简介：为探索新的高能激光体系，采用激光二极管作为泵浦光源，单侧泵浦掺钕离子的无机激光液体，进行了出光实验研究。该无机液体激光系统采用高性能的二极管激光器作为泵浦源，具有以下的优点：泵浦源与介质吸收谱的耦合效率高、循环流动可以避免热量累积、液体介质不会像晶体一样存在热致双折射和容易断裂等。

简介：二极管泵浦高平均功率固体激光器在工业、科研和军事等领域具有非常广泛的应用。光学泵浦将在固体激光介质里产生废热并引起介质温度升高。激光器的连续运转要求实时冷却以消除废热。由于固体激光介质的热导率通常较低，因此在激光介质内部和冷却表面之间将产生显著的温度梯度，这就导致了折射率梯度、机械应力和退偏等效应，进而降低光束质量，减小输出功率，甚至造成介质的断裂。这些效应是固体激光器向高平均功率定标的最大挑战。采用薄片激光介质是解决这一问题的有效手段之一。

简介：热容激光器与常规的高功率固体激光器的本质区别是激光介质的热管理方式不同，常规高功率固体激光器是边工作边冷却，而热容式激光器采用了工作时间和冷却时间相分离的热管理模式。因此热容激光器不再受介质断裂极限限制，可提高平均输出功率，同时由于工作时介质内部不存在显著的温差、热应力，可有效减小光程畸变提高光束质量。

简介：摘要：激光二极管泵浦固体激光器是用激光二极管代替闪光灯泵浦固体激光增益介质的激光器。具有效率高、寿命长、结构紧凑、稳定可靠等特点，是新一代固体激光技术发展的主流，在激光测距、激光成像、激光通信等方面具有广泛的应用。本文以二极管泵浦固体激光技术为中心，对二极管泵浦Nd：YAG固体激光器的工程应用进行了研究。

简介：半导体照明LED及其应用产业化;优化GaN基发光二极管的电极;用于制备硅LED的太阳能电池技术;采用半导制冷的集成大功率LED.

简介：

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简介：介绍了一种新颖的二极管-泵浦Er-Yb玻璃激光器，利用Pound-Drever-Hall技术并采用乙炔分子P（15）线对其实现了稳频。实验装置中将两个激光器的出射波长锁定到同一气室的乙炔P（15）吸收曲线的同一侧，使得温度对吸收峰值频率产生的漂移和温度导致气压变化使线宽增宽均对频率稳定性不产生影响。通过测量两个相同激光器系统间出射光波的拍频发现，激光的短期带宽窄于50kHZ，通过频率波动情况得出激光器有较高的相对频率稳定度。改进后的激光器稳定性和重复性显著提高，适合于实现高精度的光学频率标准。

简介：受激布里渊散射（SBS）相位共轭镜可以矫正激光波前畸变、改善激光光束质量，带有SBS相位共轭镜的双程主振荡一功率放大激光系统（MOPA）是在不牺牲激光光束质量的前提下提升激光输出功率的有效手段之一。相对于使用气体、液体作为SBS介质的相位共轭镜，固体相位共轭镜由于其无毒无害无需高压以及稳定、便捷、可靠等优点，

简介：发光二极管(LED)具有非常广泛的用途,光子晶体(PC)是一种新概念和新材料,采用PC的LED则大大提高了光输出效率,是一种很有发展前途的LED器件,已成为目前国内外研究的热点.本文介绍了PCLED的基本原理、结构、重要特性参数及其典型器件.

简介：

简介：摘要半导体二极管在许多的电路中起着重要的作用，

简介：以二极管注射模为例,分析了放镶件注射模设计的重点与难点,介绍了塑件成型工艺、浇注系统和模具结构的设计技巧。

简介：改革开放之初，两位友人分赴日本和英国进修GTO晶闸管在传动中的应用。大约一年后，他们先后给留守国内的笔者来信，言及回国后想大干一场的志向。其中，他们不约而同地希望我帮助在国内寻找GTO应用所需要的配套元器件。在其中，又不约而同地列有“快导通二极管”一项，问我什么是“快导通二极管”?请我向他们解释一下。

简介：美国能源部(DOE)最近向新泽西州的Universal显示器公司(UDC)提供研究资金，以推进有机发光二极管(OLED)的研发。OLED是更为省能的光源，因为与目前使用的具有100多年历史的传统光源相比，OLED伴生的热量较少，而且可以在低得多的电压下工作。DOE提供的数据表明，如果到2025年美国能全部采用固态光源照明，每年节约的能源费用可能超过250亿美元。UDC的一个开发项目是高照度效率的白磷OLED，采用新技术来进一步降低光源的工作电压，其商品名为Pholed。

简介：今发光二极管使用得越来越普遍了,从最近得来的信悉,紫外发光二极管配上荧光粉后,将紫外线转变为可见光,其发光效率可接近100lm/w,真可谓变幻莫测,前途无量.为了使读者在应用发光二极管作二次开发产品时有所帮助,本篇收集了有关发光二极管应用时必须知道的一些资料,如:特性和参数,列出其应用方法,帮助对该产品有一个粗浅的了解,便于入门.

简介：从静电放电（ESD）导致肖特基整流管失效的案例分析入手,提出了一种新的失效机理,解释了高耐压肖特基整流管静电敏感的原因。结果表明：功率肖特基二极管由于需要生长SiO2作P^＋扩散环的掩蔽层,而在刻蚀SiO2形成肖特基势垒区时,往往会由于各种原因（例如Si表面的微缺陷、刻蚀不干净等）残留少量或极少量SiO2,从而在肖特基二极管中引入对ESD敏感的金属氧化半导体（MOS）电容结构,造成器件的抗静电能力大幅下降。该研究结果对肖特基二极管生产、使用以及失效分析具有重要指导意义。

简介：介绍肖特基二极管的结构特点和最新发展动向及应用。

简介：产品简介：RGB程序二极管灯是在可见光谱范围内经高光电技术产生的一种光源。照明灯罩是由一种特殊的铝面制成，目的是合理地散发热量。灯运用了次光学原理。