简介：摘 要：本文介绍了Ti-6Al-4V基材表面CVD制备钽涂层制备原理及方法，通过采用扫描电镜（SEM）对涂层形貌、厚度进行分析、采用XRD物相分析以及拉开法分析结合强度检测，研究了不同厚度钽涂层的性能，结果表面采用此工艺最终获得结合力＞100N，涂层厚度＞10μm，结构致密的钽涂层。

简介：ThisworkismainlytostudytheeffectofheavyionirradiationonthedamageofsinglelayerMoS2.ThenumberoflayersofMoS2preparedbyCVD(chemicalvapordeposition)methodwasdeterminedbyopticalmicroscopyandRamanspectroscopy.ThemonolayerMoS2preparedbyCVDunderhighenergy209BiionirradiationwasanalyzedbyRamananalysisandAFMobservation.AndtheresultsarecomparedandanalyzedbeforeandafterthebeamirradiationofsinglelayerMoS2preparedbymechanicalstrippingmethod.

简介：Siliconfilmsweregrownonaluminium-coatedglassbyinductivelycoupledplasmaCVDatroomtemperatureusingamixtureofSiH4andH2asthesourcegas.ThemicrostructureofthefilmswasevaluatedusingRamanspectroscopy,scanningelectronmicroscopyandatomicforcemicroscopy.Itwasfoundthatthefilmsarecomposedofcolumnargrainsandtheirsurfacesshowarandomanduniformdistributionofsiliconnanocones.Suchamicrostructureishighlyadvantageoustotheapplicationofthefilmsinsolarcellsandelectronemissiondevices.Fieldelectronemissionmeasurementofthefilmsdemonstratedthatthethresholdfieldstrengthisaslowas～9.8V/μmandtheelectronemissioncharacteristicisreproducible.Inaddition,amechanismissuggestedforthecolumnargrowthofcrystallinesiliconfilmsonaluminium-coatedglassatroomtemperature.

简介：

简介：用C3H6作为碳源气,Ar作为稀释气体和载气,TaCl5为钽源,采用化学气相沉积法（chemicalvapordeposition,CVD）在高纯石墨表面制备TaC涂层。采用X射线衍射（XRD）和扫描电镜（SEM）等对涂层进行表征,研究1000℃下稀释气体（Ar）流量对TaC涂层成分、织构及表面形貌的影响。结果表明：随着稀释气体流量增大,表面均匀性和光滑度提高,晶粒尺寸减小,晶体择优取向降低,沉积速率减小,涂层中C含量增多。当稀释气体流量为100mL/min时,TaC涂层晶粒尺寸与沉积速率分别为32.5nm和0.60μm/h;而当稀释气体流量增大到600mL/min时,涂层晶粒尺寸与沉积速率分别下降到21nm和0.25μm/h。

简介：Anultrahighvacuumchemicalvapordeposition(UHV/CVD)systemisintroduced.SiGealloysandSiGe/Simultiplequantumwells(MQWs)havebeengrownbycold-wallUHV/CVDusingdisilane(Si2H6)andgermane(GeH4)asthereactantgasesonSi(100)substrates.ThegrowthrateandGecontentsinSiGealloysarestudiedatdifferenttemperatureanddifferentgasflow.ThegrowthrateofSiGealloyisdecreasedwiththeincreaseofGeH4flowathightemperature.X-raydiffractionmeasurementshowsthatSiGe/SiMQWshavegoodcrystallinity,sharpinterfaceanduniformity.Nodislocationisfoundintheobservationoftransmissionelectronmicroscopy(TEM)ofSiGe/SiMQWs.TheaveragedeviationofthethicknessandthefractionofGeinsingleSiGealloysampleare3.31%and2.01%,respectively.

简介：以三氯甲基硅烷（CH3SiCl3）为前驱体,采用化学气相沉积法（Chemicalvapordeposition,CVD）,在原位生长有碳纳米管（Carbonnanotubes,CNTs）的C/C复合材料表面制备SiC涂层。用扫描电镜（SEM）和X射线能谱仪（EDS）观察和分析涂层微观形貌及成份。研究沉积温度（1000~1150℃）对SiC涂层的表面、截面以及SiC颗粒的微观形貌的影响。结果表明：在1000℃下反应时,得到晶须状SiC;沉积温度为1050℃时涂层平整、致密;沉积温度提高到1100℃时,涂层粗糙,致密度下降;1150℃下形成类似岛状组织,SiC颗粒团聚长大,涂层粗糙,并有很多裂纹和孔洞,致密度低。对涂层成份和断口形貌研究表明,基体和涂层之间有1个过渡区,SiC涂层和基体之间结合良好。

简介：以干法成形技术制备的炭纤维坯体为预制体，酚醛树脂作粘结剂，通过浸渍、模压、炭化、CVD和石墨化制备质子交换膜燃料电池用炭纸。借助扫描电镜（SEM）观察炭纸表面形貌，用四探针法测试炭纸面电阻。研究结果表明：浸渍模压与CVD复合工艺在炭纤维表面形成连续均匀的热解炭层，增强纤维与基体的结合，减少裂纹缺陷，提高炭纸的导电性能；炭纸横向和纵向的面电阻分别为0.34Ω和0.37Ω，小于日本东丽炭纸的面电阻0.43Ω和0.70Ω。

简介：CVD金刚石可以用各种方法合成，其中晶粒生长速度最快的则为热等离子体CVD工艺。我们试验室过去曾试图用DC等离子体CVD工艺合成金刚石厚膜，并就膜与基底的附着强度和膜的性质作过探讨。但是，热等离子体工艺存在沉积面积和膜质量都不如其它CVD工艺等问题。CVD金刚石薄膜应用中对扩大沉积面积有着强烈的需求。本研究试图通过控制沉积压力、输入功率等沉积参数扩大等离子体直径，以沉积出大面积金刚石薄膜。我们的目的是利用热等离子体CVD工艺沉积出生长速度高、面积大且膜厚均匀的金刚石薄膜。同时探讨了合成条件对金刚石薄膜形状的影响。本研究得出的结果如下：(1)随着沉积压力的降低，金刚石晶粒尺寸减小，成核密度增加。金刚石的结晶性则几乎不受沉积压力的影响。(2)随着等离子体电流的增加，金刚石晶粒尺寸减小，成核密度增加。增加等离子体电流也可改善金刚石的结晶性。(3)降低沉积压力和增加等离子体电流均可扩大等离子体射流，但是金刚石沉积面积的变化并不明显。(4)随着沉积压力的降低和等离子体电流的增加，金刚石的结晶性均会增加。降低沉积压力和增加等离子体电流有利于改善金刚石薄膜的均匀性。

简介：讨论了O2/C3H8摩尔比在2-9范围内时，火焰温度对TiO2晶型的影响，O2/C3H8摩尔比和火焰中TiO2颗粒浓度对含碳纳米TiO2碳含量的影响。用管式光催化反应器，以液相沉积法将TiO2薄膜涂敷到反应器石英玻璃管内壁，实验测量了光催化降解甲醛气体的降解率。用4阶龙格-库塔法求解传质方程，得到了一级速率常数。经讨论得出：当含碳量约为5％时，降解率达最大值，是无碳或碳含量大于10％的TiO2的2．5倍。

简介：理论研究发现，在薄型半导体探测器前添加一定厚度的杂散电子过滤片，可以有效过滤探测系统中散射电子，准确测定探测器对7射线诱发电子的电荷收集效率。以电荷收集效率为100％的Si—PIN探测器作为该测量方法理论模拟和实验校验的基准，建立了化学气相沉积（chemicalvapordeposition，CVD）金刚石薄膜探测器对γ射线响应时电荷收集效率的测量方法和系统。研究结果表明：所研制的CVD金刚石薄膜探测器，在600V饱和偏压下，电荷收集效率在常态时为55％，在“priming”状态时可达69％。

简介：研究了负载采用火焰CVD法制造的纳米掺炭TiO2薄膜的光催化管式反应器对甲醛气体的降解性能。测量并计算TiO2薄膜的降解效果，研究了溶液浓度、降解时间及膜厚对降解率的影响。

简介：在自行设计出的直接耦合石英管式微波等离子体化学气相沉积fchemicalVaporDeposition，CVD）金刚石膜装置的石英管反应腔加上磁镜场，以更好地约束等离子体，使等离子体球成为“碟盘”状，提高了等离子体球的密度，在基本参数不变的情况下，沉积面积可由ψ30mm增长到50mm，沉积速度由每小时3．3μm增长到3．8μm，反射电流减小，从而减少了在石英管壁和观察窗的沉积，更好地利用微波能量，有效利用电离的活性基团沉积出高质量的（类）金刚石薄膜。

简介：“法碣”、“法谒”与“法偈”这三个“词语”，商务印书馆的《现代汉语词典》（2005年6月第5版，2008年6月河北第384次印刷）和《古代汉语词典》（1998年12月第1版，2008年4月北京第21次印刷）均未收录。之所以提起它们，跟下面这道2008年普通高等学校招生全国统一考试（重庆卷）的语文题目有关。这是道改错别字的题，题目如下：

简介：1．6个人排成一排，甲、乙二人必须相邻的排法有种．2．用1，2，3，4，5，6，7，8组成没有重复数字的八位数，其中1与2相邻、3与4相邻、5与6相邻、7与8不相邻的八位数共有多少个？3．某道路旁有10盏路灯，为节约用电，准备关掉其中3盏．已知两端的路灯不能关，并且关掉的灯不能相邻，则有多少种不同的关灯方法？

简介：UsingdoublecrystalX-raysdiffraction(DCXRD)andatomicforcemicroscopy(AFM),theresultsofGexSi1-xgrownUHV/CVDfromSi2H6andSiH4areanalyzedandcompared.Adsorbatescanmigratetotheenergy-favoringpositionduetotheslowgrowthratefromSiH4.Inthiscase,aSibufferthatisolatestheeffectofsubstrateonepilayercouldnotbegrown,whichresultsinapitpenetratingintoepilayerandbuffer.TheFWHMis0.055°inDCXRDfromSiH4.Thepresenceofdiffractionfringesisanindicationofanexcellentcrystallinequality,TheroughnessofthesurfaceisimprovedifgrownbySi2H6:however,thecrystalqualityoftheGex2Si1-xmaterialbecameworsethanthatfromSiH4duetomuchlargergrowthratefromSi2H6.ThecontentofGeisobtainedfromDCXRD,whichindicatesthegrowthratefromSi2H6islargest,thenGeH4andthatfromSiH4isleast.

简介：搞社会主义市场经济,企业家们在经营管理中都面临一系列的新情况、新问题。如何提高自身的素质和能力,不断地把经营管理工作提高到一个新水平,这是企业领导人不能不考虑的一个重要问题。哲学是管理行为的一个组成部分,一个核心部分,不少的企业家看到了提高自身哲学素养的重要性。他们自觉地学习、应用唯物辩证法,增强了观察、分析、处理问题的能力,在经营管理中取得了很好的成绩。天津市圣罗衬衫总厂厂长吴树旺就是生动的例证。同时,广大的理论工作者也始终关注着经济建设的这个中心。当前企业的经营管理问题是哲学界非常关心的问题之一,愿企业界朋友和哲学专家们携起手来,让哲学在群众中、在实践中,焕发出更强的生命力。

简介：Wehavesuccessfullydemonstratedthathighqualityandhighdielectricconstantlayerscanbefabricatedbylowtemperaturephoto-inducedor-assistedprocessing.Ta2O5andZrO2havebeendepositedatt＜400℃bymeansofaUVphoto-CVDtechniqueandHfO2byphoto-assistedsol-gelprocessingwiththeaidofexcimerlamps.TheUVannealingofas-grownlayerswasfoundtosignificantlyimprovetheirelectricalproperties.Lowleakagecurrentdensitiesontheorderof10-8A/cm2at1MV/cmfordepositedultrathinTa2O5filmsandca.10-6A/cm2forthephoto-CVDZrO2layersandphoto-irradiatedsol-gelHfO2layershavebeenreadilyachieved.TheimprovementintheleakagepropertiesoftheselayersisattributedtotheUV-generatedactiveoxygenspeciesO(1D)whichstronglyoxidizeanysuboxidestoformmorestoichiometricoxidesonremovingcertaindefects,oxygenvacanciesandimpuritiespresentintheas-preparedlayers.Thephoto-CVDTa2O5filmsdepositedacross10.16-cmSiwafersexhibitahighthicknessuniformitywithavariationoflessthan±2.0%beingobtainedforultrathinca.10nmthickfilms.Thelamptechnologycaninprinciplebeextendedtolargerareawafers,providingapromisinglowtemperatureroutetothefabricationofarangeofhighqualitythinfilmsforfutureULSItechnology.

简介：2004年是中国法治建设中非常重要的一年。有着55年历史的法大及法大人,在推进中国法治进程和法学教育的过程中,任重道远。

简介：许多同学谈到写作文，就说没有内容可写。其实，作文是把自己看到的、听到的、想到的内容或亲身经历的事情用恰当的语言表达出来，它是源于生活的。如果我们平时注意观察、感受生活中的点点滴滴，那么，还会愁写作文没有题材吗？