简介:V型槽侧面耦合是目前双包层光纤抽运光耦合的方法之一。本文提出了一种二透镜光学系统的耦合模型,并利用几何光学的ABCD矩阵分析和计算了透镜焦距与激光二极管阵列(LD—Arrays),透镜,双包层光纤(DCF)三者之间间距的关系,同时通过计算确定了V型槽所开的最佳角度。通过数值模拟计算发现透镜焦距的选取在很小范围内会引起两透镜间距的剧烈变化而且激光二极管与透镜的间距以及两透镜间的间距主要取决于靠近激光二极管那个透镜的焦距大小。本文的分析和计算对V型槽侧面抽运的光学耦合系统中透镜焦距的选取以及LD,透镜,DCF三者之间间距的设置的最优化提供了理论指导。
简介:提出了一种积累型槽栅超势垒二极管,该二极管采用N型积累型MOSFET,通过MOSFET的体效应作用降低二极管势垒。当外加很小的正向电压时,在N+区下方以及栅氧化层和N-区界面处形成电子积累的薄层,形成电子电流,进一步降低二极管正向压降;随着外加电压增大,P+区、N-外延区和N+衬底构成的PIN二极管开启,提供大电流。反向阻断时,MOSFET截止,PN结快速耗尽,利用反偏PN结来承担反向耐压。N型积累型MOSFET沟道长度由N+区和N外延区间的N-区长度决定。仿真结果表明,在相同外延层厚度和浓度下,该结构器件的开启电压约为0.23V,远低于普通PIN二极管的开启电压,较肖特基二极管的开启电压降低约30%,泄漏电流比肖特基二极管小近50倍。
简介:<正>全球第一大芯片加工商台积电已经开始在大陆建造第一个芯片工厂。该厂投资8.98亿美元,这一工厂位于上海市郊的松江工业园区,建造工厂的本地建筑企业已同台积电签署了建厂的施工协议。该工厂将于2003年8月份建造完成,那时台积电将以台湾省把生产设备移往这个新厂、并同时移来大约600名员工。去年9月份,台积电就向台湾省提出要在内地建造第一家芯片制造厂的要求。台湾省去年称将放宽台湾省企业对内地进行芯片投资的限制,取消投资禁令。台湾省一些芯片制造商称,禁令损害了他们同外国竞争对手竞争的能力,因为大陆的芯片业正在起步,其半导体市场将变成全球最大的市场。