学科分类
/ 6
105 个结果
  • 简介:运用G98W程序,采用Lan12dz基组,对茂金属配合物[2,5-(Me3Si)2MeC5H2FeI(CO)2]进行从头算研究,探讨了配合物结构单元的稳定性、分子轨道能量、原子净电荷布居规律,以及一些前线分子轨道的组成特征等.结果表明,标题配合物在能量上可作为结构单元而稳定存在.该结构单元为茂金属配合物的合成、分子组装分析和催化活性研究提供理论依据.

  • 标签: 茂金属 从头算 电子结构
  • 简介:通过典型的双分子亲核取代和烯烃亲电加成反应,讨论了反应过程中,化学键伸缩振动力常数和分子中1个电子所受到的作用势(D_(pb))之间的关联.研究表明分子中1个电子所受到的作用势能够很好地描述反应中键形成和断裂时的化学键强度.

  • 标签: 力常数 PAEM DPB 化学键
  • 简介:测量了ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO-Co2O3,ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO-Cr2O3,ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO-MnO2和ZnOTiO2-Bi2O3-CuO-MnO2-Co2O3-Cr2O3压敏陶瓷的正电子寿命谱及其电性能参数。研究了MnO2、Co2O3和Cr2O3掺杂对ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO压敏陶瓷电子密度和电性能的影响。实验发现:ZnO-TiO2-Bi2O3-CuOCr2O3压敏陶瓷基体和晶界缺陷态的电子密度均最高,其压敏电压最低;ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO-MnO2压敏陶瓷晶界缺陷态的电子密度最低,其压敏电压比前者高;ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO-Co2O3压敏陶瓷基体(晶粒内)的电子密度最低,其压敏电压较高;而ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO-MnO2-Co2O3-Cr2O3压敏陶瓷基体和晶界缺陷态的电子密度均较低,其压敏电压VT和非线性系数ɑ最高,漏电流IL最小。

  • 标签: ZnO基压敏电阻 金属氧化物掺杂 缺陷 电子密度 电性能
  • 简介:合成了一系列N-对位与间位取代苯氨基乙酸(RPhG)与Cr(Ⅲ)、Cu(Ⅱ)、Co(Ⅱ)、Ni(Ⅱ)的配合物,测定了磁化率、电导及散射-反射光谱,着重考虑了各个光谱的指派,计算出10D_q、B及β等参数,对配合物的结构进行了讨论。

  • 标签: 中心离子 乙酸过渡 取代苯