它样近边结构则与标样CoAl2O4相似。随焙烧温度提高。在吸收边前弱吸收峰(1s→3d)逐渐增强。在吸收阈值处,主吸收峰(1s→4p)分裂变得更明显,950℃焙烧样品,在主吸收峰上升过程中出现了肩峰(1s→4s)。这些特征表明,样品中钴主要以Co^2+离子形式存在。钴离子与载体作用加强,使非化学计量尖晶石相在结构上与化学计量CoAl2O4越来越接近。EXAFS结果表明,样品Co(N)-500中,钴主要以Co3O4形式存在。其第一配位壳层Co-O配位数明显低于标样Co3O4,说明该相具有较高分散性。其它所有样品中,钴主要以非化学计量尖晶石相存在,其第一配位壳层Co-O配位数随焙烧温度从500℃提高到950℃,与标样CoAl2O4越来越接近;相同焙烧温度下,从醋酸钴制得Co(A)系列样品更容易形成Co-Al尖晶石相。XANES和EXAFS结果很好地说明了前文中样品对CO氧化和乙烯选择还原NO反应活性规律。

  • 标签: 氧化态 反应性能 微观结构 Co/γ-Al2O3催化剂 XANES EXAFS
  • 简介:采用Czochralski法,我们成功地生长了大尺寸GdCa4O(BO3)3单晶。在对晶体完整性进行检测过程中发现:晶体中存在亚晶界,该晶界贯穿整个大单晶。由于亚晶界两边单体存在取向差,在同步辐射形貌像中可观察到像漂移。根据高分辨X射线衍射所确定取向差,我们计算了对应几个典型衍射形貌像漂移,计算结果与从形貌像中测量结果符合得很好。

  • 标签: GdCa4O(BO3)3晶体 小角晶界 同步辐射 形貌 像漂移 非线性光学晶体