简介：美国国家标准与技术研究院的研究人员展示了他们最新研制的一款固态量子冰箱，这款制冷机利用了微型和纳米结构的量子物理学原理，可将一个比自身体积大得多的物体冷却到极其低的温度。项目负责人乔尔·乌洛姆说：“我们利用纳米结构的量子力学来冷却铜块，而铜几乎是这种制冷元件重量的100万倍。这是纳米或微电机装置可用来操纵宏观世界的一个罕见例子。”

简介：采用非平衡格林函数方法求解量子输运过程，探讨结构对称性对双量子点干涉仪中量子输运的影响，结果表明，调节点一导线间耦合，导致双量子点干涉仪结构对称性和电子传输路径不同，使得电子隧穿并联双量子点结构呈现出一系列的新奇特性。当点一导线间的耦合强度不同，两量子点中阶梯状的平均电子占据数的分离程度不同，且两台阶的平缓程度也不同，证明了结构决定性能，也为设计可控量子器件提供一个理论依据。

简介：位于美国罗利的北卡罗来纳州立大学的材料研究员调整了一项可以在一天内精确控制量子点纳米棒上的硅涂层生长的技术，是现有技术速度的21倍。除了节约时间外，其优势还在于使量子点更不易于失效，保持其优异的光学性能。

简介：加拿大第一量子矿业公司宣布，它将继续推动其在刚果民主共和国的弗隆特铜矿工程，估计到2007年第三季度铜矿即将投产。

简介：在中国科学院B类战略性先导科技专项“大规模光子集成芯片”支持下，中科院西安光学精密机械研究所与国外多家科研机构合作，利用西光研制的光子芯片，基于微谐振腔中多个高纯度频率模式相干叠加的独特方案，解决了片上高维纠缠双光子态制备与控制的国际难题，证实了利用10级纠缠双光子态实现超100维的片上量子系统，并通过频率操控实现了对量子态的灵活控制。相关成果于2017年6月发表在《自然》上。

简介：当你拿到一张密度偏大的底片要放大制作黑白照片时,首先要分析造成底片密度偏大的具体原因:由于冲洗胶卷时冲过而造成的;你在拍摄时测光的部分测错了;冲洗胶卷时使用

简介：奥地利因斯布鲁克大学的科学家借助微型半导体结构，用激光照射量子点首次获得了成对的光子。这一成果可进一步推动量子的应用研究，并可用于量子计算机的开发。量子点是准零维的纳米材料，由少量的原子构成。单个原子很难被“固定”，而量子点比较容易“被集成到半导体芯片中”。研究人员在实验中采用了砷化铟中的量子点。这种量子点每个有约一万个原子组成，由于其特殊的结构，它们的活动与单一原子十分相似。

简介：中国科学院等离子体物理研究所太阳能材料与工程研究室在有关项目的支持下，发展了量子点敏化太阳电池中量子点制备的新方法。该研究结果发表在英国化学会《化学通讯》上。该新方法采用金属硫族络合物（MCC）为前躯体，MCC吸附到二氧化钛（TiO2）纳米颗粒表面后，将TiO2纳米膜进行温和的热处理，

简介：采用高温熔融－退火法在钠硼铝硅酸盐（SiO2-B2O3-Na2O-Al2O3-ZnO-AIF3-Na2O）玻璃中生长了PbSe量子点，通过X射线衍射（XRD）、透射电镜（TEM）、光致荧光（PL）谱等研究了玻璃配料中不同ZnO含量对PbSe量子点尺寸和浓度的影响，结果表明，ZnO含量占总玻璃配料质量比约9．4％时，生成的量子点尺寸比较均匀，直径约为6．5nm，且浓度较高，PL谱强度最强，辐射峰位于1790nm，FWHM为296nm。玻璃配料中加入适量的ZnO有助于PbSe量子点的形成，减少Se元素的挥发，使玻璃中的量子点尺寸分布趋于均-化。

简介：东京大学成立了由校长直接领导的纳米量子领域产学协作组织——“纳米量子信息电子研究机构（NanoQulne）”，将成为日本文部科学省的”纳米量子信息电子协作研究”项目的核心研究组织。该项目是一个跨时10年的大项目，3年后和7年后对项目的内容进行再审查，10年后汇总最终结果。

简介：采用热注入法成功制备出三元AgInS2和四元Ag—Zn—In—S量子点，物性测试得到AgInS2量子点的发射峰为701nm，Ag—Zn—In—S量子点的发射峰593nm，即Ag-Zn-In—S量子点的发射峰相对于AgInS2量子点发生了蓝移，AgInS2和Ag—Zn—In—S量子点都表现出了较长的荧光寿命，分别为169ns和162ns，结合生物组织光学窗口范围限制，相对Ag—Z—In—S，AgInS2量子点更适用于生物标记。

简介：最近，中国科学院物理研究所和化学研究所在纳米信息存储材料领域再获突破。在原来工作的基础上，他们成功地在H2Rotaxane分子薄膜中实现了可逆的电导变化和可擦除、稳定的、可重复使用的接近单分子尺度的纳米级存储。具有以上功能的材料及其在信息存储中的应用是超高密度信息存储研究的重要方向之一。

简介：德国Ⅵ系统公司宣布研制出第一个通过多模光纤数据传输速率达40吉比特／s（40Gbit／s）的单VCSEL（垂直腔面发射激光器）。2009年1月份在美国加州SanJose召开的光子学会议上，该公司刚介绍了其20吉比特／s的器件，目前又使它的量子点激光器的调制速率提高了1倍。该公司利用其VCSEL和PIN光探测组件实现了通过多模光纤的40吉比特／s连续传输，这是850hm（波长）光发射的刨记录器件，是用与20吉比特／sVCSEL相同的光刻掩模研制的，但对外延结构作了改进。这种器件设计利用GaAs量子阱中的InAs量子点，并嵌入到AlGaAs基体中。

简介：芝加哥大学的科学家第一次在试验中观察到一种三原子分子的超冷态，俄罗斯理论物理学家VitalyEfimov在1970年就曾经预测了这种现象。在这种称为几何缩放量子态，三原子分子互相匹配，好像一个无限大的俄罗斯套娃，锂铯分子的温度略高于绝对零度。

简介：据海外媒体报道，近日，美日科学家合作以镱为基础材料研制出一种奇特的新型超导体。该超导体不需要改变压力、磁场强度或经化学掺杂，在自然状态就能达到物理学家所说的“量子临界点”。这一发现突破了理论物理的限制，为人们理解量子临界状态打开了新视野。这种异常性质，也将改变人们对超导体制造、电子数据存储的理解方式。有关研究结果发表于近期《科学》上。

简介：视觉界面中元素如何呈现对信息的交换效率有极大的影响,色彩是视觉界面编码的一种重要方式,相比于其他信息编码方式,本文认为其有三大优势:容量优势、传递效率优势和情感优势。文章将从这三方面展开分析,证实色彩编码在界面设计中的优势,为界面设计提供指导。

简介：通过磁控溅射技术和1100℃的高温后退火处理,在富硅碳化硅薄膜中形成高密度小尺寸的硅量子点,硅量子点的结构由X射线光电子能谱和高分辨透射电镜进行表征,结果表明,在高温退火过程中,碳化硅薄膜发生了相分离,硅和碳的化学结合态在热力学的驱动下形成稳定的Si-Si键和Si-C键,同时,氮原子钝化了分解过程中形成的Si悬挂键,在硅量子点的表面形成SixN/SiyC非晶壳层。这种非晶壳层包覆量子点的结构配置非常有利于形成稳定的超小硅量子点（1-3nm）,此结构的量子效应所产生的光吸收了从绿光到紫外光的光谱范围,大幅度提高光伏太阳能电池的光电转换效率。

简介：介绍了CMOS技术发展到亚100nm所面临的挑战。针对尺寸量子化效应。建立了NMOSFET的反型层电子量子化模型，分析了反型层量子化效应对NMOSFET器件参数包括有效栅氧厚度、阈值电压等的影响。得出结论，反型层量子化效应致使反型层电子分布偏离表面。造成有效栅氧厚度的增加，阈值电压的波动达到约10％。

简介：如今设有高热密度机柜的IT机房越来越多，传统机房空调设计中存在着使这种机房空调能耗增加的误区，即单纯追求机房内的环境温度，而忽略了如何有效地带走每台高热密度机柜的散热量这一核心问题。本文针对此问题，总结如下4个简单易行的节能措施：当单个服务器容量超过5kW时，可采用冷气流或热气流通道封闭；当单个服务器容量超过8kW时，可采用行级制冷或机柜级制冷；当高热密度机柜和普通机柜并存时，应均匀分布高热密度机柜；合理布局机房空调。

简介：报导了CdS／ZnS纳米晶体（NCs）的制备过程和其光学}生质。通过采用连续离子层吸附和反应技术（SILAR），我们用少量的表面活性剂合成了不同壳层的四个样品，包括CdS核纳米晶以及具有1～3层ZnS壳的CdS／ZnS核／壳结构纳米晶体样品。发现具有一层ZnS壳的CdS／ZnS样品的荧光量子产率大约比未包覆壳层的CdS纳米晶体样品的强11倍。另外，随着壳层的增加（增至两到三层），荧光量子产率呈现下降的趋势。对样品进行了温度相关的光谱测量，发现CdS／ZnS和CdS一样具有特殊的光学特性。