简介：发展单片集成MOSFET和肖特基二级管器件来减小Qrr和在DC-DC同步降压转换中的死区时间损耗。这篇文章报道了一种新的器件。这种器件在没有妥协MOSFET优点的同时，它可以降低超过29％的反向恢复电荷，和降低24％的正向电压降。在1MHZ，集成单片FET做同步整流，其电路效率提高1.1％。随着开关频率和电流的增加性能也得到改善。

简介：近年来，在行业的共同努力下，我市各基础电信运营企业校园电信业务经营行为不断规范。为学校及广大师生用户简单、怏捷地使用电信服务提供了极大的方便，受到了校园用户的普遍欢迎。但同时，个别电信企业、个别学校仍然存在寄卡、限制用户选择权等行为，扰乱了校园正常学习生活秩序，也给通信行业造成了不良的社会影响。为此，重庆管局从实际出发，通过超前部署、建立机制、加大巡查、联合治理等举措，维护了校园电信市场的公平、有序，保障了电信用户的合法权益。

简介：实验评估了600V，4A碳化硅(SiC)肖特基二极管(英飞凌，SDP04S06)的性能。作为一种重点的应用，作者考虑选用一种300W，按平均电流模式控制的Boost功率因数校正器(PFC)。作者测量了采用该型号SiC肖特基二极管和采用两种超快、软恢复的硅功率二极管(RURD460和目前正被列入的STTH5R06D)制成的整机的效率、开关损耗、二极管损耗和电磁干扰(EMI)等特性。本文比较了这些结果，特别是定量地考察了SiC二极管提供的恢复电流的减小对该变换器行为的这些关键参数的影响。基于试验结果，本文表明在功率因数校正器设计中，采用SiC二极管只是在高开关频率时才是合算的。

简介：本文介绍IGBT和快开关二极管的最新发展。文中将讨论"沟槽-电场截止型"IGBT可重复短路行为的详细研究。该新型电场截止型IGBT已经被开发得几乎同MOS场效应管的关断行为完全类似(几乎没有拖尾现象)。受这种新型IGBT技术的驱动,就会在续流二极管上施加更大的应力。本文详细示出被一个超快开关的IGBT关断的二极管的开关特性和电应力。还包括基于换流期间的内部过程而对这种应用提出的要求。

简介：<正>恩智浦半导体(NXPSemiconductorsN.V)近日推出首款采用1.1-mm×1-mm×0.37-mm超薄DFN(分立式扁平无引脚)封装的晶体管。全新产品组合由25种器件组成,其中包括低RDsonMOSFET以及可将电流能力最高提升至3.2A的低饱和通用晶体管。该全新产品系列凭借其超小外形和高性能,非常

简介：在本文中，我们提出了一个稳定的单光子探测方法基于硅雪崩光电二极管（硅雪崩二极管）在盖革模式具有较大的温度变化范围内操作。通过精确的温度传感和直流（DC）电压补偿，单光子探测器可以稳定工作在盖革模式from-40°C至35C°具有几乎恒定的雪崩增益。它为单光子探测在全天候条件下的户外作业提供了一种解决方案。

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简介：本文介绍了智能化管控系统VSM对江苏台超高清电视转播平台的统一控制和管理,该系统拥有两个独立的导演区,可同时或独立进行4K和HD节目制作,VSM可使双区制作互不干扰,功能扩展便捷,将超高清电视转播平台打造成智能平台。

简介：2013年，党的十八届三中全会对全面深化改革作出总体部署，探索一套与市场经济相适应的行业管理模式成为新时期做好电信监管工作的重要课题。重庆管局围绕行业发展趋势及变化，深入思考新形势下电信市场监管重点，在日常市场监管中，始终围绕保护用户合法权益、促进行业有序发展两条主线，积极探索工作新思路，借助外部力量和资源，在纠风工作、用户权益保护、电信服务质量、垃圾短信治理等方面做了大量的工作，

简介：<正>OFweek光电新闻网和OFweek电子工程网在深圳联合主办了2013电子行业年度评选活动,英飞凌科技公司产品40VOptiMOSTMT2功率晶体管荣获了技术创新奖。英飞凌科技(中国)有限公司汽车电子事业部市场总监杜曦先生出席了颁奖仪式并代表英飞凌领取了该奖。

简介：近日，为了进一步推进我市“智慧城市”和“三网融合”有关工作，了解广电企业在宽带、IP电话等电信业务方面发展情况，有序推进电信行业与广电行业双向进入工作，重庆管局胥红副局长带队赴重庆有线电视网络有限公司开展专题调研。

简介：受工业和信息化部无线电管理局委托,中关村公信卫星应用技术产业联盟组织相关专家与企业,从我国低空无人机无线电管控现状、国外低空无人机无线电管控现状及启示、低空无人机无线电管控的解决方案思路、推动无人机无线电安全管控建设的建议等方面,初步完成了《对低空无人机无线电管控对策与解决方案研究》项目报告。

简介：2007年1月29日，英特尔公司宣布在基础晶体管设计方面取得了一个最重大的突破，采用两种完全不同以往的晶体管材料来构建45nm晶体管的绝缘“墙”和切换“门”。在下一代英特尔。酷睿TM2双核、英特尔一酷睿TM2四核以及英特尔。至强。系列多核处理器中，将置人数以亿计的这种微观晶体管或开关。英特尔公司同期宣布已有5种早期版本的产品正在运行，这是公司计划中的15款45nm处理器产品的第一批。

简介：新型CoolMOSTM650VCFD技术为具有高性能体二极管的高压功率MOSFET确立了一个新基准。新型器件综合了多方优势，包括高达650V阻断电压、极低的Rdsno、容性损耗低、同时还改善了体二极管在反向恢复过程，特别是软硬转换应用时的坚固度。随着性能的提高，将介绍列入参数表的Qrt和trt的最大值。本文还研究了改善体二极管坚固度的相关因素。这干叶，具有快恢复体二极管的新型超结器件系列的优点，在HID半桥拓扑中尤为突出。它也可用于DPAK封装。

简介：上期845摩机一文（《音响世界》第181期《精雕细刻成大器——845单端放大器打摩记》）的结尾段曾提及我还有些想法要实施，现经一段时间休整后又提上日程。在上一期的文章中就曾提及每级之间推动力的配合问题，也因此将300B的推动胆由5881A改为EH的6H30Pi。在诸多的想法中，现在最迫切的是要验证在我的系统中，300B与845两级之间推动力的配合是否已最合适。

简介：在200W连续导通模式功率因数校正（PFC）系统中，新一代600V砷化镓（GaAs）肖特基二极管与硅和碳化硅（SiC）二级管比较，砷化镓、碳化硅在PFC系统中的损耗减少高达25％。由于砷化镓有较低的结电容，砷化镓相对碳化硅高的通态损耗被较低的MOSFET损耗弥补了。和碳化硅技术相比，砷化镓有成本和可靠性优势。对于高频和高密度应用来说，新一代的砷化镓二级管是很有前景的。

简介：欧司朗光电半导体日前推出T038封装的优化型蓝光激光二极管，该产品是同类产品中尺寸最小的二极管。该项成就使世界向着迷你投影机的目标又迈进了一大步，将迷你投影机集成到手机、数码相机等移动设备中指日可待。

简介：意法半导体推出最新的MDmeshDk5功率MOSFET管，内部增加一个快速恢复二极管的甚高压（VHV）超结晶体管，这样结构有助于设计人员最大限度提升各种功率转换拓扑的能效，包括零压开关（ZVS）LLC谐振转换器。