简介:摘要 本文对张应变的 Si基外延 Ge上 NiGe薄膜的热稳定性以及 NiGe与外延 Ge接触的电学特性进行了研究。通过四探针等测试结果,表明张应变外延 Ge上 NiGe薄膜的热稳定性比 N型 c-Ge上 NiGe薄膜的热稳定性提高了 100oC,可能的原因是 NiGe薄膜与张应变的外延 Ge之间的晶格失配较小, NiGe薄膜所受到的应力较小。 I-V测试结果表明 NiGe与外延 Ge接触反向漏电流较大,器件整流比较小,势垒高度比 NiGe/c-Ge的势垒高度小。因此,要使 NiGe更好的应用于外延 Ge基的肖特基势垒源漏的 MOSFET中,还需要进一步提高外延 Ge质量。
简介:摘要:文中分析了金属镓生产现状,浅谈结晶法的原理,指出结晶法是镓生产中初步提纯过程中操作简单,易控制,成本低,可广泛应用于镓生产的酸法工艺和碱法工艺中。
简介:利用同步辐射(BSRF)漫散射站四圆衍射仪,对SiC体单晶的结构进行了判定以及对利用常压化学气相沉积(APCVD)生长的3C-SiC/Si(001)中的孪晶及含量进行了分析。六方{10-15}极图证明了该SiC单晶为6H(H为Hexagonal的缩写)结构。对3C-SiC外延薄膜,Φ扫描证明了3C-SiC外延生长于Si衬底上,外延取向关系为:(001)3C-SiC//(001)Si,[111]3C-SiC//[111]Si。3C-SiC的{111}极图在x=15.8°出现了新的衍射,采用六方{10-10}极图以及基体倒格点111、孪晶倒格点002的Mapping分析了x=15.8°处产生的衍射为3C-SiC孪晶所致,并利用ω扫描估算了孪晶的含量约为1%。