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10 个结果
  • 简介:随着机械装置向结构复杂化发展,常需要对复杂装置的层间挤压应力等接触应力进行研究,这需要利用薄型挤压应力传感器来进行接触测量。进行层间接触测量的传感器不但应具备良好的应力敏感特性,而且应具有优良的柔韧力学性能,选用高导电纳米炭黑、球形石墨为导电粒子,硅橡胶、天然橡胶为基材开展了颗粒填充型导电高分子复合材料的配方工艺优化研究、薄膜制备及均匀性控制方法研究及感复合材料薄膜的压力一电阻关系研究。

  • 标签: 导电高分子复合材料 力学性能 应力传感器 压阻 复合材料薄膜 机械装置
  • 简介:数列是高中数学的主干知识、重点内容之一,它在新教材中是一块只有调整而未作删减的内容.它在历年高考中都占有十分重要的地位。近几年来,递推数列考查往往与解析几何,函数,不等式等内容交汇在一起,所以对这部分的考查就有一定的深度,考生总是有一种畏难情绪。

  • 标签: 递推数列 通项公式 求法 高中数学 解析几何 不等式
  • 简介:强力旋是机械加工中的常用方法,它依靠旋轮从工件的表面给材料施加巨大的成型力,使材料整体发生强烈塑性变形而形成所需要的最终形状,在旋轮-工件接触区域,由于旋轮的被动自转,还存在着复杂的多方向的摩擦力,这对工件表面和表层组织形貌有着重要的影响。

  • 标签: 旋压法 表面纳米化 塑性变形 低碳钢
  • 简介:笔者在人教版数学必修5(第3版)第二章数列的教学时。学生针对课本紊材提出了两个由递推公式求通公式的问题,本文就这两个案例进行探究.

  • 标签: 通项公式 案例 数列 课本 递推公式 人教版
  • 简介:介绍了使用2.45GHZ微波源激励产生常等离子体射流(MPJ)的装置,该装置结构简单,使用可靠,实验内容丰富,适合教学要求。

  • 标签: 微波 常压 等离子体射流
  • 简介:介质阻挡放电由于其具有均匀、散漫、稳定,而且不需要真空系统等优点,正日益受到人们的重视和研究。文章给出了常介质阻挡放电的研究进展,包括实验装置、实验条件、放电机理以及最新的诊断方法,还介绍它在材料表面改性、环境工程、食品加工等方面的应用前景。

  • 标签: 常压介质阻挡放电 均匀 散漫 稳定 低温等离子体
  • 简介:为了将模拟结果应用于评价动态内载荷壳体的激光辐照效应,采用理论分析方法研究了模拟中的相似性问题,给出了飞行动态环境的模拟相似性原则、激光参数的模拟相似性原则和试件大小的模拟相似性原则.对飞行环境效应的模拟,要考虑壳壁气动加热和氧化效应;对光斑半径的模拟,若满足/πkt<r0≤0.5R条件,则壳壁最高温度近似与光斑半径无关,并且对爆裂破坏模式,光斑半径还要满足热裂纹失稳扩展条件;对壳体试件的模拟,采用近几何相似缩比(大小缩比而壁厚不变),缩比率在1/5~1时可以用非线性拟合表征损伤关系.

  • 标签: 激光应用 相似性模拟准则 内压载荷柱壳 飞行环境 光斑尺寸 缩比试件
  • 简介:目的:探究错距旋仿真模型关键特性参数影响,改进建模方法,克服现有模型方案的缺陷,构建更准确、可靠和稳定的错距旋有限元仿真模型。创新点:1.提供包括全模型、六面体离散、速度边界、全仿真、双精度和无干涉模型等在内的改进有限元模型构建方法;2.基于所构建的改进模型,完善错距值对成型过程影响的现有结论。方法1.通过能量、网格独立性和过程参数分析,验证改进有限元模型的可行性和可靠性:2.通过对比仿真和数据分析,获得边界模式、精度模式、时间截断和错距干涉对仿真结果的影响;3.通过仿真模拟,完善现有受干涉、单精度、时间截断和位移边界影响的错距值研究成果。结论:1.速度边界模式较之位移边界模式具有更高的计算精度和效率;2.时间截断不能确保扶取稳态结果,不利于计算的准确性和稳定性;3.截断误差对错距旋成型结果影响显著,计算过程中应采用双精度模式;4.错距干涉严重干扰计算的正确性和可靠性,应在实验设计阶段予以排除:5.针对现有错距值研究受干涉、单精度、时间截断和位移边界影响的现状,基于改进模型,完善错距影响结论(表11)。

  • 标签: 错距旋压 有限元三维建模 错距值 薄壁筒形件
  • 简介:测量了ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO-Co2O3,ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO-Cr2O3,ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO-MnO2和ZnOTiO2-Bi2O3-CuO-MnO2-Co2O3-Cr2O3敏陶瓷的正电子寿命谱及其电性能参数。研究了MnO2、Co2O3和Cr2O3掺杂对ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO敏陶瓷电子密度和电性能的影响。实验发现:ZnO-TiO2-Bi2O3-CuOCr2O3敏陶瓷基体和晶界缺陷态的电子密度均最高,其敏电压最低;ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO-MnO2敏陶瓷晶界缺陷态的电子密度最低,其敏电压比前者高;ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO-Co2O3敏陶瓷基体(晶粒内)的电子密度最低,其敏电压较高;而ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO-MnO2-Co2O3-Cr2O3敏陶瓷基体和晶界缺陷态的电子密度均较低,其敏电压VT和非线性系数ɑ最高,漏电流IL最小。

  • 标签: ZnO基压敏电阻 金属氧化物掺杂 缺陷 电子密度 电性能