简介：新思科技有限公司（Synopsys,Inc.）日前宣布：该公司所提供经芯片生产验证的DesignWareTM数据转换器IP,已被应用于中芯国际广受欢迎的65nm低漏电（LowLeakage）工艺技术。这可帮助设计工程师更有效地提升其芯片的功率,并在集成设计上达事半功倍之效。

简介：在硅晶圆上生产半导体激光器一直以来是半导体行业的目标,这种制造工艺向来极具挑战性。近日,新加坡科学技术研究院A＊STAR开发出一种新颖的制造方法,成本低廉、过程简便且可扩展性强。该混合硅激光器将III-V族半导体（如砷化镓和磷化铟）的发光特性与当前成熟的硅制造技术完美结合起来,可以将光子和微电子元件集成在单一硅芯片之中，从而获得价格低廉、可大批量生产的光学器件。

简介：致力实现智能、安全以及互连世界的半导体技术领先供应商一美高森美公司（MicrosemiCorporation）宣布与索尼公司半导体业务部（简称“索尼”）合作推出市场上首款具有3D功能的定时控制器与局部调光LED背光组合解决方案，用于制造成本较低的大批量下一代LCDTV。这款组合解决方案包括索尼CXD4730GB定时与照明控制器以及由MicrosemiDAZL!^TM2000系列32端口逻辑芯片（LX24232）与8端口LED驱动器功率芯片（LX23108L）构成的LED驱动器解决方案。

简介：百利通半导体公司，一家频率、信号调节和连接产品的全球首选供应商近日宣布：公司推出业界第一个量产化的频率介于2MHz-159MHz的“特定应用标准产品石英晶体振荡器（ApplicationSpecificStandardProductCrystalOscillators，ASSP—XO）”产品线。该产品系列通过最佳性能、立即可供货以及提供最经济高效的价格点来满足各种应用需求，为石英晶体振荡器产品提供了新的典范。

简介：

简介：意法半导体推出最新的MDmeshDk5功率MOSFET管，内部增加一个快速恢复二极管的甚高压（VHV）超结晶体管，这样结构有助于设计人员最大限度提升各种功率转换拓扑的能效，包括零压开关（ZVS）LLC谐振转换器。

简介：21世纪是技术与服务结合的竞争时代。是数字化的时代。

简介：来自日本东京大学的研究团队声称首次实现了在硅衬底砷化镓（GaAs）量子点（QD）激光器中电泵激1．3μm砷化铟（InAs）的材料生长工艺，该砷化镓衬底是利用分子束外延技术（MBE）直接生长在同轴（001）硅衬底上的。