简介:本文介绍了微波半导体技术主要特点、功率器件和单片集成电路的特性及其应用.
简介:针对抗辐照SOIPMOS器件的直流特性与低频噪声特性展开试验与理论研究,分析离子注入工艺对PMOS器件电学性能的影响,并预测其稳定性的变化。首先,对离子注入前后PMOS器件的阈值电压、迁移率和亚阈摆幅进行提取。测量结果表明:埋氧化层离子注入后,器件背栅阈值电压由-43.39V变为-39.2V,空穴有效迁移率由127.37cm2/Vs降低为80.45cm2/Vs,亚阈摆幅由1.35V/dec增长为1.69V/dec;结合背栅阈值电压与亚阈摆幅的变化,提取得到埋氧化层内电子陷阱与背栅界面态数量的变化。随后,分析器件沟道电流噪声功率谱密度随频率、沟道电流的变化,提取γ因子与平带电压噪声功率谱密度,由此计算得到背栅界面附近的缺陷态密度。基于电荷隧穿机制,提取离子注入前后埋氧化层内陷阱态随空间分布的变化。最后,基于迁移率随机涨落机制,提取得到离子注入前后PMOS器件的平均霍格因子由6.19×10-5增长为2.07×10-2,这表明离子注入后器件背栅界面本征电性能与应力稳定性将变差。
简介:<正>2013年9月25日,第二届深圳国际生物科技创新论坛暨展览会(以下简称"生物展")在深圳会展中心隆重开幕。本次展会为期三天,以"生物科技改变未来世界"为主题,旨在汇聚生物领域最新成果,启迪生物科技发展之道。开幕式由组委会副主任兼秘书长、深圳市政府副秘书长高国辉主持,深圳市政府市长许勤出席开幕式。组委会主任、深圳市副市长唐杰,组委会副主任、中国医药生物技术协会理事长彭玉和深圳华大基因研究院理事长、中国科学院院士杨焕明分别致辞。来自国内外相关高校和科研院所的负责人,以及参展企业的代表出席了开幕式。本届展会高峰论坛分为未来医疗健康产业、全球生物技术发展与合作、农业种质资源整合与应用三个主