简介：

简介：采用脉冲激光沉积法，以元素比例为In：Ga：Zn=1：1：1的InGaZnO靶材作为实验靶材，在1000℃烧结后P型硅上成功制备了非晶InGaZnO薄膜。并用真空蒸镀的方法蒸镀100nm，宽长比为5：1的Ni电极作为源漏电极。通过对比退火前及300℃退火30min后TFT的电学性质可以看出，经过退火处理后，器件的各种参数均得到了提高：阈值电压为5．88V，开关比提高到10^5，且关态电流为pA量级，S仅为1．1V／decade，且器件的场效应迁移率变为原来的60倍。因此退火处理可以明显的提高InGaZnO—TFT器件的性能。

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简介：摘要本文用椭偏仪测量砷化镓表面氧化层的厚度，并用XPS分析砷化镓表面氧化层的化学组成和氧化层的厚度，发现，清洗后的砷化镓晶片表面会发生自然氧化反应，自然氧化层主要有Ga203、As203、As2O以及少量As元素组成，且随着时间变长，氧化层的厚度越来越厚。

简介：<正>据美国每日科学网站7月27日报道,美国科学家成功制造出了超纯的砷化镓,并让其呈现出某种特殊的状态,在这种状态下,电子不再遵守单粒子的物理学法则而被它们之间的相互作用(由量子力学法则来解释)所掌控,这种超纯材

简介：<正>手机进入4GLTE时代,不管是一线的苹果、三星,及二线如小米、华为、宏达电等厂商都推出新机抢市,使得砷化镓功率放大器(PowerAmplifier,简称PA)的需求陡增,国际大厂在手订单满溢,居于代工位置的国内相关业者,也先后在业绩上展现亮丽成绩单,且在苹果推出AppleWatch后,物联网商机开始

简介：摘要柔性不锈钢衬底铜铟镓硒薄膜太阳能组件作为一种新兴的备受关注的太阳能发电设备，其性能还不为大家熟悉，本文介绍了以轻质柔性不锈钢薄片为衬底的铜铟镓硒电池双波组件的结构，在实际电站维护过程中，对玻璃爆裂的不锈钢柔性衬底铜铟镓硒电池双波组件进行了测试，研究了其性能，其性能得以呈现。

简介：工作在中、长波红外波段（波长5-12μm）的红外探测器在红外制导、红外成像、环境监测及资源探测等方面有着重要而广阔的应用前景。目前中国军用和民用对这一波段的非制冷型、快速响应的光子型红外探测器有迫切需求。文中用熔体外延（ME）法在InAs（砷化铟）衬底上生长的InAs0.05Sb0.95（铟砷锑）厚膜单晶,制作了高灵敏度、非制冷型、中长波光导型探测器,探测器上安装了Ge（锗）浸没透镜。傅里叶变换红外（FTIR）吸收光谱显示InAsSb材料的本征吸收边出现在波长8μm以后。InAs0.05Sb0.95探测器的光谱响应波长范围为2-9μm。室温下,在波长6.5μm处的峰值探测率Dλp＊达到5.4×10^9cm·Hz1/2·W^-1,在波长8.0μm和9.0μm处的探测率D＊分别为9.3×10^8和1.3×10^8cm·Hz1/2·W^-1,显示了InAsSb探测器的优越性能及对红外探测和成像的应用前景。

简介：摘要伴随着照明产业的迅猛发展，高质量的ＧａＡｓ抛光片需求量日益增大。ＬＥＤ是一种（电）注入式固体发光器件，它具有体积小、寿命长、耗电少和可靠性高等特性。广泛应用于指示灯、文字显示、大屏幕显示、交通信号、景观照明以及汽车照明等领域。而砷化镓材料是一种直接带隙半导体材料，其导带最低点与价带最高点在同一空间，这样电子和空穴就可以有效地再复合而发光。

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简介：摘要散元素矿石经HCl-HNO3-HF-HClO4消解后，用电感耦合等离子体质谱法（ICP-MS）测定重金属元素Ni、Cu、Zn、Cd、Sb、Pb、Bi的含量。该方法检出限为0.004～0.51?g?g-1，相对标准偏差（RSD，n=6）为1.08%～4.67%，分析结果准确可靠，是测定稀散元素矿石中重金属含量的一种较好的分析方法。

简介：摘要本文用椭偏仪测量砷化镓表面氧化层的厚度，并用XPS分析砷化镓表面氧化层的化学组成和氧化层的厚度，发现，清洗后的砷化镓晶片表面会发生自然氧化反应，自然氧化层主要有Ga203、As203、As2O以及少量As元素组成，且随着时间变长，氧化层的厚度越来越厚。

简介：摘要砷化镓广泛应用于光电子和微电子领域，是制作半导体发光二极管和通信器件的关键衬底材料。与硅单晶一样，砷化镓衬底正逐步向大尺寸、高几何精度、高表面质量方向发展。目前，日本住友电工、美国AXT代表着国际领先水平，中科晶电、晶明公司代表着国内的先进水平。未来几年是国内企业研发6英寸产品，向国际水平冲击的重要时期。

简介：台湾稳懋半导体是全球首座以六英寸晶圆生产砷化镓电路的专业晶圆代工服务厂。近期,稳懋完成了新一轮晶圆厂翻新扩张,对其第三家最新的晶圆厂（FabC）配备最先进的净化间、工艺线和砷化镓微波集成电路（GaAsMMIC）生产设备,以及复合半导体外延生长、制造和光学检测设备。稳懋主要提供HBT、pHEMT、集成BiHEMT方案和光学设备,用于功率放大器、WiFi、无线区域性网络基建和光学市场。

简介：银山铜铅锌多金属矿田镉、镓、铟，主要以类质同象置换形式赋存在铅锌矿化系列矿体闪锌矿中，可在锌精矿中得以回收；铋则以独立矿物形式存在铜硫化系列的矿中，可从铜精矿回收。

简介：由中科院安徽光机所承担的“863”计划新材料领域项目中的课题——中远红外非线性光学晶体硒镓银的研制日前取得重要进展。科研人员不仅成功地加工出长10毫米至20毫米的红外倍频元件，而且实现了连续CO2激光倍额。参加鉴定的专家们认为，该晶体的主要拄术指标已居国内领先水平。

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简介：TriQuint半导体公司推出四款具有卓越增益和效率，并且非常耐用的新氮化镓（GaN）HEMT射频功率晶体管产品。TriQuint的氮化镓晶体管可使放大器的尺寸减半，同时改进效率和增益。这些新的氮化镓晶体管可在直流至6GHz宽广的工作频率上提供30—37W（CW）射频输出功率。

简介：日本2006年供应2006年日本供应为134．4t。国内DOWA公司生产新镓锭8t，比2005年减少2t。进口33．5t，比2005年减少22％。其中，从法国进口4．581t（4～7N）：中国12．344（4N）：匈牙利0．7t（4N）；美国2．352t（6N）；俄罗斯2．2t（4N）；乌克兰0．3t（4N）；台湾11．072t（2N）。

简介：摘要：目的：探析颞下颌关节疼痛患者予以低能量镓铝砷半导体激光干预的价值。方法：以我院2020年11月至2021年8月间收治的56例颞下颌关节疼痛患者为分析对象。参照组行常规治疗，研究组实施低能量镓铝砷半导体激光治疗，比较两组治疗前后的开口度、前伸动度、患侧侧方动度、对侧侧方动度，对比疼痛评分。结果：研究组治疗后的开口度、前伸动度、患侧侧方动度、对侧侧方动度高于参照组，且疼痛评分较低，差异P