简介：环氧塑封料（EpoxyMoldingCompound）是一种半导体封装用电子材料，主要应用于半导体器件和集成电路芯片的封装文章主要是通过对环氧塑封料的发展历程、典型技术和制造工艺，以及国内外发展状况和市场应用等方面的研究，对全球的环氧塑封料的发展状况进行浅析。文章特别提到有关绿色环保塑封料的应用情况。

简介：台湾行动电话昔及率98年底达到20％，行动电话业者预测99年昔及率应可达到35％，即行动电话使用人口在今年底会达到700万人以上，七家公民营行动电话业者将会落足劲争取300万潜在用户的青睐。

简介：本文介绍的是国内外最新的同时也是最先进的SMT网版模版印刷技术、文中对网版模版印刷技术中三个论题作了精练的阐述：（一）在SMT网版模板印刷技术中使用无铅印料的必要性；（二）从网印技术及产品终极质量的层面出发，提出了对无铅印料品质的若干要求；（三）从使用无铅印料的工作实践说明高端网版印刷需要高素质的复合型工程技术人员。

简介：SIPLACE团队（西门子电子装配系统有限公司）宣布推出一款全新软件SIPLACEalternativeComponents（SIPLACE替代料解决方案），用于支持电子制造商为每个贴装位置定义多种替代料。

简介：

简介：介绍了电磁激励Si微反射镜偏转的光开关的结构,工作原理和制作技术.光开关单元由单晶Si反射镜板、A1弹簧、A1格子、磁性材料、夹持电极、锁挡、矩形杠杆和外磁场组成.通过控制光开关单元的箝位电压、夹持电压和外磁场,可实现独立寻址的光开关阵列.器件制作使用了表面和体微机械工艺(如电镀、体湿法腐蚀和XeF2的深反应离子腐蚀等)工艺.这种器件可实现任一反射镜偏转角的光开关,最大偏转角可达90°.这种光开关是目前极力推崇的全光网络光开关.

简介：AninitialstructuredesignofMMI1×8opticalpowersplittersisreported.ThewaveguidematerialisSi-basedSiO2Ge-dopedanddepositedbyPECVDmethod.Embeddedstripstructureisimpliedinthesectiondesign.ByusingBPM-CAD,afavorableresultisobtainedthatthisdevicehasasounduniformityandfairlylowloss.Meanwhile,simulationsofdesignswithcertainchangedparametersisalsoimplementedforabetterdesignconfiguration.

简介：ThestainlessFe-Mn-Sishapememoryalloy(SMA)coatingwaspreparedonthesurfaceofAISI304stainlesssteel.Theprincipalresidualstressmeasuredbythemechanicalhole-drillingmethodindicatesthattheFe-Mn-SiSMAcladdingspecimenpossessesalowerresidualstresscomparedwiththe304stainlesssteelcladdingspecimen.Themeanstressvaluesoftheformerandthelatteron10-mm-thicksubstrateare4.751MPaand7.399MPa,respectively.What’smore,theirdeformationvalueson2-mm-thicksubstrateareabout0°and15°,respectively.Meanwhile,thevariationtrendandthevalueoftheresidualstresssimulatedbytheANSYSfiniteelementsoftwareconsistwithexperimentalresults.TheX-raydiffraction(XRD)patternshowsε-martensiteexistsinFe-Mn-SiSMAcoating,whichverifiesthemechanismoflowresidualstress.That’stheγ→εmartensitephasetransformation,whichrelaxestheresidualstressofthespecimenandreducesitsdeformationinthelasercladdingprocessing.

简介：Anultrahighvacuumchemicalvapordeposition(UHV/CVD)systemisintroduced.SiGealloysandSiGe/Simultiplequantumwells(MQWs)havebeengrownbycold-wallUHV/CVDusingdisilane(Si2H6)andgermane(GeH4)asthereactantgasesonSi(100)substrates.ThegrowthrateandGecontentsinSiGealloysarestudiedatdifferenttemperatureanddifferentgasflow.ThegrowthrateofSiGealloyisdecreasedwiththeincreaseofGeH4flowathightemperature.X-raydiffractionmeasurementshowsthatSiGe/SiMQWshavegoodcrystallinity,sharpinterfaceanduniformity.Nodislocationisfoundintheobservationoftransmissionelectronmicroscopy(TEM)ofSiGe/SiMQWs.TheaveragedeviationofthethicknessandthefractionofGeinsingleSiGealloysampleare3.31%and2.01%,respectively.

简介：Au/Al_2O_3/Al金属/绝缘体/金属连接(MIMJ)和Au/SiO_2/Simetal/insulator/Si连接(MISJ)成功地被构造了。这些连接的轻排放被表面电浆子电磁声子(SPP)在表面粗糙下面调停。从MISJ的轻排放从MIMJ比那更一致、稳定。MISJ的轻力量比MIMJ的高是大约2份～3订单。MISJ的轻排放光谱特别被分析。在光谱，有一座主要山峰在610nm～6的波长定位了40nm，它主要由于有在Au/air和Au/SiO_2接口的表面粗糙的SPP的夫妇。在更短的波长区域位于光谱的一座弱山峰也被发现，它被doped-Si血浆摆动的直接放射引起。

简介：Afast-speedpulsedetectorbasedonn-typeSi-Schottkydiodemountedinthewaveguideisinvestigated.Therelationofthefast-speedpulsedetectorbetweenresponsetimeand3dBbandwidthisanalyzed.Byadoptingthetunablecircuit,thematchedbandwidthisachievedaswideaspossible.Experimentalresultsshowthatthepulseresponsetimeofthedetectorislessthan150pswithinrandomcarriersignal500MHzbandwidthrangebetween35GHzto39GHzviatuningcircuit.Thedetectorisveryeasytooperatebecauseitdoesnotneedbiascurrentorsynch-pulsesource.

简介：UnipolarresistiveswitchingbehaviorsoftheZnOandAl2O3/ZnOfilmsfabricatedonflexiblesubstratesbypulselaserdepositionwerestudiedinthispaper.Thefilmsweredepositedatroomtemperaturewithoutpost-annealingtreatmentduringtheprocess.XraydiffractionresultsindicatedthatZnOfilmhasadominantpeakat(002).ScanningelectronmicroscopyobservationshowedacolumnargrainstructureoftheZnOfilmtothesubstrate.ThebilayerdeviceofAl2O3/ZnOfilmshadstableresistiveswitchingbehaviorswithagoodenduranceperformanceofmorethan200cycles,highresistiveswitchingratioofover103atareadvoltageof0.1V,whichisbetterthanthatofthesingleoxidelayerdeviceofZnOfilm.Apossibleresistiveswitchingfilamentarymodewasdemonstratedinthispaper.TheconductionmechanismsofhighandlowresistancestatescanbeexplainedbyspacechargelimitedconductionandOhmic’sbehaviors.Theenduranceofthebilayer(BL)devicewasnotdegradeduponbendingcycles,whichindicatesthepotentialoftheflexibleresistiveswitchingrandomaccessmemoryapplications.

简介：介绍了一种用于料位检测的电容式传感器的结构设计方法。并针对所设计的传感器,给出了相应的检测电路及其原理,同时给出了通过该传感器对砂石样本得出的具体检测数据的试验结果。

简介：随着微电子技术及半导体技术的快速发展，高封装密度对材料提出了更高的要求。SiCP／Al复合材料具有低膨胀系数、高导热率、低密度等优异的综合性能，受到了广泛的关注。作为电子封装材料，SiCP／Al复合材料已经在航空航天、光学、仪表等现代技术领域取得了实际的应用。文章介绍了SiC颗粒增强铝基复合材料的研究现状，详细阐述并比较了几种常用的制备方法，包括粉末冶金法、喷射沉积法、搅拌铸造法、无压渗透法、压力铸造法等，进一步分析了各种方法的优缺点，并在此基础上展望了未来研究和发展的方向。

简介：文章主要介绍了封装过程中的几个重要工艺参数，分别探讨了不同的工艺条件对环氧塑封料成型工艺的影响，并介绍了封装过程中的工艺调整方向，同时介绍了在环氧塑封料的选择中必须考虑的几个重要因素，并论述了这几个因素对封装器件可靠性造成的影响。

简介：在无锡新区,有这样一个公司,几个创始人,毕业于同一所大学,华东理工大学,在同一家研究所工作,无锡化工研究设计院,最终为了一个共同的目标和理想走到了一起,因为他们拥有着同一个梦想,创中国芯IC塑封料民族第一品牌,这个响亮的名字叫——"创达"。

简介：近年来因全球经济的复苏，中国制造业已经巩固了全球生产基地的龙头地位，数码电器产品需求旺盛，带动了中国电子制造产业地蓬勃发展，特别是中国电路板产业更是在两年的高速发展周期下，国内的PCB市场总产值超过600亿人民币，从而继美国之后发展成为全球第二的生产大国，同时PCB产业的产值突破100亿美元，超过日本成为全球第一。

简介：将自蔓延方法制备的氮化铝粉体加入到有机硅树脂中,制备出导热性能优良的印制电路组件用高导热有机硅灌封材料,并详细介绍了该灌封料的灌封工艺过程。

简介：评述了30年前第一批用中子嬗变掺杂硅单晶(即无条纹硅)制造高电压、大电流整流管和晶闸管的报道。由此介绍硅材料的中子嬗变掺杂技术原理、发展进程，指出NTD硅的实用化成为电力半导体器件向大电流(大直径)、高电压方向发展的一个重要突破口。

简介：UsingdoublecrystalX-raysdiffraction(DCXRD)andatomicforcemicroscopy(AFM),theresultsofGexSi1-xgrownUHV/CVDfromSi2H6andSiH4areanalyzedandcompared.Adsorbatescanmigratetotheenergy-favoringpositionduetotheslowgrowthratefromSiH4.Inthiscase,aSibufferthatisolatestheeffectofsubstrateonepilayercouldnotbegrown,whichresultsinapitpenetratingintoepilayerandbuffer.TheFWHMis0.055°inDCXRDfromSiH4.Thepresenceofdiffractionfringesisanindicationofanexcellentcrystallinequality,TheroughnessofthesurfaceisimprovedifgrownbySi2H6:however,thecrystalqualityoftheGex2Si1-xmaterialbecameworsethanthatfromSiH4duetomuchlargergrowthratefromSi2H6.ThecontentofGeisobtainedfromDCXRD,whichindicatesthegrowthratefromSi2H6islargest,thenGeH4andthatfromSiH4isleast.