简介：韩国研究人员发现，经过精心设计的白光发光二极管有助于优化个人的生理节律。韩国国民大学JiHyeOh及其同事研究了四组白光LED，其中包括荧光粉转换型红光LED、黄橙光LED、绿光LED和蓝光LED，以及一个长波长粉色镜。他们把这些装置与各种传统形式的照明装置做比较，发现这四组LED设计的照明效率高，

简介：利用晶体管直流增益随中子辐照注量的变化关系,建立了基于电压补偿的晶体管直流增益在线测试系统,以模块化软件架构设计方法及电压回读技术,实现了不同辐照功率下晶体管直流增益的实时监测,获得了辐照期间晶体管器件敏感参数的变化规律。结果表明,在不同中子注量辐照下,研制的直流增益在线测试系统可满足晶体管损伤效应的实时测量要求,系统的测试精度达0.2%。

简介：本文介绍了一种测量范围为１ｍｍＨｇ—２０ｍｍＨｇ，测量精度为０．１ｍｍＨｇ的低真空测量装置及其使用条件和方法。有效地代替了以水银为媒质的旋转式麦氏真空计。

简介：本文提出用伏安法测绘二极管伏安特性曲线的一种电路新接法，用该接法测量时，不需修正即可完全消除电表内阻的影响。

简介：研究基于甲酸助焊剂的高功率激光二极管焊接工艺。高功率激光二极管芯片在工作时会产生大量的热，如果不及时散掉，会严重影响芯片的使用寿命，严重时直接烧毁芯片。因此需要将芯片的发热面，即P面与热沉焊接在一起，理想状态是100％的接触，这样热量就可以完全通过接触面被带走。

简介：通过对微小应变检测意义的分析，提出了本检测仪在实际应用方面的价值和前景。基于对碳纳米管导电机理的分析、制备薄膜电阻，利用其电阻随形变变化较为灵敏的特性，将电阻的变化转换为电压值的变化，经过数据采集、放大和数字处理设计了应变传感器。

简介：为了满足高精度相机在外场环境下的检测要求,采用碳化硅光学材料制作反射镜,碳纤/环氧树脂基复合材料制作遮光筒,设计了一套重量轻、自身精度高、温度稳定性好的离轴平行光管。在二者线胀系数保持二倍关系的情况下,在一定温变范围内保持精度的稳定性。经检测,口径为400mm,焦距为8m的离轴平行光管的温变为（20±10）℃,系统波像差为1/5λ（P-V值,λ=632.8nm）和1/27λ（RMS值）,达到了设计要求,能够在外场环境下使用。

简介：从光电二极管的工作原理出发,对硅光电二极管的光谱响应度进行了论述。分析表明,入射光子的能量、材料的禁带宽度和吸收系数是光谱响应曲线具有波长选择性的主要原因。

简介：通过multisim软件仿真模拟场效应管的转移特性与输出特性,拟合出函数,利用函数绘图,最后结合图解法的具体步骤与要求用matlab数学软件对场效应管放大电路进行详细动态分析,补充模拟电子技术教材在场效应管图解法部分的不足。

简介：MOS型功率场效应管具有大的脉冲开关电流(数十安培)、较高的漏源电压(达千伏)、小的导通内阻(欧姆量级)和较快的导通时间(数纳秒)。由于其输入输出电容大，故用其制作的脉冲源抗脉冲电磁干扰能力较强，也因此它的开关速度较慢。采用过驱动能提高MOS型功率场效应管的开关速度。就是使栅极驱动脉冲波形的前沿很快且上冲大大超过额定的栅源驱动电压。为此，在研制过程中，解决了用多个场效应管串、并联组合，形成具有纳秒级陡峭前沿的大电流开关；用多个脉冲变压器并联，对大电流开关输出的信号进行放大和成形；用脉冲变压器的技术解决了大功率脉冲功率合成等关键技术，采用稳定的开关器件等技术和工艺，解决低压电路抗高速高压强电干扰。实现了用固体器件—场效应管，替代国外氢闸流管部分用途的功能。

简介：变像管相机是唯一具有时空二维观测能力的超高速光电测试设备，时间分辨本领几个皮秒乃至亚皮秒，空间分辨本领几十微米。该产品能把微弱的瞬态光通过光学成像系统投射到变像管的光阴极转换成在数量上和光强成正比的电子，再经高速线性扫描电场扫开轰击荧光屏成像，最后采集到CCD相机，

简介：由于行波管是电子对抗争夺电磁权的关键微波器件，因此发达国家都非常重视行波管的研发并对我国一直进行严厉的封锁政策，许多重要管型至今在国内未见实物。耦合腔行波管在带宽与效率等高频特性方面具有非常广阔的选择空间，提高耦合腔行波管的性能是目前我国真空微波器件研究中要解决的关键问题之一。提出了x波段大功率连续波耦合腔行波管的设计。结合理论分析和数值模拟，对模型腔进行了微波冷侧调试，详细描述了耦合腔慢波线的调谐以及带内不平度的测量和调整，给出了测试结果。

简介：为探索新的高能激光体系，采用激光二极管作为泵浦光源，单侧泵浦掺钕离子的无机激光液体，进行了出光实验研究。该无机液体激光系统采用高性能的二极管激光器作为泵浦源，具有以下的优点：泵浦源与介质吸收谱的耦合效率高、循环流动可以避免热量累积、液体介质不会像晶体一样存在热致双折射和容易断裂等。

简介：针对O型高功率微波产生器件采用的无箔二极管结构,在引导磁场为0.6T的条件下,研究了二极管电压、电流、阴阳极间距、漂移管管头倾角和阳极半径等参数对电子束包络的影响。结果显示:阴极附近和漂移管内部的电子束包络随二极管参数的变化规律有明显差异,阴极附近电子束包络幅值较小并不能确保漂移管内部电子束包络幅值较小;适当增大二极管阻抗有助于减小漂移管内电子束包络幅值;受电子束径向运动的空间周期性影响,漂移管内部的电子束包络幅值随阴阳极间距增大会出现振荡变化;漂移管管头倾角超过90°后,管头倾角对电子束包络幅值影响很小;当阳极半径明显大于阴阳极间距时,阳极半径对漂移管内电子束包络幅值的影响也较小。通过合理优化二极管参数,可以有效减小电子束包络幅值,这是低磁场O型高功率微波器件稳定工作的重要基础。

简介：对比了ICP刻蚀和湿法腐蚀制备台面型InP/InGaAs雪崩光电二极管(APD)时侧壁、表面形貌的不同,以及对暗电流和击穿电压的影响。在Cl2/Ar2/CH4条件下感应耦合等离子体(ICP)刻蚀InP会出现表面粗糙,对其原因进行了探究。并主要对ICP的刻蚀时间和刻蚀功率进行了优化,提高刻蚀表面的温度,保证了刻蚀的稳定性并改善了InP刻蚀表面的形貌,确定了稳定制备APD器件的刻蚀条件,最终制备出性能优良的台面型APD器件。

简介：介绍了一种加热去除阳极吸附气体的方法，并利用热传导方程对阳极加热过程进行了理论计算和分析。计算结果表明，要达到有效加热“强光一号”装置使用的阳极钽靶，电流幅值需为2～3．2kA，相应加热时间需为11～4S。

简介：根据双极晶体管电流增益倒数与中子注量的线性关系,基于最小二乘法,提出了先求平均值再线性拟合、先线性拟合再求平均值的两种方法来计算中子辐射损伤常数,并重点对其不确定度进行了评定,给出了自变量和因变量同时存在不确定度时的线性拟合方法。分析表明,两种方法的计算结果一致,但复杂程度不同,实际应用时采用先求平均值再线性拟合的方法更好。同时,还分析了不确定度评定过程中相关性产生的原因,给出了通过解析表达式判断相关性的方法。分析表明,应用协方差传播律,由相关性引入的估计协方差可以用独立参数的不确定度来表达。最后,给出了两种方法在实验数据处理中的应用。

简介：串联型晶体管直流稳压电源在稳压部分的过载保护分限流型和截流型两种保护电路,这两种过载保护电路都有各自的缺点,并且都是加在稳压部分。在实验课教学中采取了另外一种过载保护电路,即在桥式整流与滤波器之间加一个220欧姆的分流电阻,对电路进行过载保护,采用这种分流式过载保护电路原理简单,使用方便。几年来,使用效果甚佳。

简介：二极管泵浦高平均功率固体激光器在工业、科研和军事等领域具有非常广泛的应用。光学泵浦将在固体激光介质里产生废热并引起介质温度升高。激光器的连续运转要求实时冷却以消除废热。由于固体激光介质的热导率通常较低，因此在激光介质内部和冷却表面之间将产生显著的温度梯度，这就导致了折射率梯度、机械应力和退偏等效应，进而降低光束质量，减小输出功率，甚至造成介质的断裂。这些效应是固体激光器向高平均功率定标的最大挑战。采用薄片激光介质是解决这一问题的有效手段之一。

简介：利用发光二极管（LED）光色电综合测试系统测量不同颜色不同功率的LED在多个电流下的光谱，提出并构建了由多个高斯函数组成的LED光谱模型，并根据各颜色LED在额定电流下的光谱计算模型中的系数，最后将该模型与已报道的模型进行了对比。研究表明：对于光谱有n（n≥1）个波峰的LED，可用3n个高斯函数形式的模型来表示，大功率红、黄、蓝、绿、白色LED模型与实测光谱之间平均误差分别为3．45％、1．01％、2．33％、4．65％、2．49％，小功率LED的平均误差分别为2．61％、2．65％、3．77％、2．87％、2．48％。与已报道的模型相比，该模型精度高，普适性好。本研究对LED光度色度测量仪器的研制及智能化LED产品的设计具有重要意义。