简介：对采用P型栅增强型技术的GaN功率晶体管进行了反应堆1MeV等效中子辐照效应实验。结果表明，在注量为1.5×10^15cm^-2的中子辐照后，器件的阈值电压没有发生明显变化；栅压较大时，辐照后的饱和漏电流变小，这与沟道电子迁移率降低和二维电子气2DEG的退化有关；当漏极电压小于200V时，器件的关态漏电流明显增加，表明中子辐照重掺杂P型栅发生的载流子去除效应弱化了P型栅在零栅压下对沟道电子的耗尽，但器件栅极反向泄漏电流在辐照后没有变化，说明其对中子辐照具有一定的免疫能力。

简介：

简介：为评估Tesla型脉冲功率源在振动环境中的可靠性，基于有限元仿真软件，采用随机振动分析方法研究了该脉冲功率源的随机振动特性。计算中考虑了预应力对结构模态的影响，并对静力结果与随机振动结果矢量叠加得到的总应力进行了分析。根据仿真结果，分析了磁芯和各绝缘支撑结构等薄弱部件的振动强度，发现尾端绝缘子的最大动应力值大于其疲劳极限；同时对尾端绝缘子的疲劳寿命进行了计算。总结了Tesla型脉冲功率源中形成线外筒、中筒、内筒和主开关外筒的强度设计原则，可为同类型脉冲功率源的强度设计提供参考。

简介：

简介：

简介：

简介：目的：能量桩在工作状态下的热力学响应十分复杂，同时受到桩顶荷载、桩侧摩擦以及温度等多重因素的影响。当群桩中出现部分能量桩不工作时，将造成上部结构的额外应力与变形。因此，本文重点探讨摩擦型能量桩群桩中部分能量桩在加热制冷作用下的热力学响应，并与单桩的热力学效应进行对比分析。创新点：1．通过建立摩擦型能量桩群桩模型试验，探讨桩侧摩擦对能量桩群桩的影响规律：2．利用能量桩群桩与单桩对比，揭示能量桩群桩与单桩热力响应特性的区别；3．揭示部分能量桩加热制冷作用对能量桩群桩的影响机理。方法：1．建立摩擦型能量桩群桩及单桩的模型试验；2．将能量桩群桩与单桩进行对比，研究能量桩群桩与单桩热力响应特性的区别；3．进行能量桩群桩部分加热制冷试验。结论：1．对于长期工作的能量群桩，可以将其视为一个长宽高与整个群桩相同的热交换体，其表面温度与群桩的平均表面温度一致。2．能量桩单桩在加热过程中，由于桩底受到的限制较大，所以桩顶位移大于桩底位移。3．能量桩单桩在制冷过程中，由于土体及桩体收缩，会出现明显的下沉。4．能量桩群桩桩帽在加热过程中，桩帽的位移与群桩的上半部分长度相关：在本文的试验中，由于群桩上半部分受土的限制较小，因此其位移与桩自由膨胀的位移一样。5．能量桩群桩在制冷期间，群桩的下沉量级要比单桩的大。6．在制冷过程中，能量桩群桩在群桩效应作用下，内部桩的桩底热位移较大。7．能量桩群桩在部分加热的情况下，会出现不均匀沉降，且在加热期间，沉降主要受到不工作桩的牵制影响；而在制冷期间，沉降主要受工作桩的下沉影响。8．摩擦型能量桩的热引起的桩身轴力是与桩侧的土压力大小相关的；由于群桩在群

简介：目的：探索1T-MoS2（多型结构的二硫化钼）的除汞机制。方法：1.采用密度泛函理论（DFT）分析Hg~0在1T-MoS_2单层上的吸附机理。2.考察1T-MoS_2的不同吸附位置。3.对不同的吸附构型,研究电子吸附前后的变化,从而进一步了解吸附过程。结论：1.化学吸附是Hg原子与1T-MoS_2单层吸附的主导因素。同时,在所有可能的吸附位置中,T_（Mo）（在钼原子上方）的位置是最强烈的吸附构型。2.汞（Hg）原子在1T-MoS_2单层上的吸附受邻近的硫（S）和钼（Mo）原子的影响。3.吸附的汞（Hg）原子在1T-MoS_2的Tmo位置上会被氧化,其吸附能为-1.091eV。4.从局部态密度（PDOS）分析来看,Hg原子和1T-MoS_2表面之间的相互作用是由汞（Hg）原子的d轨道与硫（S）原子的s轨道及钼（Mo）原子的p轨道和d轨道重叠所致。

简介：

简介：在分析SRAM型FPGA单元电路及芯片辐照效应实验数据的基础上,借助计算机仿真模拟,研究了大规模集成电路抗辐射性能的敏感性预测技术。采用分层仿真和评价的方法,先由上而下,根据器件参数要求分配性能指标,再依据实验数据,借助数值模拟,由下而上检验性能阈值、裕量及其不确定度,最终给出整个FPGA的可信度值,确定了敏感单元电路,并且通过X射线微束总剂量实验对结果进行验证。建立的电路级数值模拟方法为累积电离总剂量效应敏感性预测研究,提供了技术支撑。

简介：

简介：