简介：焊接就是使用金属合金（焊锡）将两块或多块金属连接在一起的过程，其中焊料的熔化温度要比被焊金属的低。焊接温度低于450℃的称为软焊接，通常用于名贵珠宝首饰焊接的硬焊接（硬奸焊）温度超过450℃。硬焊接用于焊接银、金、钢和铜等金属，其焊接点比软焊接牢固得多，其剪应力比软焊接坚固20—30倍。

简介：介绍了一种以PMT作为感光器件的基因分析仪。该仪器以80C552单片机为微处理器，配合光学系统、位置控制系统进行信号采集与处理，并通过对待测试剂的荧光特性参数的采集分析来确定特定基因段的含量。本仪器具有检测速度快、准确性高等特点。

简介：本文将结合实际工作中的一些体会和经验，就BGA焊点的接收标准，缺陷表现及可靠性等问题展开论述，特别对有有争议的一种缺陷空洞进行较为详细透彻的分析、并提出一些改善BGA焊点质量的工艺改进的建议。

简介：进行波峰焊接的印制板上必须涂阻焊剂，留下需要焊接的部分，这样有利于焊接。这是由于在涂印阻焊剂后，有阻焊剂地方表面张力加大，而减少了焊盘的表面张力。影响焊接质量的还有与元器件引线相配的孔。如孔径大了，就会产生空洞的现象。而孔径小了，造成插元件困难，影响装配速度。一般孔径比元器件引线要大20—30μ为最好。焊盘与焊盘之间质量保持一段距离，位置安排适当才有助于焊接。焊盘的大小也是个影响因素，

简介：本文论述了多层挠性线路板在设计时应如何保证线路在挠曲时的可靠性，以及一些常用的设计方法。

简介：一、前言印制电路我们可以简单的分成PCB（硬质电路板，俗称硬板）与FPC（柔性电路板，俗称软板）这两大类，这两类电路板的生产流程也大同小异，但生产加工方式却有较大差异，简单来来讲，硬板生产机械化，自动化程度较高，而软板生产机械化／自动化程度较低（单面RTR除外），手工制程多，如软板的投收板、CVL贴合、各类补强材的贴合等大部分都是靠手工来完成，生产效率相对较低，

简介：介绍了大功率IGBT模块的新概念，以及为实现小型化和高可靠系统时大功率应用的栅驱动技术。采用新型模块，可使体积和重量大约减小50％。使用通常的栅驱动方法驱动新型模块，也能简化设计并得到大功率电子系统。IGBT芯片的正面采用了沟槽栅结构，背面采用了电场截止层结构。未选择栅沟槽的FSIGBT芯片，其电流的不均衡率是10％或更小。采用通常的栅驱动单元有可能均衡与栅驱动单元并联的IGBT的开关波形。这些技术将使大容量的应用变得容易。

简介：为了落实党中央、国务院关于“要切实发挥职业资格证书在引导培训、促进就业、落实待遇和强化激励等方面的作用，推动企业建立职工凭技能得到使用和普升。凭业绩贡献确认收入分配的激励机制”。经国家人力资源和社会保障部、工业和信息化部有关部门授权我鉴定培训中心负责印制电路、印制电路机加工、印制电路电镀和涂覆、表面贴装、网版印刷五个专业资格认证工作。

简介：给出了一种64点FFT的FPGA实现方法。用该方法实现的FFT处理器由于采用流水线结构，其存储和读写可同时进行，并能及时输出结果。文中同时给出了基于Verilog语言的modelsim软件仿真结果。

简介：PCB网印过程中、会发生各样的故障，它既影响生产又影响网印质量。产生故障的原因很多，不但与操作人员的网印技术高低有关．而且也与印料、承印物的性能、网印方式、网版质量、刮板等有关。如果网印操作人员的技术不熟练，工作质量不禹，则容易发生网印古叟障。同样，如果印料、网版、刮板、网印机、网印环、境等不好，也会产生网印故障。

简介：PCB网印过程中，会发生各样的故障，它既影响生产又影响网印质量。产生故障的原因很多，不但与操作人员的网印技术高低有关，而且也与印料、承印物的性能、网印方式、网版质量、刮板等有关。如果网印操作人员的技术不熟练，工作质量不高，则容易发生网印故障。同样，如果印料、网版、刮板、网印机、网印环境等不好，也会产生网印故障。

简介：本文阐述了变频器的常见故障，并针对常见故障提出了解决措施。

简介：SKiN技术是一个革命性的技术进步。它通过无绑定线封装技术平台增强了可靠性，减小了热阻并改进了内部寄生电感。有了SKiN技术，包含新宽禁带材料功率器件的封装技术已经出现，并允许它们被用在中高功率领域�

简介：由于铝对人类的危害，防止铅污染已成为世界潮流。无论市场趋势还是国际立法部兮使电子装配中逐步缩减铅的使用，可见，无铅焊接在中国、在我们每一家公司的实施势在必行!实施无铅焊接涉及的材料有元器件、PCB、焊接材料、助焊剂等，同时对设备和工艺也提出了更高的要求。我公司在推行PCBA装联无铅化的工作上，已经有了实质性的进展。

简介：IGBT有源电压控制技术（ActiveVoltageControl，简称AVC），是在IGBT控制过程中引入多重闭环反馈，使IGBT开通和关断过程中集电极一发射极电压VCB的轨迹始终跟随预先设定的参考信号，实现高压应用时GBT器件直接串联的同步工作和有效均压。本文介绍了有源电压控制技术的基本概念，串联IGBT的实验波形和相应的损耗计算。

简介：本文介绍了意法半导体公司（STMicroelectronics）首次提出的1200V/20A的SiCMOSFET,并与1200V常闭型SiCJFET（结型场效应晶体管）和1200VSiCBJT（双极结型晶体管）作了对比。我们全面比较了三种开关器件工作在T=25℃、电流变化范围1A～7A的动态特性,并在T=125℃、I_D=7A条件下做了快速评估。尽管SiCMOSFET的比通态电阻（Ron＊A）很高,但与另外两种器件相比仍被认为是最有前景的开关器件：SiCMOSFET的总动态损耗远远低于SiCBJT和常闭型SiCJFET,且驱动方案非常简单,因此在高频、高效功率转换领域中SiCMOSFET是最好的选择。

简介：治具是一种以PCB板为模型而设计的、用于电性能通断测试的一种专用夹具，有单面治具、双面治具之分。在高精密线路板的生产时，采用通用的治具来测试其电能，给治具制造和测试方面都带来了一定的困难，同时还存在载线测试技术时背面电流驱动、可靠性等问题的困扰。专用、复合测试洽具，能适应高精密度印制板的电性能测试，测试可靠性达到100％，从而节约治具的制造费用。

简介：基于扩频CDMA技术的基本原理，提出该技术在鼠标中的实现方法，同时给出电路的设计原理图。

简介：SAC的立碑现象是由于焊膏的组分引起的，在气相焊接中，在合金的熔化温度之上时．润湿力和润湿时间和立碑现象没有关系，由于立碑现象是由不平衡的润湿力所引起的，因此这种现象是在焊膏熔化阶段形成的，而Sn95.5Ag3．5Cu1被发现具有最大的立碑率,立碑率随着Ag含量偏离3.5的程度增大而减小．DSC研究指出这主要是由于增加了焊锡中的糊状相含量，使焊膏熔化阶段的润湿速度减慢，表面张力只起了较小的作用．较低的表面张力会引起较高的立碑率．SAC中Ag的含量如果低于3．5％，如2．5Ag．更有利于减少立碑率。并减少形成Ag3Sn金属间化物的风险。

简介：在现代文明中，二次电池已走入千家万户，是我们生活中不可缺少的物品。在现在市场上，主要的二次电池是铅酸电池、镉镍电池、氢镍电池和锂离子电池，本文就这些电池的发生、发展、性能、生产和应用作一简要的综述。