简介：燃料组件边角栅元的阻力系数大于典型栅元和冷壁栅元。本文基于标准子通道模型,通过调整子通道模拟区域的位置,修改了通道、燃料棒以及格架阻力等相关参数,直接模拟燃料组件边角栅元的综合效应,进行偏离泡核沸腾比（DeparturefromNuclearBoilingRatio,简称DNBR）分析。分析结果表明：边角栅元的偏离泡核沸腾比能被典型和冷壁栅元的计算结果所包络。本文同时对燃料组件间隙和边角栅元的偏离泡核沸腾比的影响进行了进一步分析。

简介：

简介：对K3±δC60多晶薄膜进行了同步辐射光电子谱研究。入射光子能量为17－86cV。实验发现K3±δC60光电子谱的HOMO－1，HOMO及LUMO等导出能带的谱峰强度均随入射光子能量的增加而呈现振荡的性质，与纯C60的光电子谱峰随入射光子能量变化的趋势相似。结果C60分子独特的笼状几何结构，认为其电离截面的变化是由于K3±δC60的末态电子在C60分子笼内形成球状驻波引起的。以驻波的边界条件为基础进行理论计算，得到的电离截面极小值对应的光子能量与实验得到的结果符合良好。

简介：根据K在C60晶体中的扩散系数分析了在C60（111）单晶解理面上制备K3C60单晶膜的实验条件。对制备出的样品进行了角分辨光电子谱研究。结果表明样品确实为K3C60单晶，并首次观察到K3C60的能带色散。

简介：本文描述了用于测定中子、γ辐射墙中的中子、γ辐射的吸收剂量或比释动能的双剂量计的γ辐射校准,并测定了各项修正因子,给出了剂量计的校准因子其不确定度为1.4％,并校准了BIM提供的传递仪器,进行了比对,其结果相差小于1.0％。

简介：测量了K3C60单晶薄膜[111]方向的同步辐射角分辨光电子谱。首次观察到K3C60能带色散。通过对能带色散关系的分析，确立了K3C60低温下的一维无序取向结构。

简介：

简介：针对我国目前有大批高活度60Co放射源面临退役的情况，对其存在的问题进行了分析，并对其解决方法进行了探讨。

简介：从事故背景、过程、放射病理学、调查结果、结论和经验教训等方面对2000年泰国北揽府医用60^co源辐射事故进行了介绍。该辐射事故的实践表明：医疗设备供应商未获得行政许可接收闲置放射源，并擅自转运、储存于无安全保卫措施的仓库，监督检查和执法工作弱化，是事故发生的主要原因。科学、有效的辐射应急计划，训练有素、装备精良的应急响应队伍，创新的措施和方法，为在复杂地点快速回收放射源并对受照人员开展合适、充分、有保障的医疗救助提供了保障。本文可为辐射事故应急提供借鉴和参考。

简介：核电厂辐射监测设备为电厂的安全运行及公众环境的辐射安全提供了重要保障。本文从核安全辐射监测技术发展、核安全辐射测量通道发展以及核安全辐射监测设备鉴定要求等三个方面阐述了民用核安全辐射监测设备的发展趋势,为开展民用核安全辐射监测设备设计提供了有益的参考和建议。

简介：测量了C60单晶[111]方向的同步辐射角分辨光电子谱。观察到HOMO能带和HOMO－1能带明显且有规律的色散。色散曲线与LDA理论结果符合得较好。

简介：新一代专用设备中,作为其关键的结构材料7A60铝合金的使用温度可能会提高到T1,为了研究升高温度对铝合金材料寿命的影响,开展了T2(T2>T1)温度下铝合金材料的持久强度试验,蠕变试验以及断裂机理的分析研究,得出以下结论:(1)T2温度下铝合金材料10年的持久强度为σ1T20年(99%)=(1.58±0.17)σ0MPa;(2)在温度为T2,总变形量为1.5%时,7A60铝合金材料10年时的蠕变极限为:σ1T2.5%(10年)=1.51σ0MPa;(3)随着使用温度从T0升高到T2,铝合金材料10年时的持久强度和蠕变极限分别降低了18%和12.2%,降到1.41σ0和1.51σ0;(4)在温度为T2,不同应力水平下,铝合金材料的断裂机理相同,均在断口中部呈现台阶状的裂纹扩展区域。

简介：测量了C60单晶（111）解理面法向发射的角分辨光电子谱。利用同步辐射光源研究了对应于分子轨道HOMO及HOMO－1的能带的色散关系。实验观察到HOMO和HOMO－1能带在Г－L方向存在明显的色散，最大色散分别为0.27eV和0.42eV色散曲线与理论电子结构基本符合。

简介：本文用EXAFS对三种钴基合成柴油催化剂进行了表征，结果表明Co-Zr共沉淀催化剂与Co/Zr浸渍型催化剂钴物相主要为Co3O4,Co-Zr-Si混合沉淀型催化剂钴物相主要为Co2SiO4，共沉淀催化剂钴的配位数明显降低，钴锆相互分散好，接触界面大，因而反应活性高，重质烃选择性高，而混合沉淀型催化剂Co2SiO4物相在预处理条件下难以还原，所以反应活性低，重质烃选择性较差。

简介：

简介：在C60单晶（111）解理面上制备出厚度约30mm的K3C60单晶膜。利用同步辐射光源，在低温下（约150K）测量了样品法向发射的角分辨光电子谱。观察到K3C60导带和价带明显的色散。导带的光电子谱峰可清晰分辨出4个子峰，这些子峰的最大色散超过0.5eV，并且色散曲线与K3C60的一维无序晶体结构模型下的能带理论基本吻合，只是子带间隔差异较大。

简介：在C60单晶(III)解理面上制各出Rb3C60单晶薄膜．得到了室温和150K温度时导带的光电子谱峰形，费米面附近的电子态密度随温度显著变化．甚至在室温时也能观察到导带有不少于6个子峰．

简介：用NPL防护水平次级标准NE2550剂量率仪对国防计量系统和有关厂矿的防护水平60Co和187Csγ辐射场进行了照射量率的测量和反平方律的检验,并作了照射量率的比对。137Csγ辐射场照射量率最大相差+3.6％(2.58×10-6-2.58×10-4Ckg-1h-1),而60Coγ辐射场最大相差分别为+1.4％(2.58×10-4-2.58×10-3Ckg-1h-1)、+9.9％(2.58×10-6-2.58×10-4Ckg-1h-1)和+24.5％(2.58×10-7-2.58×10-6Ckg-1h-1)。60Co和137Csγ辐射场的照射量率,在一定的距离范围内反平方律在±5％以内符合。

简介：采用溶胶－凝胶法，制备了不同钴含量的钴钼超细粒子氧化物，将其与K2CO3干混后进行硫化。使用X－射线衍射（XRI）和扩展X光吸收精细结构（EXAFS）对样品进行结构表征。同时测试硫化态样品的CO加氢合成低碳混合醇性能。结构表征结果表明，不含钴的氧化态样品，主要以颗粒度较大的MoO2物种存在；添加钴后，样品粒子的颗粒度大幅度降低，钴钼组分主要以CoMoO3物种的形式存在，当钴含量增加时，CoMoO3的晶形趋于改善。硫化态样品中钼以类似于MoS2物种的形式存在，但粒子尺寸较小。同时，体系中还存在Co-Mo-S和Co9S8物种。XRD和EXAFS结果表明，适量钴的添加，有利于样品的硫化。活性测试表明，钴的加入，明显促进的含量也最高。结合结构表征结果，认为钴是以协同作用的方式参与反应。

简介：SAXS被用于研究聚合氯化铝硅（PASC）絮凝剂的形态，0．1MPASC絮凝剂的分形数随絮凝剂中硅铝比的增加而增大，当硅铝比由0．025增加到0．075时，分形数由1．29增大到1．41。